TIDA-01605
2 レベルのターンオフ保護機能搭載、車載、デュアルチャネル SiC MOSFET ゲート・ドライバのリファレンス・デザイン
TIDA-01605
概要
このリファレンス・デザインは、SiC MOSFET をハーフ・ブリッジ構成で駆動する、車載認定済みの絶縁型ゲート・ドライバ・ソリューションです。このデザインは、デュアル・チャネルの絶縁型ゲート・ドライバのそれぞれに電力を供給する 2 個のプッシュプル・バイアス電源を搭載しており、各電源は +15V と -4V の出力電圧で 1W の出力電力を供給します。ゲート・ドライバは、4A のソース電流と 6A のピーク・シンク電流に対応できます。このドライバは強化絶縁型であり、8kV ピークと 5.7kV RMS の絶縁電圧に耐えるほか、100V/ns を上回る CMTI（同相モード過渡電圧耐性）を達成しています。このリファレンス・デザインは、2 レベルのターンオフ回路を搭載しており、短絡のシナリオが発生した場合でも、これらの回路は MOSFET を電圧オーバーシュートから保護します。2 番目のターンオフ回路で、DESAT 検出スレッショルドと遅延時間が構成可能です。フォールト信号とリセット信号のインターフェイスを目的として、ISO7721-Q1 デジタル・アイソレータを実装済みです。回路全体が、40mm × 40mm.の小型フォーム・ファクタを採用した 2 層 PCB ボードに搭載されています。
特長
- SiC MOSFET をハーフ・ブリッジ構成で駆動する、小型のデュアル・チャネル・ゲート・ドライバ・ソリューション
- 4A のソース電流と 6V のピーク・シンク電流に対応する能力で、最大 500kHz のスイッチング周波数による SiC MOSFET、Si MOSFET、IGBT の駆動に最適
- 15V と -4V を出力する、小型、高効率の絶縁型バイアス電源を内蔵
- 2 レベルのターンオフ回路を個別実装して短絡から保護し、電流制限と遅延（ブランキング）時間を調整可能
- 100 V/ns を上回る高い CMTI を実現し、8kV ピークと 5.7kV RMS の電圧に耐える強化絶縁型
組み立てられたボードは、テストと性能検証のみの目的で開発されたものであり、販売していません。
設計ファイルと製品
設計ファイル
すぐに使用できるシステム・ファイルをダウンロードすると、設計プロセスを迅速化できます。
TIDRVT4A.PDF (55 K)
設計に使用したコンポーネント、参照指定子、メーカー名や型番などを記入した詳細なリスト
製品
設計や代替製品候補に TI 製品を含めます。
リニア・レギュレータと低ドロップアウト (LDO) レギュレータ
TPS7B69-Q1 — 車載、150mA、バッテリ直結対応 (40V)、高 PSRR、低静止電流 (IQ)、低ドロップアウト電圧レギュレータ
データシート: PDF | HTML絶縁型ゲート・ドライバ
UCC21530-Q1 — Automotive, 4A, 6A, 5.7kVRMS, isolated dual-channel gate driver with EN and DT pins for IGBT/SiC
データシート: PDF | HTML技術資料
= TI が選択した主要ドキュメント
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| 種類 | タイトル | 英語版のダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 設計ガイド | Automotive Dual-Channel, SiC MOSFET Gate Driver Reference Design (Rev. B) | 2020年 6月 3日 | |||
| ホワイト・ペーパー | Circuit Board Insulation Design According to IEC60664 for Motor Drive Apps | PDF | HTML | 2023年 8月 31日 | |||
| 設計ガイド | 車載、デュアルチャネル、SiC MOSFET ゲート・ドライバのリファレンス・デザイン (Rev. A 翻訳版) | 最新英語版 (Rev.B) | 2019年 7月 15日 | |||
| ホワイト・ペーパー | High-voltage reinforced isolation: Definitions and test methodologies | 2014年 10月 16日 |