JAJY121B September 2021 – April 2023 BQ25125 , LM5123-Q1 , LMR43610 , LMR43610-Q1 , LMR43620 , LMR43620-Q1 , TPS22916 , TPS3840 , TPS62840 , TPS63900 , TPS7A02
IQ-GND、ISHDN、VOUT の精度に関する変動はいずれも、特定のプロセス テクノロジーを使用する素子の製造能力に関する適切な指標になります。表 1、『TPS7A02 ナノパワー IQ、25nA、200mA、高速過渡応答の低ドロップアウト電圧レギュレータ』データシートのには、無負荷時の IGND が、-40℃～85℃の温度範囲で 25nA～60nA で変動することが記載されています。温度範囲内でのこの変動は、電流ミラーの不整合と IBIAS 生成制御能力を表しています。ISHDN は、室温で 3nA から 10nA の範囲で変動しており、パワー FET とデジタル ロジックのリーケージ制御に関する良好な指標になります。VOUT の精度は温度範囲全体にわたって誤差 1.5% 未満であり、スレッショルド未満領域での不整合の制御に関する良好な指標になります。