KOKY031B September   2021  – April 2023 BQ25125 , LM5123-Q1 , LMR43610 , LMR43610-Q1 , LMR43620 , LMR43620-Q1 , TPS22916 , TPS3840 , TPS62840 , TPS63900 , TPS7A02

 

  1.   1
  2.   개요
  3.   한눈에 보기
  4.   IQ의 기여 요소
  5.   저 IQ가 또다른 어려움으로 이어지는 이유
    1.     과도 응답
    2.     리플
    3.     잡음
    4.     다이 크기 및 솔루션 영역
    5.     누출 및 하위 임계값 작동
  6.   저 IQ 장애물을 무너뜨리는 방법
    1.     과도 응답 문제 해결
    2.     스위칭 잡음 문제 해결
    3.     기타 잡음 문제 해결
    4.     다이 크기 및 솔루션 영역 문제 해결
    5.     누출 및 하위 임계값 작동 문제 해결
  7.   전기적 특성
    1.     18
    2.     저 IQ 설계의 잠재적 시스템 문제 방지
    3.     유연성과 저 IQ를 함께.
    4.     차량용 애플리케이션에서 외부 부품 개수를 줄여 IQ를 낮춥니다
    5.     스마트 켜기에서 저 IQ를 지원하는 기능을 스마트하게 사용하거나 활성화 또는 시스템 수준에서 저 IQ를 지원하는 기능을 활성화
  8.   마무리
  9.   저 IQ의 주요 제품 카테고리

IQ-GND, ISHDN 및 VOUT 정확도의 변동은 모두 프로세스 기술 구성 요소의 제조 가능성을 나타내는 좋은 지표입니다. 표 1TPS7A02 나노전력 IQ, 25nA, 200mA, 빠른 과도 응답을 갖춘 저손실 전압 레귤레이터 데이터 시트는 무부하에서 IGND가 -40°C~85°C 온도 범위에서 25nA부터 60nA까지 다양하다는 것을 보여줍니다. 온도에 따른 이러한 변동은 전류 미러 불일치 및 IBIAS 생성 제어를 나타냅니다. ISHDN은 실온에서 3nA부터 10nA까지 다양하며, 전력 FET 및 디지털 로직 누출 제어를 나타내는 좋은 지표입니다. VOUT 정확도는 전체 온도 범위에서 <1.5% 미만이며, 이는 하위 임계값 불일치 제어를 나타내는 좋은 지표입니다.