NESY036B September   2021  – April 2023 BQ25125 , LM5123-Q1 , LMR43610 , LMR43610-Q1 , LMR43620 , LMR43620-Q1 , TPS22916 , TPS3840 , TPS62840 , TPS63900 , TPS7A02

 

  1.   1
  2.   概覽
  3.   摘要
  4.   影響 IQ 的因素
  5.   低 IQ 為何產生新挑戰
    1.     瞬態回應
    2.     漣波
    3.     雜訊
    4.     晶粒尺寸與解決方案面積
    5.     洩漏與低於閾值的操作
  6.   如何打破低 IQ 障礙
    1.     解決瞬態回應問題
    2.     解決切換雜訊問題
    3.     解決其他雜訊問題
    4.     解決晶粒尺寸與解決方案面積問題
    5.     解決洩漏與低於閾值的操作問題
  7.   電氣特性
    1.     18
    2.     避免低 IQ 設計中的潛在系統陷阱
    3.     實現低 IQ 但不犧牲靈活性
    4.     減少外部零組件數以降低汽車應用中的 IQ
    5.     智慧使用或在智慧使用支援低 IQ 的啟用功能，或啟用在系統層級支援低 IQ 的功能
  8.   結論
  9.   低 IQ的重要產品類別

解決洩漏與低於閾值的操作問題

TI 電源處理技術具備最佳低功耗設計元件。透過結合高密度電阻器和電容器及新興電路技術，來縮小 IQ 與晶粒面積。電源 FET 和數位邏輯可提供低洩漏電晶體並擁有最佳速度，因此不用犧牲 ISHDN 和面積。此外，在低 VGS-VT 位準下能夠對低於閾值的操作進行準確建模 (如 圖 18 所示)，因此可在微微安培/微米偏壓位準下提供可靠的運作。

GUID-20210902-SS0I-BL7Z-6PCK-84K8WT7S4NBS-low.gif圖 18 Sigma IDS 百分比不匹配與 VGS – VT。