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LM74722-Q1

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Idealer Diodencontroller mit niedrigem IQ für die Automobilindustrie mit 200-khz-aktiver Gleichricht

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LM74722-Q1

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Produktdetails

Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Enable, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.032 Iq (max) (mA) 0.038 TI functional safety category Functional Safety-Capable FET External back-to-back FET, External single FET IGate sink (typ) (mA) 2.1 IGate pulsed (typ) (A) 2.1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -6.5 Design support EVM Rating Automotive VGS (max) (V) 13 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.0035 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Enable, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.032 Iq (max) (mA) 0.038 TI functional safety category Functional Safety-Capable FET External back-to-back FET, External single FET IGate sink (typ) (mA) 2.1 IGate pulsed (typ) (A) 2.1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -6.5 Design support EVM Rating Automotive VGS (max) (V) 13 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.0035 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
WSON (DRR) 12 9 mm² 3 x 3
  • AEC-Q100 qualified with the following results
    • Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
    • Device HBM ESD classification level 2
    • Device CDM ESD classification level C4B
  • 3-V to 65-V input range
  • Reverse input protection down to –65 V
  • Low quiescent current 35 µA (max) in operation
  • Low 3.3-µA (max) shutdown current (EN = Low)
  • Ideal diode operation with 13-mV A to C forward voltage drop regulation
  • Drives external back-to-back N-Channel MOSFETs
  • Integrated 30-mA boost regulator
  • Active rectification up to 200 kHz
  • Fast response to reverse current blocking: 0.5 µs
  • Fast forward GATE turn ON delay: 0.72 µs
  • Adjustable overvoltage protection
  • Meets automotive ISO7637 transient requirements with a suitable TVS diode
  • Available in space saving 12-pin WSON package
  • AEC-Q100 qualified with the following results
    • Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
    • Device HBM ESD classification level 2
    • Device CDM ESD classification level C4B
  • 3-V to 65-V input range
  • Reverse input protection down to –65 V
  • Low quiescent current 35 µA (max) in operation
  • Low 3.3-µA (max) shutdown current (EN = Low)
  • Ideal diode operation with 13-mV A to C forward voltage drop regulation
  • Drives external back-to-back N-Channel MOSFETs
  • Integrated 30-mA boost regulator
  • Active rectification up to 200 kHz
  • Fast response to reverse current blocking: 0.5 µs
  • Fast forward GATE turn ON delay: 0.72 µs
  • Adjustable overvoltage protection
  • Meets automotive ISO7637 transient requirements with a suitable TVS diode
  • Available in space saving 12-pin WSON package

The LM74722-Q1 ideal diode controller drives and controls external back-to-back N-Channel MOSFETs to emulate an ideal diode rectifier with power path ON and OFF control and overvoltage protection. The wide input supply of 3 V to 65 V allows protection and control of 12-V and 24-V automotive battery powered ECUs. The device can withstand and protect the loads from negative supply voltages down to –65 V. An integrated ideal diode controller (GATE) drives the first MOSFET to replace a Schottky diode for reverse input protection and output voltage holdup. A strong boost regulator with fast turn-ON and OFF comparators ensures robust and efficient MOSFET switching performance during automotive testing, such as ISO16750 or LV124, where an ECU is subjected to input short interruptions and AC superimpose input signals up to 200-kHz frequency. Low quiescent current 35 µA (maximum) in operation enables always ON system designs. With a second MOSFET in the power path, the device allows load disconnect control using EN pin. Quiescent current reduces to 3.3 µA (maximum) with EN low. The device features an adjustable overvoltage cutoff or overvoltage clamp protection using OV pin.

The LM74722-Q1 ideal diode controller drives and controls external back-to-back N-Channel MOSFETs to emulate an ideal diode rectifier with power path ON and OFF control and overvoltage protection. The wide input supply of 3 V to 65 V allows protection and control of 12-V and 24-V automotive battery powered ECUs. The device can withstand and protect the loads from negative supply voltages down to –65 V. An integrated ideal diode controller (GATE) drives the first MOSFET to replace a Schottky diode for reverse input protection and output voltage holdup. A strong boost regulator with fast turn-ON and OFF comparators ensures robust and efficient MOSFET switching performance during automotive testing, such as ISO16750 or LV124, where an ECU is subjected to input short interruptions and AC superimpose input signals up to 200-kHz frequency. Low quiescent current 35 µA (maximum) in operation enables always ON system designs. With a second MOSFET in the power path, the device allows load disconnect control using EN pin. Quiescent current reduces to 3.3 µA (maximum) with EN low. The device features an adjustable overvoltage cutoff or overvoltage clamp protection using OV pin.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
* Data sheet LM74722-Q1 Automotive Low IQ Ideal Diode Controller with 200-kHz Active Rectification and Load Dump Protection datasheet (Rev. B) PDF | HTML 04 Aug 2022
Technical article 3 ways to design a low quiescent-current (Iq) automotive reverse battery protectio PDF | HTML 18 Nov 2021
Application note Basics of Ideal Diodes (Rev. B) PDF | HTML 05 Okt 2021
Application brief Active Rectification and its Advantages in Automotive ECU Designs PDF | HTML 29 Sep 2021
User guide LM7472EVM: Evaluation Module for LM74720-Q1 & LM74722-Q1 Ideal Diode Controllers PDF | HTML 15 Sep 2021
Analog Design Journal Automotive EMC-compliant reverse-battery protection with ideal-diode controllers 22 Sep 2020

Design und Entwicklung

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Evaluierungsplatine

LM7472EVM — LM74720-Q1 und LM74722-Q1 Evaluierungsmodul für ideale Diodencontroller

Das Evaluierungsmodul LM7472EVM von TI unterstützt Entwickler bei der Evaluierung des Betriebs und der Leistungsfähigkeit der idealen Diodencontroller LM74720-Q1nbsp;und LM74722-Q1nbsp;in Anwendungen mit Rückwärtsbatterieschutz. Dieses Evaluierungsmodul demonstriert, wie der LM7472x-Q1nbsp;mit (...)

Benutzerhandbuch: PDF | HTML
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Simulationsmodell

LM7472x-Q1 PSpice Transient Model

SLVMDO2.ZIP (84 KB) - PSpice Model
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Berechnungstool

FET-INRUSH-SOA-CALC — FET SOA margin calculator for dvdt based startup

The design calculator allows user to estimate the FET SOA margin while starting up with dVdt based startup for inrush current control
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
Ideale Diode und ODER-verknüpfende Controller
LM74502 — Industrieller RPP-Controller, 3,2 V bis 65 V, mit Lasttrennung und OVP LM74502-Q1 — Verpolungsschutz-Controller, Überspannungsschutz, Gate-Antriebsstärke 60 μA, für die Automobilindust LM74502H — 3,2-V- bis 65-V-RPP-Controller für industrielle Anwendungen mit Lasttrennung, Überspannungsschutz un LM74502H-Q1 — Verpolungsschutz-Controller, Überspannungsschutz, Gate-Antriebsstärke 11 mA, für die Automobilindust LM74720-Q1 — Idealer Diodencontroller mit niedrigem IQ für die Automobilindustrie mit aktiver Gleichrichtung und LM74721-Q1 — Idealer Diodencontroller, ohne TVS mit niedrigem IQ und Verpolungsschutz für die Automobilindustrie, LM74722-Q1 — Idealer Diodencontroller mit niedrigem IQ für die Automobilindustrie mit 200-khz-aktiver Gleichricht LM7480 — Idealer Diodencontroller, 3 bis 65 V Back-to-Back NFET, –55 bis 125 Grad Celsius LM7480-Q1 — 3 bis 65 V, idealer Diodencontroller für den Automobilbereich, der Back-to-Back-NFETs antreibt LM7481 — Ideal für Back-to-Back-NFET geeigneter Diodencontroller mit 3 bis 65 V und hohem Gate-Treiber, -55 b LM7481-Q1 — Idealer Diodenregler mit aktiver Gleichrichtung, der B2B NFETs ansteuert für die Automobilindustrie
Highside-Schalt-Controller
TPS1200-Q1 — Highside-Treiber für die Automobilindustrie, 45V, mit Schutz- und Diagnosefunktionen, niedriger Ruhe TPS1210-Q1 — Automotive, 45V low-Iq dual high-side driver with short circuit protection and diagnostics TPS1211-Q1 — Automotive, 3.5V to 45V high-side driver with protection and diagnostics TPS1213-Q1 — Highside-Treiber für die Automobilindustrie, 45V, niedriger Ruhestrom, mit Energiesparmodus und eins TPS1214-Q1 — Highside-Schalter-Controller für die Automobilindustrie mit niedrigem IQ, energieeffizient, Lastaufw TPS4800-Q1 — Highside-Treiber für die Automobilindustrie, 100 V, mit Schutz- und Diagnosefunktionen, niedriger Ru TPS4810-Q1 — Zweifach-Highside-Treiber für die Automobilindustrie, 100 V, niedriger Ruhestrom, mit Kurzschlusssch TPS4811-Q1 — Automotive, 3.5V to 100V high-side driver with protection and diagnostics TPS4813-Q1 — Highside-Treiber für die Automobilindustrie, 100 V, niedriger Ruhestrom, mit Energiesparmodus und ei
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Simulationstool

PSPICE-FOR-TI — PSpice® für TI Design-und Simulationstool

PSpice® für TI ist eine Design- und Simulationsumgebung, welche Sie dabei unterstützt, die Funktionalität analoger Schaltungen zu evaluieren. Diese voll ausgestattete Design- und Simulationssuite verwendet eine analoge Analyse-Engine von Cadence®. PSpice für TI ist kostenlos erhältlich und (...)
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Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
WSON (DRR) 12 Ultra Librarian
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