Startseite Energiemanagement Leistungsschalter Ideale Diode und ODER-verknüpfende Controller
Startseite
Energiemanagement
Leistungsschalter
Ideale Diode und ODER-verknüpfende Controller

LM7481

AKTIV

Ideal für Back-to-Back-NFET geeigneter Diodencontroller mit 3 bis 65 V und hohem Gate-Treiber, -55 b

Jetzt bestellen
Datenblatt

LM7481

AKTIV
Datenblatt Jetzt bestellen

Produktdetails

Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.428 Iq (max) (mA) 0.5 FET External back-to-back FET IGate source (typ) (µA) 60000 IGate sink (typ) (mA) 1500 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -55 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model Rating Catalog Imax (A) 350 VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.428 Iq (max) (mA) 0.5 FET External back-to-back FET IGate source (typ) (µA) 60000 IGate sink (typ) (mA) 1500 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -55 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model Rating Catalog Imax (A) 350 VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
WSON (DRR) 12 9 mm² 3 x 3
  • Qualified for extended temperature applications
    • Device temperature: –55°C to +125°C ambient operating temperature range
  • 3-V to 65-V input range
  • Reverse input protection down to –65 V
  • Drives external back to back N-channel MOSFETs
  • Ideal diode operation with 9.1-mV A to C forward voltage drop regulation
  • Low reverse detection threshold (–4 mV) with fast response (0.5 µs)
  • Active rectification up to 200-KHz
  • 60-mA peak gate (DGATE) turn-on current
  • 2.6-A peak DGATE turnoff current
  • Integrated 3.8-mA charge pump
  • Adjustable overvoltage protection
  • Low 2.87-µA shutdown current (EN/UVLO=Low)
  • 2.6-A peak DGATE turn-off current
  • Meets automotive ISO7637 transient requirements with a suitable TVS diode
  • Available in space saving 12-pin WSON package
  • Qualified for extended temperature applications
    • Device temperature: –55°C to +125°C ambient operating temperature range
  • 3-V to 65-V input range
  • Reverse input protection down to –65 V
  • Drives external back to back N-channel MOSFETs
  • Ideal diode operation with 9.1-mV A to C forward voltage drop regulation
  • Low reverse detection threshold (–4 mV) with fast response (0.5 µs)
  • Active rectification up to 200-KHz
  • 60-mA peak gate (DGATE) turn-on current
  • 2.6-A peak DGATE turnoff current
  • Integrated 3.8-mA charge pump
  • Adjustable overvoltage protection
  • Low 2.87-µA shutdown current (EN/UVLO=Low)
  • 2.6-A peak DGATE turn-off current
  • Meets automotive ISO7637 transient requirements with a suitable TVS diode
  • Available in space saving 12-pin WSON package

The LM74810 ideal diode controller drives and controls external back to back N-channel MOSFETs to emulate an ideal diode rectifier with power path ON/OFF control and overvoltage protection. The wide input supply of 3V to 65V allows protection and control of 12-V and 24-V input powered systems. The device can withstand and protect the loads from negative supply voltages down to –65-V. An integrated ideal diode controller (DGATE) drives the first MOSFET to replace a Schottky diode for reverse input protection and output voltage holdup. With a second MOSFET in the power path the device allows load disconnect (ON/OFF control) and overvoltage protection using HGATE control. The device features an adjustable overvoltage cut-off protection feature. LM74810 employs reverse current blocking using linear regulation and comparator scheme. With common drain configuration of the power MOSFETs, the mid-point can be utilized for OR-ing designs using another ideal diode. The LM74810 has a maximum voltage rating of 65V. The loads can be protected from extended overvoltage transients like 200-V unsuppressed load dumps in 24-V battery systems by configuring the device with external MOSFETs in common source topology.

The LM74810 ideal diode controller drives and controls external back to back N-channel MOSFETs to emulate an ideal diode rectifier with power path ON/OFF control and overvoltage protection. The wide input supply of 3V to 65V allows protection and control of 12-V and 24-V input powered systems. The device can withstand and protect the loads from negative supply voltages down to –65-V. An integrated ideal diode controller (DGATE) drives the first MOSFET to replace a Schottky diode for reverse input protection and output voltage holdup. With a second MOSFET in the power path the device allows load disconnect (ON/OFF control) and overvoltage protection using HGATE control. The device features an adjustable overvoltage cut-off protection feature. LM74810 employs reverse current blocking using linear regulation and comparator scheme. With common drain configuration of the power MOSFETs, the mid-point can be utilized for OR-ing designs using another ideal diode. The LM74810 has a maximum voltage rating of 65V. The loads can be protected from extended overvoltage transients like 200-V unsuppressed load dumps in 24-V battery systems by configuring the device with external MOSFETs in common source topology.
filter Andere Ideale Diode und ODER-verknüpfende Controller suchen
Herunterladen Video mit Transkript ansehen Video

Technische Dokumentation

star =Von TI ausgewählte Top-Empfehlungen für dieses Produkt
Keine Ergebnisse gefunden. Bitte geben Sie einen anderen Begriff ein und versuchen Sie es erneut.
Alle anzeigen 1
Typ Titel Datum
* Data sheet LM7481 3-V to 65-V Ideal Diode Controller Driving Back to Back NFETs datasheet PDF | HTML 22 Dez 2022

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

LM74810EVM — LM7481-Q1 Evaluierungsmodul für Idealen Dioden-Controller

Das Evaluierungsmodul LM74810EVM von TI unterstützt Designer bei der Evaluierung des Betriebs und der Leistung des idealen LM7481-Q1-Diodencontrollers (LM74810QDRR) in Verpolungsschutz-Batterieanwendungen. Dieses Evaluierungsmodul demonstriert die Fähigkeit des idealen Diodencontrollers LM7481-Q1, (...)
Benutzerhandbuch: PDF | HTML
Nicht verfügbar auf TI.com
Berechnungstool

FET-INRUSH-SOA-CALC — FET SOA margin calculator for dvdt based startup

The design calculator allows user to estimate the FET SOA margin while starting up with dVdt based startup for inrush current control
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
Ideale Diode und ODER-verknüpfende Controller
LM74502 — Industrieller RPP-Controller, 3,2 V bis 65 V, mit Lasttrennung und OVP LM74502-Q1 — Verpolungsschutz-Controller, Überspannungsschutz, Gate-Antriebsstärke 60 μA, für die Automobilindust LM74502H — 3,2-V- bis 65-V-RPP-Controller für industrielle Anwendungen mit Lasttrennung, Überspannungsschutz un LM74502H-Q1 — Verpolungsschutz-Controller, Überspannungsschutz, Gate-Antriebsstärke 11 mA, für die Automobilindust LM74720-Q1 — Idealer Diodencontroller mit niedrigem IQ für die Automobilindustrie mit aktiver Gleichrichtung und LM74721-Q1 — Idealer Diodencontroller, ohne TVS mit niedrigem IQ und Verpolungsschutz für die Automobilindustrie, LM74722-Q1 — Idealer Diodencontroller mit niedrigem IQ für die Automobilindustrie mit 200-khz-aktiver Gleichricht LM7480 — Idealer Diodencontroller, 3 bis 65 V Back-to-Back NFET, –55 bis 125 Grad Celsius LM7480-Q1 — 3 bis 65 V, idealer Diodencontroller für den Automobilbereich, der Back-to-Back-NFETs antreibt LM7481 — Ideal für Back-to-Back-NFET geeigneter Diodencontroller mit 3 bis 65 V und hohem Gate-Treiber, -55 b LM7481-Q1 — Idealer Diodenregler mit aktiver Gleichrichtung, der B2B NFETs ansteuert für die Automobilindustrie
Highside-Schalt-Controller
TPS1200-Q1 — Highside-Treiber für die Automobilindustrie, 45V, mit Schutz- und Diagnosefunktionen, niedriger Ruhe TPS1210-Q1 — Automotive, 45V low-Iq dual high-side driver with short circuit protection and diagnostics TPS1211-Q1 — Automotive, 3.5V to 45V high-side driver with protection and diagnostics TPS1213-Q1 — Highside-Treiber für die Automobilindustrie, 45V, niedriger Ruhestrom, mit Energiesparmodus und eins TPS1214-Q1 — Highside-Schalter-Controller für die Automobilindustrie mit niedrigem IQ, energieeffizient, Lastaufw TPS4800-Q1 — Highside-Treiber für die Automobilindustrie, 100 V, mit Schutz- und Diagnosefunktionen, niedriger Ru TPS4810-Q1 — Zweifach-Highside-Treiber für die Automobilindustrie, 100 V, niedriger Ruhestrom, mit Kurzschlusssch TPS4811-Q1 — Automotive, 3.5V to 100V high-side driver with protection and diagnostics
Herunterladen
Simulationstool

PSPICE-FOR-TI — PSpice® für TI Design-und Simulationstool

PSpice® für TI ist eine Design- und Simulationsumgebung, welche Sie dabei unterstützt, die Funktionalität analoger Schaltungen zu evaluieren. Diese voll ausgestattete Design- und Simulationssuite verwendet eine analoge Analyse-Engine von Cadence®. PSpice für TI ist kostenlos erhältlich und (...)
Anfordern
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
WSON (DRR) 12 Ultra Librarian
Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

Bestellen & Qualität

Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.

Support und Schulungen

TI E2E™-Foren mit technischem Support von TI-Ingenieuren

Alle Forenthemen auf Englisch anzeigen

Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.

Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support. ​​​​​​​​​​​​​​

Videos