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LM2103

ACTIVO

Controlador de compuerta de medio puente de 107 V, 0.5 A/0.8 A con UVLO de 8 V, tiempo muerto y p

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LM2103

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Detalles del producto

Bootstrap supply voltage (max) (V) 107 Power switch IGBT, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 18 Peak output current (A) 0.65 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Fall time (ns) 18 Iq (mA) 0.0333 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Inverting, Noninverting Switch node voltage (V) -1 Features Dead time control Driver configuration Single input
Bootstrap supply voltage (max) (V) 107 Power switch IGBT, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 18 Peak output current (A) 0.65 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Fall time (ns) 18 Iq (mA) 0.0333 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Inverting, Noninverting Switch node voltage (V) -1 Features Dead time control Driver configuration Single input
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Drives two N-channel MOSFETs in half-bridge configuration
  • 8-V typical undervoltage lockout on GVDD
  • 107-V absolute maximum voltage on BST
  • –19.5-V absolute maximum negative transient voltage handling on SH
  • 0.5-A/0.8-A peak source/sink currents
  • 475-ns typical fixed internal dead-time
  • Built-in cross conduction prevention
  • 115-ns typical propagation delay
  • Inverting input pin INL
  • Drives two N-channel MOSFETs in half-bridge configuration
  • 8-V typical undervoltage lockout on GVDD
  • 107-V absolute maximum voltage on BST
  • –19.5-V absolute maximum negative transient voltage handling on SH
  • 0.5-A/0.8-A peak source/sink currents
  • 475-ns typical fixed internal dead-time
  • Built-in cross conduction prevention
  • 115-ns typical propagation delay
  • Inverting input pin INL

The LM2103 is a compact, high-voltage gate driver designed to drive both the high-side and the low-side N-channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The INL inverting input allows the driver to be used in either dual or single PWM input applications.

The fixed dead-time and the –1-V DC and –19.5-V transient negative voltage handling on the SH pin improve the system robustness in high noise applications. The LM2103 is available in an 8-pin SOIC package compatible with industry standard pinouts. Undervoltage lockout (UVLO) is provided on both the low-side and the high-side power rails for protection during power up and power down.

The LM2103 is a compact, high-voltage gate driver designed to drive both the high-side and the low-side N-channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The INL inverting input allows the driver to be used in either dual or single PWM input applications.

The fixed dead-time and the –1-V DC and –19.5-V transient negative voltage handling on the SH pin improve the system robustness in high noise applications. The LM2103 is available in an 8-pin SOIC package compatible with industry standard pinouts. Undervoltage lockout (UVLO) is provided on both the low-side and the high-side power rails for protection during power up and power down.
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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
* Data sheet LM2103 107-V, 0.5-A/0.8-A Half-Bridge Driver with 8-V UVLO, Dead Time, and Inverting Input datasheet (Rev. A) PDF | HTML 09 ago 2023
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Diseño y desarrollo

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