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Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)

LMG3616

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FET de GaN de 650 V y 270 mΩ con controlador y protección integrados

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LMG3616

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Detalles del producto

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 270 ID (max) (A) 3.6 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 270 ID (max) (A) 3.6 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REQ) 38 42.4 mm² 8 x 5.3
  • 650-V 270-mΩ GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 55 µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26 V
  • 8 mm × 5.3 mm QFN package with thermal pad
  • 650-V 270-mΩ GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 55 µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26 V
  • 8 mm × 5.3 mm QFN package with thermal pad

The LMG3616 is a 650-V 270-mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3616 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8-mm by 5.3-mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control.

The LMG3616 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO) and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.

The LMG3616 is a 650-V 270-mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3616 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8-mm by 5.3-mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control.

The LMG3616 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO) and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.
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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
* Data sheet LMG3616650-V270-mΩ GaN FET With Integrated Driver datasheet PDF | HTML 14 nov 2023
Technical article The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies PDF | HTML 30 ene 2024
Product overview Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs PDF | HTML 28 nov 2023

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

Placa de evaluación

LMG3626EVM-074 — Módulo de evaluación LMG3626 para convertidor de retorno cuasirresonante de 65 W con USB-C® PD

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Guía del usuario: PDF | HTML
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Herramienta de cálculo

LMG36XX-CALC — LMG36XX Quasi-Resonant Flyback Power Stage Design Calculator

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Productos y hardware compatibles

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Productos
Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
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Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
VQFN (REQ) 38 Ultra Librarian
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Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Soporte y capacitación

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