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Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
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LMG3624

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Transistor de efecto de campo (FET) de GaN de 650 V y 170 mΩ con controlador, protección y detección

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LMG3624

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Detalles del producto

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, USB C/PD compatible, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, USB C/PD compatible, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REQ) 38 42.4 mm² 8 x 5.3
  • 650V 170mΩ GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high bandwidth and high accuracy
  • Cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 240µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26V
  • 8mm × 5.3mm QFN package with thermal pad
  • 650V 170mΩ GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high bandwidth and high accuracy
  • Cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 240µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26V
  • 8mm × 5.3mm QFN package with thermal pad

The LMG3624 is a 650V 170mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3624 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8mm by 5.3mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The LMG3624 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.

The LMG3624 is a 650V 170mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3624 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8mm by 5.3mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The LMG3624 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.
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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
* Data sheet LMG3624 650V 170 mΩ GaN FET With Integrated Driver and Current-Sense Emulation datasheet (Rev. A) PDF | HTML 12 jun 2024
Technical article The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies PDF | HTML 30 ene 2024
Application brief Maximize System Efficiency With Integrated Current Sensing From TI GaN PDF | HTML 30 nov 2023
Product overview Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs PDF | HTML 28 nov 2023

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

Placa de evaluación

LMG3624EVM-081 — Módulo de evaluación LMG3624 para convertidor de retorno cuasirresonante de 65 W con USB-C® PD

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Guía del usuario: PDF | HTML
No disponible en TI.com
Herramienta de cálculo

LMG36XX-CALC — LMG36XX Quasi-Resonant Flyback Power Stage Design Calculator

The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use LMG36XX integrated GaN FET. Calculations are provided for frequency, voltage/current stresses, and losses in converter.
Productos y hardware compatibles

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Productos
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LMG3612 — FET de GaN de 650 V y 120 mΩ con controlador y protección integrados LMG3616 — FET de GaN de 650 V y 270 mΩ con controlador y protección integrados LMG3622 — FET de GaN de 650 V y 120 mΩ con controlador, protección y detección de corriente integrados LMG3624 — Transistor de efecto de campo (FET) de GaN de 650 V y 170 mΩ con controlador, protección y detección LMG3626 — FET de GaN de 650 V y 270 mΩ con controlador, protección y detección de corriente integrados
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Diseños de referencia

TIDA-050072 — Diseño de referencia del adaptador USB‑C PD3.0 USB basado en GaN de 65 W

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Design guide: PDF
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
VQFN (REQ) 38 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Soporte y capacitación

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