Inicio Gestión de la energía Power stages Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
Inicio
Gestión de la energía
Power stages
Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
NUEVO

LMG3624

ACTIVO

Transistor de efecto de campo (FET) de GaN de 650 V y 170 mΩ con controlador, protección y detección

Haga su pedido ahora
Hoja de datos

LMG3624

ACTIVO
Hoja de datos Haga su pedido ahora

Detalles del producto

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REQ) 38 42.4 mm² 8 x 5.3
  • 650V 170mΩ GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high bandwidth and high accuracy
  • Cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 240µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26V
  • 8mm × 5.3mm QFN package with thermal pad
  • 650V 170mΩ GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high bandwidth and high accuracy
  • Cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 240µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26V
  • 8mm × 5.3mm QFN package with thermal pad

The LMG3624 is a 650V 170mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3624 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8mm by 5.3mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The LMG3624 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.

The LMG3624 is a 650V 170mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3624 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8mm by 5.3mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The LMG3624 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.
filter Buscar otro/a Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
Descargar Ver vídeo con transcripción Video

Documentación técnica

star =Principal documentación para este producto seleccionada por TI
No se encontraron resultados. Borre su búsqueda y vuelva a intentarlo.
Ver todo 4
Tipo Título Fecha
* Data sheet LMG3624 650V 170 mΩ GaN FET With Integrated Driver and Current-Sense Emulation datasheet (Rev. A) PDF | HTML 12 jun 2024
Technical article The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies PDF | HTML 30 ene 2024
Application brief Maximize System Efficiency With Integrated Current Sensing From TI GaN PDF | HTML 30 nov 2023
Product overview Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs PDF | HTML 28 nov 2023

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

Placa de evaluación

LMG3624EVM-081 — Módulo de evaluación LMG3624 para convertidor de retorno cuasirresonante de 65 W con USB-C® PD

En el módulo LMG3624EVM-081, se demuestra una eficiencia y una densidad altas para un adaptador USB-C® Power Delivery (PD) fuera de línea de 65 W mediante el controlador LMG3624 GaN FET integrado con emulación de detección de corriente. La entrada admite una tensión universal de 90 VCA a 265 VCA y (...)

Guía del usuario: PDF | HTML
No disponible en TI.com
Herramienta de cálculo

LMG36XX-CALC — LMG36XX Quasi-Resonant Flyback Power Stage Design Calculator

The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use LMG36XX integrated GaN FET. Calculations are provided for frequency, voltage/current stresses, and losses in converter.
Productos y hardware compatibles

Productos y hardware compatibles

Productos
Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
LMG3612 — FET de GaN de 650 V y 120 mΩ con controlador y protección integrados LMG3616 — FET de GaN de 650 V y 270 mΩ con controlador y protección integrados LMG3622 — FET de GaN de 650 V y 120 mΩ con controlador, protección y detección de corriente integrados LMG3624 — Transistor de efecto de campo (FET) de GaN de 650 V y 170 mΩ con controlador, protección y detección LMG3626 — FET de GaN de 650 V y 270 mΩ con controlador, protección y detección de corriente integrados
Descargar
Diseños de referencia

TIDA-050072 — Diseño de referencia del adaptador USB‑C PD3.0 USB basado en GaN de 65 W

Este diseño de referencia es un adaptador USB PD3.0 de 65 W diseñado para muchas aplicaciones de carga, incluidos teléfonos móviles, computadoras portátiles y tabletas. El diseño logra una alta eficiencia y densidad de potencia con el uso del transistor de efecto campo (FET) de nitruro de galio (...)
Design guide: PDF
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
VQFN (REQ) 38 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Soporte y capacitación

Foros de TI E2E™ con asistencia técnica de los ingenieros de TI

Ver todos los temas del foro en inglés

El contenido lo proporcionan “tal como está” TI y los colaboradores de la comunidad y no constituye especificaciones de TI. Consulte los términos de uso.

Si tiene preguntas sobre la calidad, el paquete o el pedido de productos de TI, consulte el soporte de TI. ​​​​​​​​​​​​​​

Videos