DRV8161

プレビュー

シングル電流センス アンプ搭載、最大 105V、シングル、ハーフブリッジ スマート ゲート ドライバ

製品詳細

Rating Automotive Architecture Gate driver Vs (min) (V) 8 Features 1x low side current sense Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Automotive Architecture Gate driver Vs (min) (V) 8 Features 1x low side current sense Operating temperature range (°C) -40 to 125
VSSOP (DGS) 20 24.99 mm² 5.1 x 4.9
  • ハーフブリッジ構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動
    • ハイサイド MOSFET ソース / ドレイン最大 102V (絶対最大定格)
    • 8V (5V DRV8162L)~20V のゲート ドライブ電源
    • ブートストラップ ダイオードを内蔵
  • 16 レベルのゲート ドライブ ピーク電流
    • 16mA~1000mA ソース電流
    • 32mA~2000mA シンク電流
    • ソース - シンク電流比 1:1、1:2、1:3
  • 可変 PWM デッド タイム挿入 20ns~400ns
  • モーター位相 (SH) スイッチング向けの堅牢な設計
    • スルーレート 20V/µs
    • 負の過渡電圧 -20V
    • 2A の強力なゲート プルダウン
  • 冗長シャットダウン用にゲート駆動電源入力を分割 (DRV8162、DRV8162L)
  • 低オフセットの電流センス アンプ (DRV8161)
    • 可変ゲイン (5、10、20、40V/V)
  • 柔軟な PWM 制御インターフェイス、2 ピン PWM、独立 PWM モード
  • 13 レベル VDS 過電流スレッショルド
  • 独立したシャットダウン ピン (nDRVOFF)
  • ゲート ドライバ ソフト シャットダウン シーケンス
  • 保護機能内蔵
    • GVDD 低電圧 (GVDDUV)
    • ブートストラップ低電圧 (BST_UV)
    • MOSFET 過電流保護 (VDS)
    • 貫通電流保護
    • サーマル シャットダウン (OTSD)
    • フォルト状態インジケータ (nFAULT)
  • 3.3V および 5V のロジック入力をサポート
  • ハーフブリッジ構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動
    • ハイサイド MOSFET ソース / ドレイン最大 102V (絶対最大定格)
    • 8V (5V DRV8162L)~20V のゲート ドライブ電源
    • ブートストラップ ダイオードを内蔵
  • 16 レベルのゲート ドライブ ピーク電流
    • 16mA~1000mA ソース電流
    • 32mA~2000mA シンク電流
    • ソース - シンク電流比 1:1、1:2、1:3
  • 可変 PWM デッド タイム挿入 20ns~400ns
  • モーター位相 (SH) スイッチング向けの堅牢な設計
    • スルーレート 20V/µs
    • 負の過渡電圧 -20V
    • 2A の強力なゲート プルダウン
  • 冗長シャットダウン用にゲート駆動電源入力を分割 (DRV8162、DRV8162L)
  • 低オフセットの電流センス アンプ (DRV8161)
    • 可変ゲイン (5、10、20、40V/V)
  • 柔軟な PWM 制御インターフェイス、2 ピン PWM、独立 PWM モード
  • 13 レベル VDS 過電流スレッショルド
  • 独立したシャットダウン ピン (nDRVOFF)
  • ゲート ドライバ ソフト シャットダウン シーケンス
  • 保護機能内蔵
    • GVDD 低電圧 (GVDDUV)
    • ブートストラップ低電圧 (BST_UV)
    • MOSFET 過電流保護 (VDS)
    • 貫通電流保護
    • サーマル シャットダウン (OTSD)
    • フォルト状態インジケータ (nFAULT)
  • 3.3V および 5V のロジック入力をサポート

DRV816x は、ハイサイドおよびローサイドの N チャネル パワー MOSFET を駆動できる、ハーフ ブリッジ ゲート ドライバです。ゲート駆動電圧は GVDD 電源ピンから生成され、内蔵ブートストラップ回路はハイサイド FET を最大 102V ドレインまで駆動するために使用されます。スマート ゲート ドライブ アーキテクチャは、最大でソース 1A、シンク 2A の 16 レベル (48 通りの組み合わせ) のゲート駆動ピーク電流をサポートし、ゲート駆動電流の内蔵タイミング制御機能も搭載しています。これらのデバイスを使用して、ブラシレス / ブラシ付き DC モータ、PMSM、ステッピング モータ、SRM、ソレノイドなど、各種の負荷を駆動できます。

電源低電圧、FET 過電流、ダイ過熱に対する保護機能が内蔵されています。nFAULT ピンは、保護機能によって検出されたフォルト イベントを通知します。nDRVOFF ピンは、PWM 制御から独立して電力段のシャットダウンを開始します。DRV8162 および DRV8162L デバイスは、セーフ トルク オフ (STO) 機能を補助するために、分割電源アーキテクチャを採用しています。

ゲート駆動電流、デッドタイム、PWM 制御インターフェイス、過電流検出など、デバイスの多くのパラメータは、いくつかの受動部品をデバイスのピンに接続して構成できます。内蔵のローサイド電流センス アンプ (DRV8161) は、電流測定情報をコントローラに返します。

DRV816x は、ハイサイドおよびローサイドの N チャネル パワー MOSFET を駆動できる、ハーフ ブリッジ ゲート ドライバです。ゲート駆動電圧は GVDD 電源ピンから生成され、内蔵ブートストラップ回路はハイサイド FET を最大 102V ドレインまで駆動するために使用されます。スマート ゲート ドライブ アーキテクチャは、最大でソース 1A、シンク 2A の 16 レベル (48 通りの組み合わせ) のゲート駆動ピーク電流をサポートし、ゲート駆動電流の内蔵タイミング制御機能も搭載しています。これらのデバイスを使用して、ブラシレス / ブラシ付き DC モータ、PMSM、ステッピング モータ、SRM、ソレノイドなど、各種の負荷を駆動できます。

電源低電圧、FET 過電流、ダイ過熱に対する保護機能が内蔵されています。nFAULT ピンは、保護機能によって検出されたフォルト イベントを通知します。nDRVOFF ピンは、PWM 制御から独立して電力段のシャットダウンを開始します。DRV8162 および DRV8162L デバイスは、セーフ トルク オフ (STO) 機能を補助するために、分割電源アーキテクチャを採用しています。

ゲート駆動電流、デッドタイム、PWM 制御インターフェイス、過電流検出など、デバイスの多くのパラメータは、いくつかの受動部品をデバイスのピンに接続して構成できます。内蔵のローサイド電流センス アンプ (DRV8161) は、電流測定情報をコントローラに返します。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート DRV816x 保護機能および電流センス アンプ搭載、100V ハーフブリッジ スマート ゲート ドライバ データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2024年 8月 13日
EVM ユーザー ガイド (英語) DRV8161 Evaluation Module User's Guide PDF | HTML 2024年 4月 26日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

DRV8161EVM — DRV8161 の評価基板

DRV8161 評価基板 (EVM) は、BLDC モーター向けの DRV8161 ゲート ドライバを 3 個使用する、30A の 3 相ブラシレス DC ドライブ段です。この評価基板 (EVM) を使用すると、台形波による整流と制御を通じて BLDC モーターを駆動する DRV8161 デバイスを迅速に評価できます。
ユーザー ガイド: PDF | HTML
設計ツール

DRV8161EVM Hardware Design Files

SLVRBO6.ZIP (13503 KB)
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
VSSOP (DGS) 20 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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