EMB1412
- Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce
Output Current Variation - 7 A Sink/3 A Source Current
- Fast Propagation Times (25 ns Typical)
- Fast Rise and Fall Times (14 ns/12 ns Rise
Fall with 2 nF Load) - Inverting and Non-Inverting Inputs Provide
Either Configuration with a Single Device - Supply Rail Under-Voltage Lockout Protection
- Dedicated Input Ground (IN_REF) for Split
Supply or Single Supply Operation - Thermally Enhanced 8-Pin VSSOP Package
- Output Swings from VCC to VEE Which can
be Negative Relative to Input Ground
The EMB1412 MOSFET gate driver provides high peak gate drive current in 8-lead exposed-pad VSSOP package, with improved power dissipation required for high frequency operation. The compound output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 7-A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Under-voltage lockout protection is provided to prevent damage to the MOSFET due to insufficient gate turn-on voltage. The EMB1412 provides both inverting and non-inverting inputs to satisfy requirements for inverting and non-inverting gate drive with a single device type.
技術資料
設計および開発
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UCC27423-4-5-Q1EVM — UCC2742xQ1 イネーブル付き、デュアル、4A、高速ローサイド MOSFET ドライバの評価モジュール(EVM)
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
---|---|---|
HVSSOP (DGN) | 8 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
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