UCC21710QDWEVM-025
SiC と IGBT トランジスタ / 電源モジュール向け駆動機能と保護機能の評価ボード
UCC21710QDWEVM-025
概要
The UCC21710QDWEVM-025 is a compact, single channel isolated gate driver board providing drive, bias voltages, protection and diagnostic needed for SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules housed in 150 x 62 x 17 mm and 106 x 62 x 30 mm packages. This TI EVM is based on 5.7-kVrms reinforced isolation drivers UCC21710 in SOIC-16DW package with 8.0 mm creepage and clearance. The EVM includes SN6505B based isolated DC-DC transformer bias supplies.
特長
- 10-A peak, split output drive current with programmable drive voltages
- Two 5.7-kVrms reinforced isolated channels to support up to 1700 V input rail
- Short circuit protection with soft turn OFF and Miller clamp with internal FET
- Robust noise-immune solution with CMTI > 100 V/ns
- Power modules not included
絶縁型ゲート・ドライバ
購入と開発の開始
評価ボード
UCC21710QDWEVM-025 — SiC と IGBT トランジスタ / 電源モジュール向け駆動機能と保護機能の評価ボード
TI.com で取り扱いなし
設計ツール
SLURAZ2 — UCC217xxEVM Design Files
SLURAZ2 — UCC217xxEVM Design Files
バージョン: 01.00.00.00
リリース日: 26 7 2020
製品
絶縁型ゲート・ドライバ
ハードウェア開発
評価ボード
リリース情報
The design resource accessed as www.ti.com/lit/zip/sluraz2 or www.ti.com/lit/xx/sluraz2/sluraz2.zip has been migrated to a new user experience at www.ti.com/tool/jp/download/SLURAZ2. Please update any bookmarks accordingly.
技術資料
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種類 | タイトル | 英語版のダウンロード | 日付 | |||
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* | ユーザー・ガイド | UCC217xx Family Driving and Protecting SiC and IGBT Power Modules and Transistor (Rev. B) | 2019年 9月 9日 | |||
証明書 | UCC21710QDWEVM-025 EU Declaration of Conformity (DoC) | 2024年 1月 24日 |