TL084M
- 高いスルーレート:20V/µs (TL08xH、代表値)
- 低いオフセット電圧:1mV (TL08xH、代表値)
- 低いオフセット電圧ドリフト:2µV/℃
- 低消費電力:940µA/ch (TL08xH、代表値)
- 広い同相範囲と差動電圧範囲
- 同相入力電圧範囲に VCC+ を含む
- 低い入力バイアスとオフセット電流
- 低ノイズ:f = 1kHz で Vn = 18nV/√Hz (代表値)
- 出力短絡保護
- 低い全高調波歪み:0.003% (標準値)
- 広い電源電圧範囲:±2.25V~±20V、4.5V~40V
TL08xH (TL081H、TL082H、TL084H) ファミリのデバイスは、業界標準の TL08x (TL081、TL082、TL084) デバイスの次世代バージョンです。これらのデバイスは、低オフセット (1mV、代表値)、高スルーレート (20V/µs)、正電源への同相入力などの特長を備え、コスト重視のアプリケーション向けに最適です。高 ESD (1.5kV、HBM)、EMI および RF フィルタの内蔵、-40℃~125℃の温度範囲での動作により、TL08xH デバイスは最も過酷で要求の厳しいアプリケーションで使用できます。
技術資料
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* | データシート | TL08xx FET入力オペアンプ データシート (Rev. N 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.N) | PDF | HTML | 2024年 6月 21日 |
購入と品質
記載されている情報:
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点