TLC372-EP
- Controlled Baseline
- One Assembly/Test Site, One Fabrication Site
- Extended Temperature Performance of -55°C to 125°C
- Enhanced Diminishing Manufacturing Sources (DMS) Support
- Enhanced Product Change Notification
- Qualification Pedigree(1)
- ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883, Method 3015; Exceeds 100 V Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0)
- Single or Dual-Supply Operation
- Wide Range of Supply Voltages . . .4 V to 18 V
- Very Low Supply Current Drain . . .150 µA Typ at 5 V
- Fast Response Time . . . 200 ns Typ for TTL-Level Input Step
- Built-in ESD Protection
- High Input Impedance . . . 1012
Typ - Extremely Low Input Bias Current. . .5 pA Typ
- Ultrastable Low Input Offset Voltage
- Input Offset Voltage Change at Worst-Case Input Conditions Typically 0.23 µV/Month, Including the First 30 Days
- Common-Mode Input Voltage Range Includes Ground
- Output Compatible With TTL, MOS, and CMOS
- Pin-Compatible With LM393
(1) Component qualification in accordance with JEDEC and industry standards to ensure reliable operation over an extended temperature range. This includes, but is not limited to, Highly Accelerated Stress Test (HAST) or biased 85/85, temperature cycle, autoclave or unbiased HAST, electromigration, bond intermetallic life, and mold compound life. Such qualification testing should not be viewed as justifying use of this component beyond specified performance and environmental limits.
LinCMOS is a trademark of Texas Instruments.
This device is fabricated using LinCMOS™ technology and consists of two independent voltage comparators, each designed to operate from a single power supply. Operation from dual supplies is also possible if the difference between the two supplies is 4 V to 18 V. Each device features extremely high input impedance (typically greater than 1012), allowing direct interfacing with high-impedance sources. The outputs are n-channel open-drain configurations and can be connected to achieve positive-logic wired-AND relationships.
The TLC372 has internal electrostatic discharge (ESD) protection circuits and has been classified with a 2000-V ESD rating using human-body-model (HBM) testing. However, care should be exercised in handling this device as exposure to ESD may result in a degradation of the device parametric performance.
The TLC372 is characterized for operation from -55°C to 125°C.
技術資料
| 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | TLC372-EP データシート | 2007年 3月 23日 | |||
| * | VID | TLC372-EP VID V6206675 | 2016年 6月 21日 | |||
| * | 放射線と信頼性レポート | TLC372MDREP Reliability Report | 2016年 2月 2日 | |||
| e-Book（PDF） | The Signal - オペアンプ設計ブログ集 | 英語版 | 2018年 3月 23日 |
設計および開発
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| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。