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TXS0108E

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オープン ドレインとプッシュプルの各アプリケーション向け、8 ビット、双方向電圧レベル シフタ

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製品詳細

Technology family TXS Applications I2C, MDIO, SMbus Bits (#) 8 Data rate (max) (Mbps) 100 High input voltage (min) (V) 1 High input voltage (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 1.4 Vout (max) (V) 5.5 IOH (max) (mA) 0 IOL (max) (mA) 0 Supply current (max) (µA) 8 Features Edge rate accelerator, Output enable, Vcc isolation Input type Transmission Gate Output type 3-State, Transmission Gate Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Technology family TXS Applications I2C, MDIO, SMbus Bits (#) 8 Data rate (max) (Mbps) 100 High input voltage (min) (V) 1 High input voltage (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 1.4 Vout (max) (V) 5.5 IOH (max) (mA) 0 IOL (max) (mA) 0 Supply current (max) (µA) 8 Features Edge rate accelerator, Output enable, Vcc isolation Input type Transmission Gate Output type 3-State, Transmission Gate Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
NFBGA (NME) 20 7.5 mm² 2.5 x 3 TSSOP (PW) 20 41.6 mm² 6.5 x 6.4 VQFN (RGY) 20 15.75 mm² 4.5 x 3.5
  • 方向制御信号不要
  • 最大データ レート：
    • 110Mbps (プッシュプル)
    • 1.2Mbps (オープン ドレイン)
  • 1.4V～3.6V (A ポート)、1.65V～5.5V (B ポート) (VCCA ≦ VCCB)
  • 電源投入のシーケンス不要 – VCCA または VCCB のいずれかが最初に立ち上げ可能
  • JESD 78、クラス II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
  • JESD 22 を超える ESD 保護 (A ポート)：
    • 2000V、人体モデル (A114-B)
    • 150 V、マシン モデル(A115-A)

    • 1000 V、デバイス帯電モデル (C101)

  • IEC 61000-4-2 ESD (B ポート)：
    • ±8kV 接触放電
    • ±6kV 空中放電
  • 方向制御信号不要
  • 最大データ レート：
    • 110Mbps (プッシュプル)
    • 1.2Mbps (オープン ドレイン)
  • 1.4V～3.6V (A ポート)、1.65V～5.5V (B ポート) (VCCA ≦ VCCB)
  • 電源投入のシーケンス不要 – VCCA または VCCB のいずれかが最初に立ち上げ可能
  • JESD 78、クラス II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
  • JESD 22 を超える ESD 保護 (A ポート)：
    • 2000V、人体モデル (A114-B)
    • 150 V、マシン モデル(A115-A)

    • 1000 V、デバイス帯電モデル (C101)

  • IEC 61000-4-2 ESD (B ポート)：
    • ±8kV 接触放電
    • ±6kV 空中放電

このデバイスは、2 本の独立した設定可能な電源レールを使用する 8 ビット非反転レベル トランスレータです。A ポートは VCCA ピンの電源電圧に追従し、VCCA ピンは、1.4V と 3.6V 間の電源電圧を受け入れます。B ポートは VCCB ピンの電源電圧に追従します。VCCB ピンには、1.65V～5.5V 間の電源電圧を受け入れます。2 つの入力電源ピンにより、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V の任意の電圧ノード間での低電圧双方向変換が可能です。

出力イネーブル(OE)入力がLowのとき、全出力がハイ インピーダンス(Hi-Z)状態になります。

電源投入時または切断時にデバイスを Hi-Z 状態にするには、プルダウン抵抗で OE を GND につなぎます。ドライバの電流ソース能力によって、抵抗の最小値が決まります。

このデバイスは、2 本の独立した設定可能な電源レールを使用する 8 ビット非反転レベル トランスレータです。A ポートは VCCA ピンの電源電圧に追従し、VCCA ピンは、1.4V と 3.6V 間の電源電圧を受け入れます。B ポートは VCCB ピンの電源電圧に追従します。VCCB ピンには、1.65V～5.5V 間の電源電圧を受け入れます。2 つの入力電源ピンにより、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V の任意の電圧ノード間での低電圧双方向変換が可能です。

出力イネーブル(OE)入力がLowのとき、全出力がハイ インピーダンス(Hi-Z)状態になります。

電源投入時または切断時にデバイスを Hi-Z 状態にするには、プルダウン抵抗で OE を GND につなぎます。ドライバの電流ソース能力によって、抵抗の最小値が決まります。
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技術資料

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設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

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シミュレーション・モデル

TXS0108E IBIS Model (Rev. A)

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試験報告書: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
NFBGA (NME) 20 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 20 Ultra Librarian
VQFN (RGY) 20 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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