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CY29FCT52T

활성

3상 출력을 지원하는 8진 레지스터 트랜시버

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CY29FCT52T

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제품 상세 정보

Supply voltage (min) (V) 4.75 Supply voltage (max) (V) 5.25 Number of channels 8 IOL (max) (mA) 64 IOH (max) (mA) -32 Input type TTL-Compatible CMOS Output type TTL Features Partial power down (Ioff), Ultra high speed (tpd <5ns) Technology family FCT Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Supply voltage (min) (V) 4.75 Supply voltage (max) (V) 5.25 Number of channels 8 IOL (max) (mA) 64 IOH (max) (mA) -32 Input type TTL-Compatible CMOS Output type TTL Features Partial power down (Ioff), Ultra high speed (tpd <5ns) Technology family FCT Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
SOIC (DW) 24 159.65 mm² 15.5 x 10.3 SSOP (DBQ) 24 51.9 mm² 8.65 x 6
  • Function, Pinout, and Drive Compatible With FCT, F Logic, and AM2952
  • Reduced VOH (Typically = 3.3 V) Versions of Equivalent FCT Functions
  • Edge-Rate Control Circuitry for Significantly Improved Noise Characteristics
  • ESD Protection Exceeds JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model (A114-A)
    • 200-V Machine Model (A115-A)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Matched Rise and Fall Times
  • Fully Compatible With TTL Input and Output Logic Levels
  • 64-mA Output Sink Current
    32-mA Output Source Current
  • Function, Pinout, and Drive Compatible With FCT, F Logic, and AM2952
  • Reduced VOH (Typically = 3.3 V) Versions of Equivalent FCT Functions
  • Edge-Rate Control Circuitry for Significantly Improved Noise Characteristics
  • ESD Protection Exceeds JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model (A114-A)
    • 200-V Machine Model (A115-A)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Matched Rise and Fall Times
  • Fully Compatible With TTL Input and Output Logic Levels
  • 64-mA Output Sink Current
    32-mA Output Source Current

The CY29FCT52T has two 8-bit back-to-back registers that store data flowing in both directions between two bidirectional buses. Separate clock, clock enable, and 3-state output-enable signals are provided for each register. Both A outputs and B outputs are specified to sink 64 mA.

This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff circuitry disables the outputs, preventing damaging current backflow through the device when it is powered down.

The CY29FCT52T has two 8-bit back-to-back registers that store data flowing in both directions between two bidirectional buses. Separate clock, clock enable, and 3-state output-enable signals are provided for each register. Both A outputs and B outputs are specified to sink 64 mA.

This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff circuitry disables the outputs, preventing damaging current backflow through the device when it is powered down.
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기술 자료

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8개 모두 보기
유형 직함 날짜
* Data sheet 8-Bit Registered Transceiver datasheet (Rev. A) 2000/11/21
Selection guide Logic Guide (Rev. AB) 2017/06/12
Application note Understanding and Interpreting Standard-Logic Data Sheets (Rev. C) 2015/12/02
User guide LOGIC Pocket Data Book (Rev. B) 2007/01/16
Application note Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 2004/07/08
Application note Selecting the Right Level Translation Solution (Rev. A) 2004/06/22
User guide CYFCT Parameter Measurement Information 2001/04/02
Selection guide Advanced Bus Interface Logic Selection Guide 2001/01/09

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

14-24-LOGIC-EVM — 14핀~24핀 D, DB, DGV, DW, DYY, NS 및 PW 패키지용 로직 제품 일반 평가 모듈

14-24-LOGIC-EVM 평가 모듈(EVM)은 14핀~24핀 D, DW, DB, NS, PW, DYY 또는 DGV 패키지에 있는 모든 로직 장치를 지원하도록 설계되었습니다.

사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (DW) 24 Ultra Librarian
SSOP (DBQ) 24 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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