LM25101
- Independent High and Low Driver Logic Inputs
- Bootstrap Supply Voltage up to 100-V DC
- Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFETs
- Fast Propagation Times (25 ns Typical)
- Drives 1000-pF Load With 8-ns Rise and Fall Times
- Excellent Propagation Delay Matching (3 ns Typical)
- Supply Rail Undervoltage Lockout
- Low Power Consumption
- Pin Compatible With HIP2100 and HIP2101
The LM25101 high-voltage gate driver is designed to drive both the high-side and the low-side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The A version provides a full 3-A of gate drive while the B and C versions provide 2-A and 1-A, respectively. The outputs are independently controlled with TTL input thresholds. An integrated high voltage diode is provided to charge the high-side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails.
These devices are available in the standard 8-pin SOIC, 8-pin SO-PowerPAD, 8-pin WSON, 10-pin WSON, and 8-pin MSOP PowerPAD packages.
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기술 자료
유형 | 직함 | 날짜 | ||
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* | Data sheet | LM25101 3-A, 2-A, and 1-A 80-V Half-Bridge Gate Drivers datasheet (Rev. C) | PDF | HTML | 2016/09/28 |
Application note | Understanding and comparing peak current capability of gate drivers | PDF | HTML | 2021/03/30 | |
Application brief | External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) | 2020/02/28 | ||
Application brief | Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) | 2020/02/28 | ||
More literature | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018/10/29 |
설계 및 개발
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WSON (NGT) | 8 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.