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LM5109B

활성

8V UVLO 및 높은 잡음 내구성을 지원하는 1A, 100V 하프 브리지 게이트 드라이버

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LM5109B

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제품 상세 정보

Bootstrap supply voltage (max) (V) 90 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.025 Rise time (ns) 15 Fall time (ns) 15 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
Bootstrap supply voltage (max) (V) 90 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.025 Rise time (ns) 15 Fall time (ns) 15 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 WSON (NGT) 8 16 mm² 4 x 4
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET
  • 1-A Peak Output Current (1.0-A Sink and 1.0-A Source)
  • Inputs Compatible With Independent TTL and CMOS
  • Bootstrap Supply Voltage to 108-V DC
  • Fast Propagation Times (30 ns Typical)
  • Drives 1000-pF Load With 15-ns Rise and Fall Times
  • Excellent Propagation Delay Matching (2 ns Typical)
  • Supply Rail Undervoltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • 8-Pin SOIC and Thermally-Enhanced 8-Pin WSON Package
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET
  • 1-A Peak Output Current (1.0-A Sink and 1.0-A Source)
  • Inputs Compatible With Independent TTL and CMOS
  • Bootstrap Supply Voltage to 108-V DC
  • Fast Propagation Times (30 ns Typical)
  • Drives 1000-pF Load With 15-ns Rise and Fall Times
  • Excellent Propagation Delay Matching (2 ns Typical)
  • Supply Rail Undervoltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • 8-Pin SOIC and Thermally-Enhanced 8-Pin WSON Package

The LM5109B device is a cost-effective, high-voltage gate driver designed to drive both the high-side and the low-side N-channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 90 V. The outputs are independently controlled with cost-effective TTL and CMOS-compatible input thresholds. The robust level shift technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. The device is available in the 8-pin SOIC and thermally-enhanced 8-pin WSON packages.

The LM5109B device is a cost-effective, high-voltage gate driver designed to drive both the high-side and the low-side N-channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 90 V. The outputs are independently controlled with cost-effective TTL and CMOS-compatible input thresholds. The robust level shift technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. The device is available in the 8-pin SOIC and thermally-enhanced 8-pin WSON packages.
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기술 자료

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설계 및 개발

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평가 보드

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LM2105 평가 모듈(EVM)은 LM2105 성능을 평가하기 위한 플랫폼입니다. LM2105는 두 개의 N채널 금속 - 옥사이드 - 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)를 구동하기 위한 0.5A 피크 소스 및 0.8A 싱크 전류를 지원하는 105V, 부트 전압, 고압측, 저압측 드라이버입니다. 지원되는 패키지에서 핀 대 핀 호환 부품을 평가하는 데 동일한 보드를 사용할 수 있습니다.

사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
시뮬레이션 모델

LM5109B PSpice Transient Model

SNVMAM7.ZIP (75 KB) - PSpice Model
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시뮬레이션 모델

LM5109B Unencrypted PSpice Transient Model

SNVMAM8.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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계산 툴

SNVR521 — LM51xx Schematic Review Template

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제품
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SOIC (D) 8 Ultra Librarian
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주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
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