계산 툴
LM5109B
- Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET
- 1-A Peak Output Current (1.0-A Sink and 1.0-A Source)
- Inputs Compatible With Independent TTL and CMOS
- Bootstrap Supply Voltage to 108-V DC
- Fast Propagation Times (30 ns Typical)
- Drives 1000-pF Load With 15-ns Rise and Fall Times
- Excellent Propagation Delay Matching (2 ns Typical)
- Supply Rail Undervoltage Lockout
- Low Power Consumption
- 8-Pin SOIC and Thermally-Enhanced 8-Pin WSON Package
The LM5109B device is a cost-effective, high-voltage gate driver designed to drive both the high-side and the low-side N-channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 90 V. The outputs are independently controlled with cost-effective TTL and CMOS-compatible input thresholds. The robust level shift technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. The device is available in the 8-pin SOIC and thermally-enhanced 8-pin WSON packages.
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| EVM User's guide | AN-1299 LM5041 Evaluation Board (Rev. A) | 2013/05/06 | ||
| EVM User's guide | AN-1331 LM5033 Evaluation Board (Rev. A) | 2013/05/06 |
설계 및 개발
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주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.