Herramienta de cálculo
LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator
Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
LMG2640
Medio puente de nitruro de galio (GaN) de 650 V y 105 mΩ con controlador, protección y detección de
Hoja de datos
LMG2640
- 650V GaN power-FET half bridge
- 105mΩ low-side and high-side GaN FETs
- Integrated gate drivers with low propagation delays
- Current-sense emulation with high-bandwidth and high accuracy
- Low-side / high-side gate-drive interlock
- High-side gate-drive signal level shifter
- Smart-switched bootstrap diode function
- High-side start up : < 8µs
- Low-side / high-side cycle-by-cycle over-current protection
- Over-temperature protection with FLT pin reporting
- AUX idle quiescent current: 250µA
- AUX standby quiescent current: 50µA
- BST idle quiescent current: 65µA
- Maximum supply and input logic pin voltage: 26V
- 9×7mm QFN package with dual thermal pads
The LMG2640 is a 650V GaN power-FET half bridge intended for switch mode power supply applications. The LMG2640 simplifies design, reduces component count, and reduces board space by integrating half-bridge power FETs, gate drivers, bootstrap diode, and high-side gate-drive level shifter in a 9mm by 7mm QFN package.
The low-side current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.
The high-side gate-drive signal level shifter eliminates noise and burst-mode power dissipation problems found with external solutions. The smart-switched GaN bootstrap FET has no diode forward-voltage drop, avoids overcharging the high-side supply, and has zero reverse-recovery charge.
The LMG2640 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include FET turn-on interlock, under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and over-temperature shut down.
Documentación técnica
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Ver todo 1 | Documentación principal | Tipo | Título | Opciones de formato | Fecha |
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | LMG2640 Integrated 650V GaN Half Bridge datasheet | PDF | HTML | 04 nov 2024 |
Diseño y desarrollo
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Tarjeta secundaria
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| Encapsulado | Pines | Símbolos CAD, huellas y modelos 3D |
|---|---|---|
| VQFN (RRG) | 40 | Ultra Librarian |
Pedidos y calidad
Información incluida:
- RoHS
- REACH
- Marcado del dispositivo
- Acabado de plomo/material de la bola
- Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)/reflujo máximo
- Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
- Contenido del material
- Resumen de calificaciones
- Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
- Lugar de fabricación
- Lugar de ensamblaje
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