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Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
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LMG2100R026

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Etapa de potencia de nitruro de galio (GaN) de medio puente de 100 V y 2.6 mΩ

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LMG2100R026

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Detalles del producto

VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 2.6 ID (max) (A) 55 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 2.6 ID (max) (A) 55 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
UNKNOWN (VBN) 18 See data sheet UNKNOWN (VBN) 16 See data sheet
  • Integrated half-bridge GaN FETs and driver
  • 93V continuous, 100V pulsed voltage rating
  • Package optimized for easy PCB layout
  • High slew rate switching with low ringing
  • 5V external bias power supply
  • Supports 3.3V and 5V input logic levels
  • Gate driver capable of up to 10MHz switching
  • Excellent propagation delay (33ns typical) and matching (2ns typical)
  • Internal bootstrap supply voltage clamping to prevent GaN FET overdrive
  • Supply rail undervoltage for lockout protection
  • Low power consumption
  • Exposed top QFN package for top-side cooling
  • Large GND pad for bottom-side cooling
  • Integrated half-bridge GaN FETs and driver
  • 93V continuous, 100V pulsed voltage rating
  • Package optimized for easy PCB layout
  • High slew rate switching with low ringing
  • 5V external bias power supply
  • Supports 3.3V and 5V input logic levels
  • Gate driver capable of up to 10MHz switching
  • Excellent propagation delay (33ns typical) and matching (2ns typical)
  • Internal bootstrap supply voltage clamping to prevent GaN FET overdrive
  • Supply rail undervoltage for lockout protection
  • Low power consumption
  • Exposed top QFN package for top-side cooling
  • Large GND pad for bottom-side cooling

The LMG2100R026 device is a 93V continuous, 100V pulsed, 53A half-bridge power stage, with integrated gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two GaN FETs driven by one high-frequency GaN FET driver in a half-bridge configuration.

GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have zero reverse recovery and very small input capacitance CISS and output capacitance COSS. The driver and the two GaN FETs are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG2100R026 device is available in a 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.

The TTL logic compatible inputs can support 3.3V and 5V logic levels regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.

The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.

The LMG2100R026 device is a 93V continuous, 100V pulsed, 53A half-bridge power stage, with integrated gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two GaN FETs driven by one high-frequency GaN FET driver in a half-bridge configuration.

GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have zero reverse recovery and very small input capacitance CISS and output capacitance COSS. The driver and the two GaN FETs are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG2100R026 device is available in a 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.

The TTL logic compatible inputs can support 3.3V and 5V logic levels regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.

The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.

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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
* Data sheet LMG2100R026 100V, 53A GaN Half-Bridge Power Stage datasheet (Rev. A) PDF | HTML 11 oct 2024
EVM User's guide LMG2100R026 Evaluation Module Users Guide PDF | HTML 06 ago 2024

Diseño y desarrollo

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Placa de evaluación

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Guía del usuario: PDF | HTML
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Herramienta de cálculo

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
Productos y hardware compatibles

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Productos
Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
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Diseños de referencia

TIDA-010949 — Diseño de referencia del optimizador de potencia solar de 600 W basado en GaN con comunicación por c

Este diseño de referencia es un optimizador de potencia solar, que puede admitir una tensión de entrada de hasta 80 V y una tensión de salida de 80 V, con una salida y una corriente de entrada de hasta 18 A. El diseño utiliza un convertidor buck-boost configurable de cuatro interruptores para (...)
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Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
UNKNOWN (VBN) 18 Ultra Librarian
UNKNOWN (VBN) 16 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Soporte y capacitación

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