Inicio Gestión de la energía Power stages Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
Inicio
Gestión de la energía
Power stages
Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)

LMG3411R050

ACTIVO

GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrados

Haga su pedido ahora
Hoja de datos

LMG3411R050

ACTIVO
Hoja de datos Haga su pedido ahora

Detalles del producto

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RWH) 32 64 mm² 8 x 8
  • TI GaN FET reliability qualified with in-application hard-switching accelerated stress profiles
  • Enables high density power conversion designs
    • Superior system performance over cascode or stand-alone GaN FETs
    • Low inductance 8 mm x 8 mm QFN package for ease of design, and layout
    • Adjustable drive strength for switching performance and EMI control
    • Digital fault status output signal
    • Only +12 V unregulated supply needed
  • Integrated gate driver
    • Zero common source inductance
    • 20 ns Propagation delay for MHz operation
    • Trimmed gate bias voltage to compensate for threshold variations ensures reliable switching
    • 25 to 100V/ns User adjustable slew rate
  • Robust protection
    • Requires no external protection components
    • Overcurrent protection with less than 100 ns response
    • Greater than 150 V/ns Slew rate immunity
    • Transient overvoltage immunity
    • Overtemperature protection
    • Under voltage lock out (UVLO) Protection on all supply rails
  • Robust protection
    • LMG3410R050: Latched overcurrent protection
    • LMG3411R050: Cycle-by-cycle overcurrent protection
    • TI GaN FET reliability qualified with in-application hard-switching accelerated stress profiles
    • Enables high density power conversion designs
      • Superior system performance over cascode or stand-alone GaN FETs
      • Low inductance 8 mm x 8 mm QFN package for ease of design, and layout
      • Adjustable drive strength for switching performance and EMI control
      • Digital fault status output signal
      • Only +12 V unregulated supply needed
    • Integrated gate driver
      • Zero common source inductance
      • 20 ns Propagation delay for MHz operation
      • Trimmed gate bias voltage to compensate for threshold variations ensures reliable switching
      • 25 to 100V/ns User adjustable slew rate
    • Robust protection
      • Requires no external protection components
      • Overcurrent protection with less than 100 ns response
      • Greater than 150 V/ns Slew rate immunity
      • Transient overvoltage immunity
      • Overtemperature protection
      • Under voltage lock out (UVLO) Protection on all supply rails
    • Robust protection
      • LMG3410R050: Latched overcurrent protection
      • LMG3411R050: Cycle-by-cycle overcurrent protection

      The LMG341xR050 GaN power stage with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The LMG341x’s inherent advantages over silicon MOSFETs include ultra-low input and output capacitance, zero reverse recovery to reduce switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to reduce EMI. These advantages enable dense and efficient topologies like the totem-pole PFC.

      The LMG341xR050 provides a smart alternative to traditional cascode GaN and standalone GaN FETs by integrating a unique set of features to simplify design, maximize reliability and optimize the performance of any power supply. Integrated gate drive enables 100 V/ns switching with near zero Vds ringing, less than 100 ns current limiting response self-protects against unintended shoot-through events, overtemperature shutdown prevents thermal runaway, and system interface signals provide self-monitoring capability.

      The LMG341xR050 GaN power stage with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The LMG341x’s inherent advantages over silicon MOSFETs include ultra-low input and output capacitance, zero reverse recovery to reduce switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to reduce EMI. These advantages enable dense and efficient topologies like the totem-pole PFC.

      The LMG341xR050 provides a smart alternative to traditional cascode GaN and standalone GaN FETs by integrating a unique set of features to simplify design, maximize reliability and optimize the performance of any power supply. Integrated gate drive enables 100 V/ns switching with near zero Vds ringing, less than 100 ns current limiting response self-protects against unintended shoot-through events, overtemperature shutdown prevents thermal runaway, and system interface signals provide self-monitoring capability.
      filter Buscar otro/a Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
      Descargar Ver vídeo con transcripción Video

      Productos similares que pueden interesarle

      open-in-new Comparar alternativas
      Pin por pin con la misma funcionalidad que el dispositivo comparado
      LMG3410R050 ACTIVO GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección integrados Different overcurrent protection response behavior
      Misma funcionalidad con diferente configuración de pines que el dispositivo comparado
      LMG3422R050 ACTIVO GaN FET de 600 V y 50 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados 12 x 12 mm package with temperature reporting and overtemperature and short-circuit protection

      Documentación técnica

      star =Principal documentación para este producto seleccionada por TI
      No se encontraron resultados. Borre su búsqueda y vuelva a intentarlo.
      Ver todo 7
      Tipo Título Fecha
      * Data sheet LMG341xR050 600-V 50-mΩ Integrated GaN Fet Power Stage With Overcurrent Protection datasheet (Rev. B) PDF | HTML 16 ene 2020
      White paper Achieving GaN Products With Lifetime Reliability PDF | HTML 02 jun 2021
      White paper Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETs 05 ene 2021
      Analog Design Journal Wide-bandgap semiconductors: Performance and benefits of GaN versus SiC 22 sep 2020
      Application note Thermal Considerations for Designing a GaN Power Stage (Rev. B) 04 ago 2020
      EVM User's guide Using the LMG341xEVM-018 Half-bridge and LMG34XX-BB--EVM breakout board EVM (Rev. A) 08 mar 2019
      Application note Third quadrant operation of GaN 25 feb 2019

      Diseño y desarrollo

      Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

      Placa de evaluación

      LMG34XX-BB-EVM — Placa base de evaluación a nivel de sistema LMG34xx GaN para la familia LMG341x

      The LMG34XX-BB-EVM is an easy to use breakout board to configure any LMG341x half bridge board, such as the LMG3410-HB-EVM, as a synchronous buck converter. By providing a power stage, bias power and logic circuitry this EVM allows for quick measurements of the GaN device switching. This EVM is (...)

      Guía del usuario: PDF
      No disponible en TI.com
      Tarjeta secundaria

      LMG3410-HB-EVM — Tarjeta secundaria LMG3410R070 de medio puente GaN de 600 V y 70 mΩ

      The LMG34XX-BB-EVM is an easy to use breakout board to configure any LMG34XX half bridge board, such as the LMG3410-HB-EVM, as a synchronous buck converter.  By providing a power stage, bias power and logic circuitry this EVM allows for quick measurements of the GaN device switching. (...)
      Guía del usuario: PDF
      No disponible en TI.com
      Tarjeta secundaria

      LMG3411EVM-018 — Tarjeta secundaria LMG3411R050 de medio puente GaN de 600 V y 50 mΩ con protección contra sobretensi

      LMG3411EVM-018 configures two LMG3411R050 GaN FETs in a half bridge with cycle by cycle over current protection function and all the necessary auxiliary peripheral circuitry.  This EVM is designed to work in conjunction with larger systems.
      Guía del usuario: PDF
      No disponible en TI.com
      Herramienta de cálculo

      LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

      Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
      Productos y hardware compatibles

      Productos y hardware compatibles

      Productos
      Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
      LMG2100R026 — Etapa de potencia de nitruro de galio (GaN) de medio puente de 100 V y 2.6 mΩ LMG2100R044 — Transistor de efecto de campo (FET) de GaN de medio puente de 100 V y 4.4 mΩ con controlador y prote LMG2610 — Semipuente de GaN de 650 V 170/248 mΩ para ACF con controlador, protección y detección de corriente LMG2640 — Medio puente de nitruro de galio (GaN) de 650 V y 105 mΩ con controlador, protección y detección de LMG2650 — Medio puente de GaN de 650 V y 95 mΩ con controlador, protección y detección de corriente integrados LMG3410R050 — GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección integrados LMG3410R070 — GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección integrados LMG3410R150 — GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones integrados LMG3411R050 — GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrados LMG3411R070 — GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrado LMG3411R150 — GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrad LMG3422R030 — GaN FET de 600 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados LMG3422R050 — GaN FET de 600 V y 50 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados LMG3425R030 — GaN FET de 600 V y 30 mΩ con controlador, protección, informes de temperatura y modo de diodo ideal LMG3425R050 — GaN FET de 600 V y 50 mΩ con controlador, protección, informes de temperatura y modo de diodo ideal LMG3426R030 — Transistor de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) de 600 V y 30 mΩ con conductor inte LMG3426R050 — Transistor FET de GaN de 600 V y 50 mΩ con conductor integrado, protección y detección de tensión LMG3427R030 — Transistor de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) de 600 V y 30 mΩ con controlador, prot LMG3522R030 — FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección e informe de temperatura LMG3522R030-Q1 — GaN FET de 650 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados para autom LMG3522R050 — FET de GaN de 650 V y 50 mΩ con controlador integrado, protección e informe de temperatura LMG3526R030 — FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección y detección de tensión cero LMG3526R050 — FET de GaN de 650 V y 50 mΩ con controlador integrado, protección y notificación ante detección d LMG5200 — Etapa de potencia de medio puente GaN de 80 V
      Descargar
      Herramienta de cálculo

      SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

      Productos y hardware compatibles

      Productos y hardware compatibles

      Productos
      Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
      LMG3410R050 — GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección integrados LMG3410R070 — GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección integrados LMG3410R150 — GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones integrados LMG3411R050 — GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrados LMG3411R070 — GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrado LMG3411R150 — GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrad LMG3422R030 — GaN FET de 600 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados LMG3522R030 — FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección e informe de temperatura LMG3522R030-Q1 — GaN FET de 650 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados para autom LMG3526R030 — FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección y detección de tensión cero
      Descargar
      Herramienta de cálculo

      SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

      Productos y hardware compatibles

      Productos y hardware compatibles

      Productos
      Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
      LMG3410R050 — GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección integrados LMG3410R070 — GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección integrados LMG3410R150 — GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones integrados LMG3411R050 — GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrados LMG3411R070 — GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrado LMG3411R150 — GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrad LMG3422R030 — GaN FET de 600 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados LMG3422R050 — GaN FET de 600 V y 50 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados LMG3522R030 — FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección e informe de temperatura LMG3522R030-Q1 — GaN FET de 650 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados para autom LMG3526R030 — FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección y detección de tensión cero
      Descargar
      Diseños de referencia

      PMP20873 — Diseño de referencia de convertidor de corrección del factor de potencia (PFC) tótem-poste de 1 kW b

      Continuous-Conduction-Mode (CCM) Totem-pole power factor correction (PFC) is a simple but efficient power converter.  To achieve 99% efficiency, there are many design details that need to be taken into account.  The PMP20873 reference design uses TI’s 600VGaN  power stage, (...)
      Test report: PDF
      Esquema: PDF
      Diseños de referencia

      TIDA-010059 — Diseño de referencia de detección de corriente en fase para motores de 230 VCA que utilizan sensores

      This reference design features the Hall-effect current sensor, TMCS1100, that can measure currents with an absolute error of < 1% (–40 to 125°C) and provide a working isolation voltage of up to 600 V. The low-resistance in-package current sensing element and lack of need for high-side (...)
      Design guide: PDF
      Esquema: PDF
      Diseños de referencia

      PMP21309 — Diseño de referencia de convertidor resonante de 24 V/500 W con FET de GaN de alto voltaje

      This reference design is a high-frequency resonant converter reference design. The output voltage is regulated to 24 V with input voltage ranges from 380 V to 400 V using a resonant tank with 500 kHz resonant frequency. A 97.9% peak efficiency is achieved with this design using TI’s (...)
      Test report: PDF
      Esquema: PDF
      Diseños de referencia

      PMP21842 — Diseño de referencia de convertidor resonante de 12 V/500 W con FET de GaN de alto voltaje

      Este diseño de referencia de convertidor resonante de alta frecuencia regula una salida de 12 V de un rango de tensión de entrada de 380 V a 400 V utilizando un tanque resonante con frecuencia de resonancia de 500 kHz. Con este diseño se logra una eficiencia máxima del 96 % (alimentación de (...)
      Test report: PDF
      Esquema: PDF
      Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
      VQFN (RWH) 32 Ultra Librarian
      Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

      Pedidos y calidad

      Información incluida:
      • RoHS
      • REACH
      • Marcado del dispositivo
      • Acabado de plomo/material de la bola
      • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
      • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
      • Contenido del material
      • Resumen de calificaciones
      • Monitoreo continuo de confiabilidad
      Información incluida:
      • Lugar de fabricación
      • Lugar de ensamblaje

      Soporte y capacitación

      Foros de TI E2E™ con asistencia técnica de los ingenieros de TI

      Ver todos los temas del foro en inglés

      El contenido lo proporcionan “tal como está” TI y los colaboradores de la comunidad y no constituye especificaciones de TI. Consulte los términos de uso.

      Si tiene preguntas sobre la calidad, el paquete o el pedido de productos de TI, consulte el soporte de TI. ​​​​​​​​​​​​​​

      Videos