Inicio Gestión de la energía Power stages Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
Inicio
Gestión de la energía
Power stages
Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)

LMG3522R050

ACTIVO

FET de GaN de 650 V y 50 mΩ con controlador integrado, protección e informe de temperatura

Haga su pedido ahora
Hoja de datos

LMG3522R050

ACTIVO
Hoja de datos Haga su pedido ahora

Detalles del producto

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 44 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 44 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RQS) 52 144 mm² 12 x 12
  • 650V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
    • Integrated high precision gate bias voltage
    • 200V/ns FET hold-off
    • 3.6MHz switching frequency
    • 15V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
    • Operates from 7.5V to 18V supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
    • Withstands 720V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
    • LMG3526R050 includes zero-voltage detection (ZVD) feature that facilitates soft-switching converters
  • Top-side cooled 12mm × 12mm VQFN package separates electrical and thermal paths for lowest power loop inductance
  • 650V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
    • Integrated high precision gate bias voltage
    • 200V/ns FET hold-off
    • 3.6MHz switching frequency
    • 15V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
    • Operates from 7.5V to 18V supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
    • Withstands 720V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
    • LMG3526R050 includes zero-voltage detection (ZVD) feature that facilitates soft-switching converters
  • Top-side cooled 12mm × 12mm VQFN package separates electrical and thermal paths for lowest power loop inductance

The LMG352xR050 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

The LMG352xR050 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 15V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. The LMG3526R050 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized.

Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overcurrent, short-circuit, overtemperature, VDD UVLO, and high-impedance RDRV pin.

The LMG352xR050 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

The LMG352xR050 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 15V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. The LMG3526R050 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized.

Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overcurrent, short-circuit, overtemperature, VDD UVLO, and high-impedance RDRV pin.

filter Buscar otro/a Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
Descargar Ver vídeo con transcripción Video

Documentación técnica

star =Principal documentación para este producto seleccionada por TI
No se encontraron resultados. Borre su búsqueda y vuelva a intentarlo.
Ver todo 1
Tipo Título Fecha
* Data sheet LMG352xR050 650 V 50 mΩ GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting datasheet (Rev. A) PDF | HTML 23 may 2024

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

Placa de evaluación

LMG342X-BB-EVM — Módulo de evaluación LMG342x

El LMG342X-BB-EVM es una placa de conexión fácil de usar para configurar cualquier placa de medio puente LMG342xR0x0, como la LMG3422EVM-043, como convertidor buck síncrono. Al proporcionar una etapa de potencia, potencia de polarización y circuito lógico, este módulo de evaluación (EVM) permite (...)

Guía del usuario: PDF | HTML
No disponible en TI.com
Tarjeta secundaria

LMG3522EVM-042 — Tarjeta secundaria LMG3522R030-Q1 de GaN FET de 650 V y 30 mΩ con controlado integrado para automoci

El LMG3522EVM-042 configura dos transistores de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) LMG3522R030 en un medio puente con la protección de sobrecorriente ciclo a ciclo, la función de protección contra cortocircuitos bloqueada y todos los circuitos periféricos auxiliares necesarios. Esta (...)

Guía del usuario: PDF
No disponible en TI.com
Herramienta de cálculo

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
Productos y hardware compatibles

Productos y hardware compatibles

Productos
Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
LMG2100R026 — Etapa de potencia de nitruro de galio (GaN) de medio puente de 100 V y 2.6 mΩ LMG2100R044 — Transistor de efecto de campo (FET) de GaN de medio puente de 100 V y 4.4 mΩ con controlador y prote LMG2610 — Semipuente de GaN de 650 V 170/248 mΩ para ACF con controlador, protección y detección de corriente LMG2640 — Medio puente de nitruro de galio (GaN) de 650 V y 105 mΩ con controlador, protección y detección de LMG2650 — Medio puente de GaN de 650 V y 95 mΩ con controlador, protección y detección de corriente integrados LMG3410R050 — GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección integrados LMG3410R070 — GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección integrados LMG3410R150 — GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones integrados LMG3411R050 — GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrados LMG3411R070 — GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrado LMG3411R150 — GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrad LMG3422R030 — GaN FET de 600 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados LMG3422R050 — GaN FET de 600 V y 50 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados LMG3425R030 — GaN FET de 600 V y 30 mΩ con controlador, protección, informes de temperatura y modo de diodo ideal LMG3425R050 — GaN FET de 600 V y 50 mΩ con controlador, protección, informes de temperatura y modo de diodo ideal LMG3426R030 — Transistor de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) de 600 V y 30 mΩ con conductor inte LMG3426R050 — Transistor FET de GaN de 600 V y 50 mΩ con conductor integrado, protección y detección de tensión LMG3427R030 — Transistor de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) de 600 V y 30 mΩ con controlador, prot LMG3522R030 — FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección e informe de temperatura LMG3522R030-Q1 — GaN FET de 650 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados para autom LMG3522R050 — FET de GaN de 650 V y 50 mΩ con controlador integrado, protección e informe de temperatura LMG3526R030 — FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección y detección de tensión cero LMG3526R050 — FET de GaN de 650 V y 50 mΩ con controlador integrado, protección y notificación ante detección d LMG5200 — Etapa de potencia de medio puente GaN de 80 V
Descargar
Diseños de referencia

TIDA-010933 — Diseño de referencia de microinversor bidireccional de 1.6 kW basado en GaN

Este diseño de referencia muestra un microinversor bidireccional de 1.6 kW y cuatro entradas basado en nitruro de galio (GaN) con capacidad de almacenamiento de energía.
Design guide: PDF
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
VQFN (RQS) 52 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Soporte y capacitación

Foros de TI E2E™ con asistencia técnica de los ingenieros de TI

Ver todos los temas del foro en inglés

El contenido lo proporcionan “tal como está” TI y los colaboradores de la comunidad y no constituye especificaciones de TI. Consulte los términos de uso.

Si tiene preguntas sobre la calidad, el paquete o el pedido de productos de TI, consulte el soporte de TI. ​​​​​​​​​​​​​​

Videos