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Diodos de protección ESD

TPD1E10B06-Q1

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Diodo de protección contra ESD de 12 pF, ±5.5 V ±30 kV para automoción en encapsulado 0402

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TPD1E10B06-Q1

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Detalles del producto

Package name DFN1006, SOD523 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 90 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 1 IO capacitance (typ) (pF) 12 IEC 61000-4-2 contact (±V) 30000 IEC 61000-4-5 (A) 6 Clamping voltage (V) 10 Dynamic resistance (typ) 0.4 Interface type Audio, General purpose Breakdown voltage (min) (V) 6 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
Package name DFN1006, SOD523 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 90 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 1 IO capacitance (typ) (pF) 12 IEC 61000-4-2 contact (±V) 30000 IEC 61000-4-5 (A) 6 Clamping voltage (V) 10 Dynamic resistance (typ) 0.4 Interface type Audio, General purpose Breakdown voltage (min) (V) 6 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOT-5X3 (DYA) 2 1.28 mm² 1.6 x 0.8 X1SON (DPY) 2 0.6 mm² 1 x 0.6
  • AEC-Q101 qualified
  • IEC 61000-4-2 Level 4 ESD protection
    • ±30-kV contact discharge
    • ±30-kV air-gap discharge
  • ISO 10605 (330 pF, 330 Ω) ESD protection
    • ±8-kV contact discharge (DPY)
    • ±15-kV air-gap discharge (DPY)
    • ± 25-kV contact discharge (DYA)
    • ± 25-kV air-gap discharge (DYA)
  • IEC 61000-4-5 surge protection
    • 6 A (8/20 µs)
  • I/O capacitance 12 pF (typical)
  • RDYN: 0.38 Ω (typical)
  • DC breakdown voltage: ±6 V (minimum)
  • Ultra low leakage current 100 nA (maximum)
  • 10-V clamping voltage (typical at IPP = 1 A)
  • Industrial temperature range: –40°C to +125°C
  • Space-saving 0402 footprint
  • Industry standard leaded SOD-523 package (1.6 mm × 0.8 mm × 0.65 mm)
  • AEC-Q101 qualified
  • IEC 61000-4-2 Level 4 ESD protection
    • ±30-kV contact discharge
    • ±30-kV air-gap discharge
  • ISO 10605 (330 pF, 330 Ω) ESD protection
    • ±8-kV contact discharge (DPY)
    • ±15-kV air-gap discharge (DPY)
    • ± 25-kV contact discharge (DYA)
    • ± 25-kV air-gap discharge (DYA)
  • IEC 61000-4-5 surge protection
    • 6 A (8/20 µs)
  • I/O capacitance 12 pF (typical)
  • RDYN: 0.38 Ω (typical)
  • DC breakdown voltage: ±6 V (minimum)
  • Ultra low leakage current 100 nA (maximum)
  • 10-V clamping voltage (typical at IPP = 1 A)
  • Industrial temperature range: –40°C to +125°C
  • Space-saving 0402 footprint
  • Industry standard leaded SOD-523 package (1.6 mm × 0.8 mm × 0.65 mm)

The TPD1E10B06-Q1 device is a bidirectional TVS ESD protection diode in a small 0402 package convenient for space contrained applications and an industry standard leaded SOD-523 package that enables automatic optical inspection (AOI). The TPD1E10B06-Q1 is rated to dissipate ESD strikes above the maximum level specified in the IEC 61000-4-2 international standard (Level 4) since ESD voltages can easily reach 5000 V, which is more than enough to damage many integrated circuits, but during extreme conditions the voltages can be significantly higher. For example, in a low humidity environment voltages can exceed 20,000 V.

The low dynamic resistance and low clamping voltage ensures system level protection against transient events, providing sufficient protection on designs that are exposed to ESD events. This device also features a 12-pF IO capacitance making it ideal for audio lines, push buttons, memory interfaces, or GPIOs.

This device is also available without automotive qualification: TPD1E10B06.

The TPD1E10B06-Q1 device is a bidirectional TVS ESD protection diode in a small 0402 package convenient for space contrained applications and an industry standard leaded SOD-523 package that enables automatic optical inspection (AOI). The TPD1E10B06-Q1 is rated to dissipate ESD strikes above the maximum level specified in the IEC 61000-4-2 international standard (Level 4) since ESD voltages can easily reach 5000 V, which is more than enough to damage many integrated circuits, but during extreme conditions the voltages can be significantly higher. For example, in a low humidity environment voltages can exceed 20,000 V.

The low dynamic resistance and low clamping voltage ensures system level protection against transient events, providing sufficient protection on designs that are exposed to ESD events. This device also features a 12-pF IO capacitance making it ideal for audio lines, push buttons, memory interfaces, or GPIOs.

This device is also available without automotive qualification: TPD1E10B06.
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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
* Data sheet TPD1E10B06-Q1 Automotive 12-pF, ±5.5-V ±30-kV, Single Channel ESD Protection Diode in 0402 and SOD-523 Package datasheet (Rev. B) PDF | HTML 09 feb 2022
Application note ESD and Surge Protection for USB Interfaces (Rev. B) PDF | HTML 11 ene 2024
Application note ISO 10605 Road Vehicles Test Methods for Elec. Disturbances from Electrostatic D (Rev. B) PDF | HTML 17 ago 2022
Application brief ESD Protection for Automotive Infotainment (Rev. A) PDF | HTML 12 nov 2021
User guide Generic ESD Evaluation Module User's Guide (Rev. A) PDF | HTML 27 sep 2021

Diseño y desarrollo

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Placa de evaluación

ESDEVM — Módulo de evaluación de ESD

El módulo de evaluación (EVM) de dispositivos sensibles a las descargas electrostáticas (ESD) es una plataforma de desarrollo para la mayor parte de nuestra cartera de ESD. La placa viene con todas los espacios ESD tradicionales para probar muchos dispositivos. Los dispositivos se pueden soldar en (...)
Guía del usuario: PDF | HTML
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Modelo de simulación

TPD1E10B06-Q1 IBIS Model

SLVMBQ7.ZIP (3 KB) - IBIS Model
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SOT-5X3 (DYA) 2 Ultra Librarian
X1SON (DPY) 2 Ultra Librarian
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Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

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