Detalles del producto

Package name SC70-6, SOT-5X3 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 45 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 4 IO capacitance (typ) (pF) 0.7 IEC 61000-4-2 contact (±V) 12000 IEC 61000-4-5 (A) 3 Features ESD Protection Clamping voltage (V) 10.9 Dynamic resistance (typ) 1 Interface type General purpose, LVDS, USB 2.0 Breakdown voltage (min) (V) 7 IO leakage current (max) (nA) 0.5 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Package name SC70-6, SOT-5X3 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 45 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 4 IO capacitance (typ) (pF) 0.7 IEC 61000-4-2 contact (±V) 12000 IEC 61000-4-5 (A) 3 Features ESD Protection Clamping voltage (V) 10.9 Dynamic resistance (typ) 1 Interface type General purpose, LVDS, USB 2.0 Breakdown voltage (min) (V) 7 IO leakage current (max) (nA) 0.5 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOT-5X3 (DRL) 6 2.56 mm² 1.6 x 1.6 SOT-SC70 (DCK) 6 4.2 mm² 2 x 2.1
  • Ultra low leakage current 0.5nA (maximum)
  • Transient protection for 4 I/O lines:
    • IEC 61000-4-2 Contact Discharge ±12kV
    • IEC 61000-4-2 Air-Gap Discharge ±15kV
    • IEC 61000-4-5 Surge 3.0A (8/20µs)
  • I/O capacitance 0.7pF (typical)
  • Bi-directional ESD protection diode array
  • Low ESD clamping voltage
  • Industrial temperature range: –40°C to 125°C
  • Small, easy-to-route DRL and DCK packages
  • Ultra low leakage current 0.5nA (maximum)
  • Transient protection for 4 I/O lines:
    • IEC 61000-4-2 Contact Discharge ±12kV
    • IEC 61000-4-2 Air-Gap Discharge ±15kV
    • IEC 61000-4-5 Surge 3.0A (8/20µs)
  • I/O capacitance 0.7pF (typical)
  • Bi-directional ESD protection diode array
  • Low ESD clamping voltage
  • Industrial temperature range: –40°C to 125°C
  • Small, easy-to-route DRL and DCK packages

The TPD4E1B06 is a 4-channel bi-directional Electrostatic Discharge (ESD) protection diode array. This device features ultra low leakage current (0.5nA) for precision analog measurements. The ±12kV contact and ±15kV air gap ESD protection exceeds IEC 61000-4-2 level 4 requirements. The TPD4E1B06 device’s 0.7pF line capacitance makes it suitable for precision analog, USB2.0, Ethernet, SATA, LVDS, and 1394 interfaces.

The TPD4E1B06 is a 4-channel bi-directional Electrostatic Discharge (ESD) protection diode array. This device features ultra low leakage current (0.5nA) for precision analog measurements. The ±12kV contact and ±15kV air gap ESD protection exceeds IEC 61000-4-2 level 4 requirements. The TPD4E1B06 device’s 0.7pF line capacitance makes it suitable for precision analog, USB2.0, Ethernet, SATA, LVDS, and 1394 interfaces.

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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
* Data sheet TPD4E1B06 4-Channel Ultra Low Leakage ESD Protection Device datasheet (Rev. E) PDF | HTML 11 oct 2024
User guide Reading and Understanding an ESD Protection Data Sheet (Rev. A) PDF | HTML 19 sep 2023
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Application note ESD Packaging and Layout Guide (Rev. B) PDF | HTML 18 ago 2022
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White paper Designing USB for short-to-battery tolerance in automotive environments 10 feb 2016
Analog Design Journal Design Considerations for System-Level ESD Circuit Protection 25 sep 2012

Diseño y desarrollo

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Placa de evaluación

ESDEVM — Módulo de evaluación de ESD

El módulo de evaluación (EVM) de dispositivos sensibles a las descargas electrostáticas (ESD) es una plataforma de desarrollo para la mayor parte de nuestra cartera de ESD. La placa viene con todas los espacios ESD tradicionales para probar muchos dispositivos. Los dispositivos se pueden soldar en (...)
Guía del usuario: PDF | HTML
Modelo de simulación

TPD4E1B06 IBIS Model (Rev. A)

SLVM743A.ZIP (3 KB) - IBIS Model
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
SOT-5X3 (DRL) 6 Ultra Librarian
SOT-SC70 (DCK) 6 Ultra Librarian

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.

Soporte y capacitación

Foros de TI E2E™ con asistencia técnica de los ingenieros de TI

El contenido lo proporcionan “tal como está” TI y los colaboradores de la comunidad y no constituye especificaciones de TI. Consulte los términos de uso.

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