Inicio Gestión de la energía Reguladores lineales y de baja salida (LDO)

TPS7H1111-SEP

ACTIVO

Regulador LDO de RF de 1.5 A, ruido ultrabajo, PSRR ultraalto, con tolerancia a las radiaciones

Detalles del producto

Output options Adjustable Output Iout (max) (A) 1.5 Vin (max) (V) 7 Vin (min) (V) 0.85 Vout (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 0.4 Rating Space Noise (µVrms) 1.7 PSRR at 100 KHz (dB) 71 Iq (typ) (mA) 19 Thermal resistance θJA (°C/W) 24 Load capacitance (min) (µF) 132 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Power good, Soft start Accuracy (%) 1.3 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 215 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 43 Radiation, TID (typ) (krad) 50
Output options Adjustable Output Iout (max) (A) 1.5 Vin (max) (V) 7 Vin (min) (V) 0.85 Vout (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 0.4 Rating Space Noise (µVrms) 1.7 PSRR at 100 KHz (dB) 71 Iq (typ) (mA) 19 Thermal resistance θJA (°C/W) 24 Load capacitance (min) (µF) 132 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Power good, Soft start Accuracy (%) 1.3 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 215 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 43 Radiation, TID (typ) (krad) 50
HTSSOP (PWP) 28 62.08 mm² 9.7 x 6.4
  • Total ionizing dose (TID) characterized
    • Radiation hardness assurance (RHA) availability of 100 krad(Si) or 50 krad(Si)
  • Single-Event Effects (SEE) characterized
    • Single-event latchup (SEL), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune up to linear energy transfer (LET) = 75 MeV-cm2/mg
    • Single-event functional interrupt (SEFI) and single-event transient (SET) characterized up to LET = 75 MeV-cm2/mg
  • Ultra-low noise (10 Hz to 100 kHz):
    • 1.71 µVRMS (typ)
  • High power-supply rejection ratio, PSRR (typ):
    • 109 dB at 1 kHz
    • 71 dB at 100 kHz
    • 66 dB at 1 MHz
  • Input voltage range from 0.85 V to 7 V
  • Bias supply of 2.2 V to 14 V to minimize power dissipation
  • Output voltage as low as 0.4 V
  • Up to 1.5-A output current
  • Excellent output accuracy over line and load:
    • –1.3% to +1.2% across temperature
    • –0.7% to +0.9% at 25°C
  • Low-dropout: 215 mV (typ) at 1.5 A
  • Programmable soft-start control (SS_SET)
  • Open-drain power good (PG) indicator
  • Configurable power good threshold (FB_PG)
  • Exposed control loop with the external compensation STAB pin
  • Internal current limit with configurable behavior
  • Current sharing to allow operation of up to 2.9 A
  • Military temperature range (–55°C to 125°C)
  • Total ionizing dose (TID) characterized
    • Radiation hardness assurance (RHA) availability of 100 krad(Si) or 50 krad(Si)
  • Single-Event Effects (SEE) characterized
    • Single-event latchup (SEL), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune up to linear energy transfer (LET) = 75 MeV-cm2/mg
    • Single-event functional interrupt (SEFI) and single-event transient (SET) characterized up to LET = 75 MeV-cm2/mg
  • Ultra-low noise (10 Hz to 100 kHz):
    • 1.71 µVRMS (typ)
  • High power-supply rejection ratio, PSRR (typ):
    • 109 dB at 1 kHz
    • 71 dB at 100 kHz
    • 66 dB at 1 MHz
  • Input voltage range from 0.85 V to 7 V
  • Bias supply of 2.2 V to 14 V to minimize power dissipation
  • Output voltage as low as 0.4 V
  • Up to 1.5-A output current
  • Excellent output accuracy over line and load:
    • –1.3% to +1.2% across temperature
    • –0.7% to +0.9% at 25°C
  • Low-dropout: 215 mV (typ) at 1.5 A
  • Programmable soft-start control (SS_SET)
  • Open-drain power good (PG) indicator
  • Configurable power good threshold (FB_PG)
  • Exposed control loop with the external compensation STAB pin
  • Internal current limit with configurable behavior
  • Current sharing to allow operation of up to 2.9 A
  • Military temperature range (–55°C to 125°C)

The TPS7H1111 is an ultra-low noise, high PSRR, low dropout linear regulator (LDO) optimized for powering radio-frequency (RF) devices in a space environment. It is capable of sourcing up to 1.5 A over a 0.85-V to 7-V input range with a 2.2-V to 14-V bias supply.

The high performance of the device limits power-supply generated phase noise and clock jitter, making this device ideal for powering high-performance ADCs, DACs, VCOs, PLLs, SerDes, and other RF components in satellites. For digital loads (such as FPGAs and DSPs) requiring low voltage operation, the exceptional accuracy and excellent transient performance ensure optimal system performance.

A standard microcircuit drawing (SMD) is available for the QML variants, 5962R21203. A vendor item drawing (VID) is available for the -SEP variant, V62/23602.

The TPS7H1111 is an ultra-low noise, high PSRR, low dropout linear regulator (LDO) optimized for powering radio-frequency (RF) devices in a space environment. It is capable of sourcing up to 1.5 A over a 0.85-V to 7-V input range with a 2.2-V to 14-V bias supply.

The high performance of the device limits power-supply generated phase noise and clock jitter, making this device ideal for powering high-performance ADCs, DACs, VCOs, PLLs, SerDes, and other RF components in satellites. For digital loads (such as FPGAs and DSPs) requiring low voltage operation, the exceptional accuracy and excellent transient performance ensure optimal system performance.

A standard microcircuit drawing (SMD) is available for the QML variants, 5962R21203. A vendor item drawing (VID) is available for the -SEP variant, V62/23602.

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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
* Data sheet TPS7H1111-SP and TPS7H1111-SEP 1.5-A, Ultra-Low Noise, High PSRR Radiation Hardened Low Dropout (LDO) Linear Regulator datasheet (Rev. F) PDF | HTML 06 dic 2023
* VID TPS7H1111-SEP VID V62-23602 21 dic 2023
* Radiation & reliability report TPS7H1111-SEP Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization Report 27 abr 2023
* Radiation & reliability report TPS7H1111-SEP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report (Rev. A) 20 abr 2023
* Radiation & reliability report TPS7H1111-SEP Production Flow and Reliability Report 07 feb 2023
* Radiation & reliability report Single Event Effects Report of the TPS7H1111-SEP 06 ene 2023
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Technical article Maximizing performance with clean and low-noise power using space-grade LDOs PDF | HTML 05 ene 2024
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EVM User's guide TPS7H1111EVM User Guide PDF | HTML 02 feb 2023
White paper Parallel LDO Architecture Design Using Ballast Resistors PDF | HTML 14 dic 2022
White paper Comprehensive Analysis and Universal Equations for Parallel LDO's Using Ballast PDF | HTML 13 dic 2022
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Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

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Modelo de simulación

TPS7H1111-SP PSpice Model

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HTSSOP (PWP) 28 Ultra Librarian

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.

Soporte y capacitación

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