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TS3A5017-Q1

ACTIVO

Multiplexor analógico de 3.3 V, 4:1, 2 canales con protección contra desconexión para automoción

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TS3A5017-Q1

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Detalles del producto

Configuration 4:1 Number of channels 2 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 11 CON (typ) (pF) 27 ON-state leakage current (max) (µA) 0.3 Supply current (typ) (µA) 2.5 Bandwidth (MHz) 165 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Features Powered-off protection Input/output continuous current (max) (mA) 128 Rating Automotive Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 1.3
Configuration 4:1 Number of channels 2 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 11 CON (typ) (pF) 27 ON-state leakage current (max) (µA) 0.3 Supply current (typ) (µA) 2.5 Bandwidth (MHz) 165 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Features Powered-off protection Input/output continuous current (max) (mA) 128 Rating Automotive Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 1.3
VQFN (RGY) 16 14 mm² 4 x 3.5
  • AEC-Q100 Qualified for Automotive Applications
    • Device Temperature: –40°C to 125°C, TA
    • Device HBM Classification Level: ±1500-V
    • Device CDM Classification Level: ±1000-V
  • Supports Powered-off Protection, I/O Pins Hi-Z When VCC = 0V
  • Low ON-State Resistance
  • Low Charge Injection
  • 1 Ω ON-State Resistance Matching
  • 0.25% Total Harmonic Distortion (THD+N)
  • 2.3-V to 3.6-V Single-Supply Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
  • AEC-Q100 Qualified for Automotive Applications
    • Device Temperature: –40°C to 125°C, TA
    • Device HBM Classification Level: ±1500-V
    • Device CDM Classification Level: ±1000-V
  • Supports Powered-off Protection, I/O Pins Hi-Z When VCC = 0V
  • Low ON-State Resistance
  • Low Charge Injection
  • 1 Ω ON-State Resistance Matching
  • 0.25% Total Harmonic Distortion (THD+N)
  • 2.3-V to 3.6-V Single-Supply Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II

The TS3A5017-Q1 device is a 2-channel 4:1 multiplexer that is designed to operate from 2.3 V to 3.6 V. This device is bidirectional and can handle both digital and analog signals. The powered-off protection feature of this device ensures the signal path is high impedance when VCC = 0 V which simplifies power sequencing and improves system reliability.

The TS3A5017-Q1 device is a 2-channel 4:1 multiplexer that is designed to operate from 2.3 V to 3.6 V. This device is bidirectional and can handle both digital and analog signals. The powered-off protection feature of this device ensures the signal path is high impedance when VCC = 0 V which simplifies power sequencing and improves system reliability.

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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
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Diseño y desarrollo

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Adaptador de interfaz

LEADLESS-ADAPTER1 — Adaptador de montaje superficial a conector macho DIP para pruebas de encapsulados sin plomo de 6, 8

The EVM-LEADLESS1 board allows for quick testing and bread boarding of TI's common leadless packages.  The board has footprints to convert TI's DRC, DTP, DQE, RBW, RGY, RSE, RSV, RSW RTE, RTJ, RUK , RUC, RUG, RUM,RUT and YZP surface mount packages to 100mil DIP headers.
Guía del usuario: PDF
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Modelo de simulación

TS3A5017-Q1 PSpice Model

SCDM198.ZIP (4 KB) - PSpice Model
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TS3A5017-Q1 TINA-TI Reference Design

SCDM197.TSC (1698 KB) - TINA-TI Reference Design
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Modelo de simulación

TS3A5017-Q1 TINA-TI Spice Model

SCDM196.ZIP (10 KB) - TINA-TI Spice Model
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Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
VQFN (RGY) 16 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

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