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CD4023B-MIL

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CMOS トリプル 3 入力 NAND ゲート

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製品詳細

Technology family CD4000 Supply voltage (min) (V) 3 Supply voltage (max) (V) 18 IOL (max) (mA) 1.5 IOH (max) (mA) -1.5 Input type Standard CMOS Output type Push-Pull Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125
Technology family CD4000 Supply voltage (min) (V) 3 Supply voltage (max) (V) 18 IOL (max) (mA) 1.5 IOH (max) (mA) -1.5 Input type Standard CMOS Output type Push-Pull Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125
CDIP (J) 14 130.4652 mm² 19.56 x 6.67
  • Propagation delay time = 60 ns (typ.) at CL = 50 pF, VDD = 10 V
  • Buffered inputs and outputs
  • Standardized symmetrical output characteristics
  • Maximum input current of 1 µA at 18 V over-full package temperature range; 100 nA at 18 V and 25°C
  • 100% tested for quiescent current at 20 V
  • 5-V, 10-V, and 15-V parametric ratings
  • Noise margin (over full package temperature range:
        1 V at VDD = 5 V
        2 V at VDD = 10 V
        2.5 at VDD = 15 V
  • Meets all requirements of JEDEC Tentative Standard No. 13B, "Standard Specifications for Description of "B" Series CMOS Devices"

Quad 2 Input—CD4011B
Dual 4 Input—CD4012B
Triple 3 Input—CD4023B
Data sheet acquired from Harris Semiconductor.
  • Propagation delay time = 60 ns (typ.) at CL = 50 pF, VDD = 10 V
  • Buffered inputs and outputs
  • Standardized symmetrical output characteristics
  • Maximum input current of 1 µA at 18 V over-full package temperature range; 100 nA at 18 V and 25°C
  • 100% tested for quiescent current at 20 V
  • 5-V, 10-V, and 15-V parametric ratings
  • Noise margin (over full package temperature range:
        1 V at VDD = 5 V
        2 V at VDD = 10 V
        2.5 at VDD = 15 V
  • Meets all requirements of JEDEC Tentative Standard No. 13B, "Standard Specifications for Description of "B" Series CMOS Devices"

Quad 2 Input—CD4011B
Dual 4 Input—CD4012B
Triple 3 Input—CD4023B
Data sheet acquired from Harris Semiconductor.

CD4011B, CD4012B, and CD4023B NAND gates provide the system designer with direct implementation of the NAND function and supplement the existing family of CMOS gates. All inputs and outputs are buffered.

The CD4011B, CD4012B, and CD4023B types are supplied in 14-lead hermetic dual-in-line ceramic packages (F3A suffix), 14-lead dual-in-line plastic packages (E suffix), 14-lead small-outline packages (M, MT, M96, and NSR suffixes), and 14-lead thin shrink small-outline packages (PWR suffix). The CD4011B and CD4023B types also are supplied in 14-lead thin shrink small-outline packages (PW suffix).

CD4011B, CD4012B, and CD4023B NAND gates provide the system designer with direct implementation of the NAND function and supplement the existing family of CMOS gates. All inputs and outputs are buffered.

The CD4011B, CD4012B, and CD4023B types are supplied in 14-lead hermetic dual-in-line ceramic packages (F3A suffix), 14-lead dual-in-line plastic packages (E suffix), 14-lead small-outline packages (M, MT, M96, and NSR suffixes), and 14-lead thin shrink small-outline packages (PWR suffix). The CD4011B and CD4023B types also are supplied in 14-lead thin shrink small-outline packages (PW suffix).
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デバイスの他のバリエーションについては、CD4023B の製品ページもご覧ください 

このデータシートは、CD4023B と CD4023B-MIL の両方が適用対象です。  

技術資料

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* データシート CD4011B, CD4012B, CD4023B TYPES データシート (Rev. D) 2003年 8月 21日

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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