DRV8162
- ハーフブリッジ構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動
- ハイサイド MOSFET ソース / ドレイン最大 102V (絶対最大定格)
- 8V (5V DRV8162L)~20V のゲート ドライブ電源
- ブートストラップ ダイオードを内蔵
- 16 レベルのゲート ドライブ ピーク電流
- 16mA~1000mA ソース電流
- 32mA~2000mA シンク電流
- ソース - シンク電流比 1:1、1:2、1:3
- 可変 PWM デッド タイム挿入 20ns~400ns
- モーター位相 (SH) スイッチング向けの堅牢な設計
- スルーレート 20V/µs
- 負の過渡電圧 -20V
- 2A の強力なゲート プルダウン
- 冗長シャットダウン用にゲート駆動電源入力を分割 (DRV8162、DRV8162L)
- 低オフセットの電流センス アンプ (DRV8161)
- 可変ゲイン (5、10、20、40V/V)
- 柔軟な PWM 制御インターフェイス、2 ピン PWM、独立 PWM モード
- 13 レベル VDS 過電流スレッショルド
- 独立したシャットダウン ピン (nDRVOFF)
- ゲート ドライバ ソフト シャットダウン シーケンス
- 保護機能内蔵
- GVDD 低電圧 (GVDDUV)
- ブートストラップ低電圧 (BST_UV)
- MOSFET 過電流保護 (VDS)
- 貫通電流保護
- サーマル シャットダウン (OTSD)
- フォルト状態インジケータ (nFAULT)
- 3.3V および 5V のロジック入力をサポート
DRV816x は、ハイサイドおよびローサイドの N チャネル パワー MOSFET を駆動できる、ハーフ ブリッジ ゲート ドライバです。ゲート駆動電圧は GVDD 電源ピンから生成され、内蔵ブートストラップ回路はハイサイド FET を最大 102V ドレインまで駆動するために使用されます。スマート ゲート ドライブ アーキテクチャは、最大でソース 1A、シンク 2A の 16 レベル (48 通りの組み合わせ) のゲート駆動ピーク電流をサポートし、ゲート駆動電流の内蔵タイミング制御機能も搭載しています。これらのデバイスを使用して、ブラシレス / ブラシ付き DC モータ、PMSM、ステッピング モータ、SRM、ソレノイドなど、各種の負荷を駆動できます。
電源低電圧、FET 過電流、ダイ過熱に対する保護機能が内蔵されています。nFAULT ピンは、保護機能によって検出されたフォルト イベントを通知します。nDRVOFF ピンは、PWM 制御から独立して電力段のシャットダウンを開始します。DRV8162 および DRV8162L デバイスは、セーフ トルク オフ (STO) 機能を補助するために、分割電源アーキテクチャを採用しています。
ゲート駆動電流、デッドタイム、PWM 制御インターフェイス、過電流検出など、デバイスの多くのパラメータは、いくつかの受動部品をデバイスのピンに接続して構成できます。内蔵のローサイド電流センス アンプ (DRV8161) は、電流測定情報をコントローラに返します。
技術資料
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* | データシート | DRV816x 保護機能および電流センス アンプ搭載、100V ハーフブリッジ スマート ゲート ドライバ データシート (Rev. A 翻訳版) | PDF | HTML | 最新英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2024年 8月 13日 |
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設計および開発
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パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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VSSOP (DGS) | 20 | Ultra Librarian |
購入と品質
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