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SN54LS26-SP

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宇宙用、4 チャネル、2 入力、4.5V ～ 5.5V バイポーラ NAND ゲート

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製品詳細

Technology family LS Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 5.5 Number of channels 4 Inputs per channel 2 IOL (max) (mA) 0 IOH (max) (mA) -8 Input type Bipolar Output type Push-Pull Features High speed (tpd 10- 50ns) Data rate (max) (Mbps) 35 Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
Technology family LS Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 5.5 Number of channels 4 Inputs per channel 2 IOL (max) (mA) 0 IOH (max) (mA) -8 Input type Bipolar Output type Push-Pull Features High speed (tpd 10- 50ns) Data rate (max) (Mbps) 35 Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
CFP (W) 14 58.023 mm² 9.21 x 6.3
  • For Driving Low-Threshold-Voltage MOS Inputs

 
  • For Driving Low-Threshold-Voltage MOS Inputs

 

These 2-input open-collector NAND gates feature high-output voltage ratings for interfacing with low-threshold-voltage MOS logic circuits or other 12-volt systems. Although the output is rated to withstand 15 volts, the VCC terminal is connected to the standard 5-volt source.

The SN5426 and SN54LS26 are characterized for operation over the full military temperature range of -55°C to 125°C. The SN7426 and SN74LS26 are characterized for operation from 0°C to 70°C.

 

These 2-input open-collector NAND gates feature high-output voltage ratings for interfacing with low-threshold-voltage MOS logic circuits or other 12-volt systems. Although the output is rated to withstand 15 volts, the VCC terminal is connected to the standard 5-volt source.

The SN5426 and SN54LS26 are characterized for operation over the full military temperature range of -55°C to 125°C. The SN7426 and SN74LS26 are characterized for operation from 0°C to 70°C.

 
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技術資料

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* データシート Quadruple 2-Input High-Voltage Interface Positive-NAND Gates データシート 1988年 3月 1日

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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