TPS54418デバイスは完全な機能を持つ6V、4A、同期整流降圧型電流モード・コンバータで、2つのMOSFETが内蔵されています。
TPS54418デバイスにはMOSFETが内蔵され、電流モード制御の実装により外付け部品数が減少し、最高2MHzのスイッチング周波数が可能なためインダクタのサイズが小さくなり、小型の3mm×3mmの熱的に強化されたQFNパッケージによりデバイスの占有面積が最小化されるため、小型のデバイスを設計できます。
TPS54418デバイスは、±1%の高精度基準電圧(VREF)により、温度にかかわらず各種の負荷について正確なレギュレーションを行います。
内蔵の30mΩ MOSFETと標準値350µAの消費電流により、効率が最大化されます。ENピンを使用してシャットダウン・モードに移行でき、シャットダウン時の消費電流は2µAに低下します。
低電圧誤動作防止は内部で2.6Vに設定されていますが、イネーブル・ピンの抵抗回路でスレッショルドをプログラムすることにより、さらに高い電圧に設定できます。起動時の出力電圧の上昇は、ソフト・スタート・ピンによって制御されます。出力が公称電圧の93%～107%の範囲内にあるとき、オープン・ドレインのパワー・グッド信号で示されます。周波数のフォールドバックとサーマル・シャットダウンにより、過負荷状態時にデバイスが保護されます。
SWIFT™の詳しいドキュメントについては、TIのWebサイト(www.ti.com/swift)を参照してください。
TPS54418デバイスは完全な機能を持つ6V、4A、同期整流降圧型電流モード・コンバータで、2つのMOSFETが内蔵されています。
TPS54418デバイスにはMOSFETが内蔵され、電流モード制御の実装により外付け部品数が減少し、最高2MHzのスイッチング周波数が可能なためインダクタのサイズが小さくなり、小型の3mm×3mmの熱的に強化されたQFNパッケージによりデバイスの占有面積が最小化されるため、小型のデバイスを設計できます。
TPS54418デバイスは、±1%の高精度基準電圧(VREF)により、温度にかかわらず各種の負荷について正確なレギュレーションを行います。
内蔵の30mΩ MOSFETと標準値350µAの消費電流により、効率が最大化されます。ENピンを使用してシャットダウン・モードに移行でき、シャットダウン時の消費電流は2µAに低下します。
低電圧誤動作防止は内部で2.6Vに設定されていますが、イネーブル・ピンの抵抗回路でスレッショルドをプログラムすることにより、さらに高い電圧に設定できます。起動時の出力電圧の上昇は、ソフト・スタート・ピンによって制御されます。出力が公称電圧の93%～107%の範囲内にあるとき、オープン・ドレインのパワー・グッド信号で示されます。周波数のフォールドバックとサーマル・シャットダウンにより、過負荷状態時にデバイスが保護されます。
SWIFT™の詳しいドキュメントについては、TIのWebサイト(www.ti.com/swift)を参照してください。