パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 VQFN (RHB) | 32 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 125 |
| パッケージ数量 | キャリア 250 | SMALL T&R |
TPS59632-Q1 の特徴
- 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み
- 温度グレード 1：-40℃～125℃
- 人体モデル ESD 分類レベル H2
- 荷電デバイス・モデル ESD 分類レベル C3B
- 位相数 (3、2、1) を選択可能
- 2.5V～24V の変換電圧範囲 (位相数、スイッチング周波数、最大出力電圧によって制限されます)
- 7 ビット DAC 電圧範囲：0.50V～1.52V
- 0.800V の DAC 電圧によるプリセット・ブート
- 高精度で調整可能な DC 負荷ライン (ドループ) またはゼロ勾配の負荷ライン
- D-CAP+™制御による高速な過渡応答
- 特許取得の AutoBalance™フェーズ・バランシング
- 300kHz～1MHz の 8 つのスイッチング周波数設定
- それぞれ 8 レベルの出力電圧オーバーシュート低減 (OSR) およびアンダーシュート低減 (USR)
- 8 レベルの電流制限を選択可能
- 負荷電流モニタ (アナログおよびデジタル)
- 8 レベルの電圧スルーレートを選択可能
- 軽負荷と重負荷の両方で効率を最適化
- 8 つのデバイス・アドレスに対応した VID 制御、位相管理、テレメトリーのための I2C インターフェイス
- ウェッタブル・フランク付きの 5mm × 5mm、32 ピン、0.5mm ピッチの QFN パワーパッド・パッケージ
TPS59632-Q1 に関する概要
TPS59632-Q1 デバイスは、出力電圧オーバーシュート低減 (OSR) およびアンダーシュート低減 (USR) 機能によって非常に高速な過渡応答、最小限の出力容量、高い効率を実現する D-CAP+™制御アーキテクチャなどの先進機能を備えた 3 相ドライバレス降圧型コントローラです。このデバイスは、I2C による出力電圧の動的制御、位相管理による効率の最適化、電流モニタ・テレメトリーをサポートしています。TPS59603-Q1 の MOSFET ゲート・ドライバは、このコントローラと組み合わせて同期整流降圧型コンバータの電力段 MOSFET を駆動することに特化して設計されています。TPS59632-Q1 デバイスは 5mm × 5mm の省スペースで熱的に強化された 32 ピン、0.5mm ピッチの QFN パッケージで供給され、–40℃～125℃ の温度範囲で動作が規定されています。