JFE150

활성

초저잡음, 낮은 게이트 전류 오디오 N-채널 JFET

지금 주문

데이터 시트

document-pdfAcrobat JFE150 Ultra-Low-Noise, Low-Gate-Current, Audio, N-Channel JFET datasheet (Rev. B) (영어) PDF | HTML

JFE150

활성

데이터 시트

지금 주문

제품 상세 정보

Vn at 1 kHz (nV√Hz)

0.8

Breakdown voltage (V)

40

VDS (V)

40

VGS (V)

-40

VGSTH typ (typ) (V)

-1.2

Rating

Catalog

Operating temperature range (°C)

-40 to 125

Vn at 1 kHz (nV√Hz)

0.8

Breakdown voltage (V)

40

VDS (V)

40

VGS (V)

-40

VGSTH typ (typ) (V)

-1.2

Rating

Catalog

Operating temperature range (°C)

-40 to 125

SOT-23 (DBV)

5

8.12 mm² 2.9 x 2.8

SOT-SC70 (DCK)

5

4.2 mm² 2 x 2.1

Ultra-low noise:
- Voltage noise:
  - 0.8 nV/√ Hz at 1 kHz, I DS = 5 mA
  - 0.9 nV/√ Hz at 1 kHz, I DS = 2 mA
- Current noise: 1.8 fA/√ Hz at 1 kHz
Low gate current: 10 pA (max)
Low input capacitance: 24 pF at V DS = 5 V
High gate-to-drain and gate-to-source breakdown voltage: –40 V
High transconductance: 68 mS
Packages: Small SC70 and SOT-23

Ultra-low noise:
- Voltage noise:
  - 0.8 nV/√ Hz at 1 kHz, I DS = 5 mA
  - 0.9 nV/√ Hz at 1 kHz, I DS = 2 mA
- Current noise: 1.8 fA/√ Hz at 1 kHz
Low gate current: 10 pA (max)
Low input capacitance: 24 pF at V DS = 5 V
High gate-to-drain and gate-to-source breakdown voltage: –40 V
High transconductance: 68 mS
Packages: Small SC70 and SOT-23

The JFE150 is a Burr-Brown™ discrete JFET built using Texas Instruments’ modern, high-performance, analog bipolar process. The JFE150 features performance not previously available in older discrete JFET technologies. The JFE150 offers the maximum possible noise-to-power efficiency and flexibility, where the quiescent current can be set by the user and yields excellent noise performance for currents from 50 µA to 20 mA. When biased at 5 mA, the device yields 0.8 nV/√ Hz of input-referred noise, giving ultra-low noise performance with extremely high input impedance (> 1 TΩ). The JFE150 also features integrated diodes connected to separate clamp nodes to provide protection without the addition of high-leakage, nonlinear, external diodes.

The JFE150 can withstand a high drain-to-source voltage of 40 V, as well as gate-to-source and gate-to-drain voltages down to –40 V. The temperature range is specified from –40°C to +125°C. The device is offered in 5-pin SOT-23 and SC70 packages.

The JFE150 is a Burr-Brown™ discrete JFET built using Texas Instruments’ modern, high-performance, analog bipolar process. The JFE150 features performance not previously available in older discrete JFET technologies. The JFE150 offers the maximum possible noise-to-power efficiency and flexibility, where the quiescent current can be set by the user and yields excellent noise performance for currents from 50 µA to 20 mA. When biased at 5 mA, the device yields 0.8 nV/√ Hz of input-referred noise, giving ultra-low noise performance with extremely high input impedance (> 1 TΩ). The JFE150 also features integrated diodes connected to separate clamp nodes to provide protection without the addition of high-leakage, nonlinear, external diodes.

The JFE150 can withstand a high drain-to-source voltage of 40 V, as well as gate-to-source and gate-to-drain voltages down to –40 V. The temperature range is specified from –40°C to +125°C. The device is offered in 5-pin SOT-23 and SC70 packages.

filter

기타 Transistors 찾기

다운로드 스크립트와 함께 비디오 보기 동영상

관심 가지실만한 유사 제품

open-in-new

대안 비교

다른 핀 출력을 지원하지만 비교 대상 장치와 동일한 기능

JFE2140

활성

듀얼, 초저잡음, 낮은 게이트 전류 오디오 N-채널 JFET Dual version of JFE150

기술 자료

star

=TI에서 선정한 이 제품의 인기 문서

검색된 결과가 없습니다. 검색어를 지우고 다시 시도하십시오.

4개 모두 보기

	유형	직함		날짜
*	Data sheet	JFE150 Ultra-Low-Noise, Low-Gate-Current, Audio, N-Channel JFET datasheet (Rev. B)	PDF \| HTML	2023/04/25
	Certificate	JFE150EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC)		2022/02/28
	User guide	JFE150EVM User's Guide	PDF \| HTML	2022/02/25
	Application note	JFE150 Ultra-Low-Noise Pre-Amp	PDF \| HTML	2021/10/06

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

DIP-ADAPTER-EVM — DIP 어댑터 평가 모듈

소형 표면 실장 IC(집적 회로)와 쉽고 빠르며 경제적인 방식으로 인터페이싱하는 방법을 제공하는 DIP 어댑터 평가 모듈(DIP-ADAPTER-EVM)로 연산 증폭기 프로토타이핑 및 테스트 속도를 높이세요. 제품에 포함된 Samtec 터미널 스트립을 사용하여 지원되는 연산 증폭기를 연결하거나 기존 회로에 직접 연결할 수 있습니다.

DIP 어댑터 EVM 키트는 다음을 포함해 가장 널리 사용되는 6개의 업계 표준 패키지를 지원합니다.

D 및 U(SOIC-8)
PW(TSSOP-8)
DGK(MSOP-8, VSSOP-8)
(...)

사용 설명서: PDF

TI.com에서 구매 불가

평가 보드

JFE150EVM — 초저잡음, 낮은 게이트 전류 오디오 N-채널 JFET용 JFE150 평가 모듈

JFE150 평가 모듈(EVM)은 JFE150 장치의 기본 기능 평가를 제공하기 위해 고안되었습니다. EVM은 단일 12V 전원에 60dB 게인을 제공하는 폐쇄 루프 전치 증폭기 구성으로 구성되어 있습니다. 다양한 회로 구성에 대해 사용자 수정 작업을 수행할 수 있습니다.

사용 설명서: PDF | HTML