제품 상세 정보

Vn at 1 kHz (nV√Hz) 0.9 Breakdown voltage (V) 40 VDS (V) 40 VGS (V) -40 VGSTH typ (typ) (V) 1.2 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Vn at 1 kHz (nV√Hz) 0.9 Breakdown voltage (V) 40 VDS (V) 40 VGS (V) -40 VGSTH typ (typ) (V) 1.2 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 WSON (DSG) 8 4 mm² 2 x 2
  • Ultra-low noise:
    • Voltage noise:
      • 0.9 nV/√ Hz at 1 kHz, I DS = 5 mA
      • 1.1 nV/√ Hz at 1 kHz, I DS = 2 mA
    • Current noise: 1.6 fA/√ Hz at 1 kHz
  • Low V GS mismatch: 4 mV (max)
  • Low gate current: 10 pA (max)
  • Low input capacitance: 13 pF at V DS = 5 V

  • High gate-to-drain and gate-to-source breakdown voltage: –40 V

  • High transconductance: 30 mS

  • Packages: SOIC, 2-mm × 2-mm WSON

  • Ultra-low noise:
    • Voltage noise:
      • 0.9 nV/√ Hz at 1 kHz, I DS = 5 mA
      • 1.1 nV/√ Hz at 1 kHz, I DS = 2 mA
    • Current noise: 1.6 fA/√ Hz at 1 kHz
  • Low V GS mismatch: 4 mV (max)
  • Low gate current: 10 pA (max)
  • Low input capacitance: 13 pF at V DS = 5 V

  • High gate-to-drain and gate-to-source breakdown voltage: –40 V

  • High transconductance: 30 mS

  • Packages: SOIC, 2-mm × 2-mm WSON

The JFE2140 is a Burr-Brown™ Audio, matched-pair discrete JFET built using Texas Instruments’ modern, high-performance, analog bipolar process. The JFE2140 features performance not previously available in older discrete JFET technologies. The JFE2140 offers excellent noise performance across all current ranges, where the quiescent current can be set by the user from 50 µA to 20 mA. When biased at 5 mA, the device yields 0.9 nV/√ Hz of input-referred noise, giving ultra-low noise performance with extremely high input impedance (> 1 TΩ). In addition, the matching between JFETs is tested to ±4 mV, providing low offset and high CMRR performance for differential pair configurations. The JFE2140 also features integrated diodes connected to separate clamp nodes to provide protection without the addition of high leakage, nonlinear external diodes.

The JFE2140 can withstand a high drain-to-source voltage of 40‑V, as well as gate-to-source and gate-to-drain voltages down to –40 V. The temperature range is specified from –40°C to +125°C.

The JFE2140 is a Burr-Brown™ Audio, matched-pair discrete JFET built using Texas Instruments’ modern, high-performance, analog bipolar process. The JFE2140 features performance not previously available in older discrete JFET technologies. The JFE2140 offers excellent noise performance across all current ranges, where the quiescent current can be set by the user from 50 µA to 20 mA. When biased at 5 mA, the device yields 0.9 nV/√ Hz of input-referred noise, giving ultra-low noise performance with extremely high input impedance (> 1 TΩ). In addition, the matching between JFETs is tested to ±4 mV, providing low offset and high CMRR performance for differential pair configurations. The JFE2140 also features integrated diodes connected to separate clamp nodes to provide protection without the addition of high leakage, nonlinear external diodes.

The JFE2140 can withstand a high drain-to-source voltage of 40‑V, as well as gate-to-source and gate-to-drain voltages down to –40 V. The temperature range is specified from –40°C to +125°C.

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기술 자료

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유형 직함 날짜
* Data sheet JFE2140 Ultra-Low Noise, Matched, Dual, Low-Gate Current, Discrete, Audio, N‑Channel JFET datasheet (Rev. B) PDF | HTML 2023/08/31
Application brief Ultra-Low-Noise JFET Preamplifier Design for High Impedance Sensors PDF | HTML 2024/05/16
Application note JFE2140 Ultra-Low-Noise Pre-Amplifier PDF | HTML 2023/03/02
User guide JFE2140 Evaluation Module Users Guide PDF | HTML 2022/09/20
Certificate JFE2140EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 2022/09/07

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

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DIP 어댑터 EVM 키트는 다음을 포함해 가장 널리 사용되는 6개의 업계 표준 패키지를 지원합니다.

  • D 및 U(SOIC-8)
  • PW(TSSOP-8)
  • DGK(MSOP-8, VSSOP-8)
  • (...)
사용 설명서: PDF
평가 보드

JFE2140EVM — 듀얼, 초저잡음, 낮은 게이트 전류, 오디오, N-채널 JFET용 JFE2140 평가 모듈

JFE2140 평가 모듈(EVM)은 JFE2140의 기본 기능을 평가합니다. EVM은 분할 ±5V 전원에 60dB 게인을 제공하는 폐쇄 루프 전치 증폭기 구성으로 구성되어 있습니다. 다양한 회로 구성에 대해 사용자 수정 작업을 수행할 수 있습니다.

사용 설명서: PDF | HTML
시뮬레이션 모델

JFEx140 TINA-TI Reference Design

SLPM356.TSC (137 KB) - TINA-TI Reference Design
시뮬레이션 모델

JFEx140 PSpice Model

SLPM355.ZIP (53 KB) - PSpice Model
시뮬레이션 모델

JFEx140 TINA-TI Spice Model

SLPM357.ZIP (2 KB) - TINA-TI Spice Model
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
WSON (DSG) 8 Ultra Librarian

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

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