CSD23382F4

現行

-12-V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 LGA 0.6 mm x 1 mm、76 mOhm、閘極 ESD 防護

產品詳細資料

VDS (V) -12 VGS (V) -8 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 76 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 105 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 1.04 QGD (typ) (nC) 0.15 QGS (typ) (nC) 0.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -12 VGS (V) -8 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 76 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 105 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 1.04 QGD (typ) (nC) 0.15 QGS (typ) (nC) 0.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJC) 3 0.657225 mm² 1.035 x 0.635
  • Low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Low profile
    • 0.36-mm maximum height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 2-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Pb terminal plating
  • Halogen free
  • RoHS compliant
  • Low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Low profile
    • 0.36-mm maximum height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 2-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Pb terminal plating
  • Halogen free
  • RoHS compliant

This 66-mΩ, 12-V P-channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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This 66-mΩ, 12-V P-channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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設計與開發

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開發板

CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P 通道評估模組

此 FemtoFET P-ch EVM 包括六片子卡,每片卡都包含不同的 FemtoFET p-ch 零件編號。  子卡可讓工程師輕鬆連接和測試這些微型裝置。  六個 FemtoFET 範圍從 12V 到 20V Vds,而裝置的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

使用指南: PDF
TI.com 無法提供
支援軟體

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支援產品和硬體

支援產品和硬體

產品
MOSFET
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100-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 D2PAK、3.4 mOhm CSD19536KCS 100-V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,單 TO-220、2.7 mOhm CSD19536KTT 100-V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 D2PAK、2.4 mOhm CSD19537Q3 100-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 SON 3 mm x 3 mm、14.5 mOhm CSD19538Q2 100-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 SON 2 mm x 2 mm、59 mOhm CSD19538Q3A 100-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 SON 3 mm x 3 mm、61 mOhm CSD22202W15 -8V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 WLP 1.5 mm x 1.5 mm、12.2 mOhm、閘極 ESD 保護 CSD22204W -8V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 WLP 1.5 mm x 1.5 mm、9.9 mOhm、閘極 ESD 保護 CSD22205L -8V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 LGA 1.2 mm x 1.2 mm、9.9 mOhm、閘極 ESD 防護 CSD22206W -8V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 WLP 1.5 mm x 1.5 mm、5.7 mOhm、閘極 ESD 保護 CSD23202W10 -12-V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 WLP 1 mm x 1 mm、53 mOhm、閘極 ESD 防護 CSD23203W -8V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 WLP 1 mm x 1.5 mm、19.4 mOhm、閘極 ESD 保護 CSD23280F3 -12-V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 LGA 0.6 mm x 0.7 mm、116 mOhm、閘極 ESD 防護 CSD23285F5 -12-V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 LGA 0.8 mm x 1.5 mm、35 mOhm、閘極 ESD 防護 CSD23381F4 -12-V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 LGA 0.6 mm x 1 mm、175 mOhm、閘極 ESD 保護 CSD23382F4 -12-V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 LGA 0.6 mm x 1 mm、76 mOhm、閘極 ESD 防護 CSD25202W15 -20-V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 WLP 1.5 mm x 1.5 mm、26 mOhm、閘極 ESD 防護 CSD25211W1015 -20-V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 WLP 1 mm x 1.5 mm、33 mOhm、閘極 ESD 防護 CSD25213W10 -20-V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 WLP 1 mm x 1 mm、47 mOhm、閘極 ESD 防護 CSD25304W1015 -20-V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 單 WLP 1 mm x 1.5 mm、32.5 mOhm CSD25310Q2 -20-V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 單 SON 2 mm x 2 mm, 23.9 mOhm CSD25402Q3A -20-V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 單 SON 3 mm x 3 mm, 8.9 mOhm CSD25404Q3 -20-V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 單 SON 3 mm x 3 mm, 6.5 mOhm CSD25480F3 -20-V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 LGA 0.6 mm x 0.7 mm、159 mOhm、閘極 ESD 防護 CSD25481F4 -20-V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 LGA 0.6 mm x 1 mm、105 mOhm、閘極 ESD 防護 CSD25483F4 -20-V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 LGA 0.6 mm x 1 mm、245 mOhm、閘極 ESD 防護 CSD25484F4 -20-V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 LGA 0.6 mm x 1 mm、109 mOhm、閘極 ESD 保護 CSD25485F5 -20-V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 LGA 0.8 mm x 1.5 mm、42 mOhm、閘極 ESD 保護 CSD25501F3 -20-V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 LGA 0.6 mm x 0.7 mm、76 mOhm、閘極 ESD 保護
模擬型號

CSD23382F4 TINA-TI Transient Reference Design

SLPM289.TSC (1045 KB) - TINA-TI Reference Design
模擬型號

CSD23382F4 TINA-TI Transient Spice Model

SLPM290.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
模擬型號

CSD23382F4 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM120B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
參考設計

TIDA-00556 — 適用於穿戴式裝置的負載開關式運送模式參考設計

The TIDA-00556 is a low power, space saving "ship mode" reference design targeted specifically for wearables and other small portable electronics that can be implemented with a simple, low cost load switch.
Design guide: PDF
電路圖: PDF
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
PICOSTAR (YJC) 3 Ultra Librarian

訂購與品質

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  • MSL 等級/回焊峰值
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  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中持續性的可靠性監測
內含資訊:
  • 晶圓廠位置
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