CSD13302W
- Ultra Low On Resistance
- Low Qg and Qgd
- Small Footprint 1 mm × 1 mm
- Low Profile 0.62 mm Height
- Pb Free
- RoHS Compliant
- Halogen Free
This 14.6 mΩ, 12 V, N-Channel device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in a small 1 × 1 mm outline with excellent thermal characteristics and an ultra low profile.
技術文件
類型 | 標題 | 日期 | ||
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* | Data sheet | CSD13302W 12 V N Channel NexFET Power MOSFET datasheet | PDF | HTML | 2015年 3月 16日 |
Application note | MOSFET Support and Training Tools (Rev. F) | PDF | HTML | 2024年 6月 14日 | |
Application note | Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) | PDF | HTML | 2024年 3月 25日 | |
Application note | Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design | PDF | HTML | 2023年 12月 18日 | |
Application note | Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs | PDF | HTML | 2023年 12月 14日 | |
Application note | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 2023年 3月 13日 | |
Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022年 5月 31日 | |
More literature | WCSP Handling Guide | 2019年 11月 7日 | ||
Application note | AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) | 2019年 6月 14日 |
設計與開發
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訂購與品質
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