CSD22205L
- Low resistance
- Small footprint 1.2 mm × 1.2 mm
- Low profile 0.36-mm height
- Lead free
- Gate-source voltage clamp
- Gate ESD protection
- RoHS compliant
- Halogen free
This –8-V, 8.2-mΩ, 1.2-mm × 1.2-mm Land Grid Array (LGA) NexFET™ device has been designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. The Land Grid Array (LGA) package is a silicon chip scale package with metal pads instead of solder balls.
技術文件
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檢視所有 9 類型 | 標題 | 日期 | ||
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* | Data sheet | CSD22205L –8-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET datasheet (Rev. B) | PDF | HTML | 2021年 9月 8日 |
Application note | MOSFET Support and Training Tools (Rev. F) | PDF | HTML | 2024年 6月 14日 | |
Application note | Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) | PDF | HTML | 2024年 3月 25日 | |
Application note | Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design | PDF | HTML | 2023年 12月 18日 | |
Application note | Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs | PDF | HTML | 2023年 12月 14日 | |
Application note | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 2023年 3月 13日 | |
Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022年 5月 31日 | |
More literature | WCSP Handling Guide | 2019年 11月 7日 | ||
Design guide | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 2016年 7月 7日 |
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