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引腳對引腳且具備與所比較裝置相同的功能
CSD16321Q5
- Optimized for 5V gate drive
- Ultra-low Qg and Qgd
- Low-thermal resistance
- Avalanche rated
- Lead-free terminal plating
- RoHS compliant
- SON 5mm × 6mm plastic package
This 25V, 1.9mΩ, 5mm × 6mm SON NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion and optimized for 5V gate drive applications.
技術文件
類型 | 標題 | 日期 | ||
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* | Data sheet | CSD16321Q5 25V N-Channel NexFET™ Power MOSFET datasheet (Rev. E) | PDF | HTML | 2023年 12月 1日 |
Application note | Avoid Common Mistakes When Selecting And Designing With Power MOSFETs | PDF | HTML | 2024年 11月 6日 | |
Application note | MOSFET Support and Training Tools (Rev. F) | PDF | HTML | 2024年 6月 14日 | |
Application note | Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) | PDF | HTML | 2024年 3月 25日 | |
Application note | Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design | PDF | HTML | 2023年 12月 18日 | |
Application note | QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) | PDF | HTML | 2023年 12月 6日 | |
Application note | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 2023年 3月 13日 | |
Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022年 5月 31日 | |
Selection guide | Power Management Guide 2018 (Rev. R) | 2018年 6月 25日 | ||
Application note | Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs | 2011年 11月 16日 |
設計與開發
如需其他條款或必要資源,請按一下下方的任何標題以檢視詳細頁面 (如有)。
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封裝 | 針腳 | CAD 符號、佔位空間與 3D 模型 |
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VSON-CLIP (DQH) | 8 | Ultra Librarian |
訂購與品質
- RoHS
- REACH
- 產品標記
- 鉛塗層/球物料
- MSL 等級/回焊峰值
- MTBF/FIT 估算值
- 材料內容
- 認證摘要
- 進行中持續性的可靠性監測
- 晶圓廠位置
- 組裝地點
建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。