CSD25481F4
- Ultra-low on resistance
- Ultra-low Qg and Qgd
- High operating drain current
- Ultra-small footprint (0402 Case Size)
- 1 mm × 0.6 mm
- Ultra-low profile
- 0.36 mm max height
- Integrated ESD protection diode
- Rated >4 kV HBM
- Rated >2 kV CDM
- Lead and halogen free
- RoHS compliant
This 90-mΩ, 20-V P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.
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技術文件
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* | Data sheet | CSD25481F4 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET datasheet (Rev. F) | PDF | HTML | 2021年 9月 7日 |
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More literature | WCSP Handling Guide | 2019年 11月 7日 | ||
EVM User's guide | Ultra-Small Footprint P-Channel FemtoFET™ MOSFET Test EVM | 2017年 12月 6日 | ||
Design guide | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 2016年 7月 7日 |
設計與開發
如需其他條款或必要資源,請按一下下方的任何標題以檢視詳細頁面 (如有)。
開發板
CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P 通道評估模組
此 FemtoFET P-ch EVM 包括六片子卡,每片卡都包含不同的 FemtoFET p-ch 零件編號。 子卡可讓工程師輕鬆連接和測試這些微型裝置。 六個 FemtoFET 範圍從 12V 到 20V Vds,而裝置的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。
使用指南: PDF
支援軟體
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
封裝 | 針腳 | CAD 符號、佔位空間與 3D 模型 |
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PICOSTAR (YJC) | 3 | Ultra Librarian |
訂購與品質
內含資訊:
- RoHS
- REACH
- 產品標記
- 鉛塗層/球物料
- MSL 等級/回焊峰值
- MTBF/FIT 估算值
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內含資訊:
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建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。