Startseite Motortreiber Intelligente Galliumnitrid (GaN)-Leistungsmodule (IPMs)
Startseite
Motortreiber
Intelligente Galliumnitrid (GaN)-Leistungsmodule (IPMs)
NEU

DRV7308

VORSCHAU

Dreiphasiges integriertes GaN-FET-Intelligent Power Module (IPM), ‌650 V, 205 mΩ, mit Schutz und Str

Jetzt bestellen
Datenblatt

DRV7308

VORSCHAU
Datenblatt Jetzt bestellen

Produktdetails

Rating Catalog Architecture Integrated FET Control interface 6xPWM Peak output current (A) 5 RDS(ON) (HS + LS) (mΩ) 250 VDS (max) (V) 650 Features Integrated FETs Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Architecture Integrated FET Control interface 6xPWM Peak output current (A) 5 RDS(ON) (HS + LS) (mΩ) 250 VDS (max) (V) 650 Features Integrated FETs Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REN) 68 144 mm² 12 x 12
  • Three-phase PWM motor driver with integrated 650V enhancement mode GaNFETs
  • Up to 450V operating voltage
    • 650V absolute maximum voltage
  • High output current capability: 5A Peak current
  • Low conduction loss: Low on-state resistance per GaN FET: 205mΩ RDS(ON) at TA = 25°C
  • Low switching loss: Zero reverse recovery, low output capacitance, slew rate control
  • Low distortion: Ultra low propagation delay < 135ns, Ultra low adaptive dead time < 200ns
  • Integrated gate drives with slew rate control of phase node voltage
    • Slew rate options from 5V/ns to 40V/ns
  • 500ns minimum low side on time support with integrated fast bootstrap GaN rectifier
  • Low-side GaN FET open source pins to support 1- or 2- or 3-shunt current sensing
  • Supports up to 60kHz hard switching
  • Integrates a 11MHz, 15V/µs amplifier for single shunt current sensing
  • Supports 3.3V and 5V logic inputs
  • Integrated BRAKE functionality to turn on all low side GaN FETs together
  • Integrated temperature sensor
  • >1.6mm clearance between OUTx and OUTx, VM and OUTx and OUTx and PGND.
  • 2mm clearance between VM and PGND
  • Integrated protection features
    • GVDD and bootstrap under voltage lockout
    • Over current protection for each GaN FET
    • Over temperature protection
    • PWM input dead time
    • Current limit protection using integrated comparators for all three phases
    • Fault condition indication pin (HV_nFAULT)
  • Three-phase PWM motor driver with integrated 650V enhancement mode GaNFETs
  • Up to 450V operating voltage
    • 650V absolute maximum voltage
  • High output current capability: 5A Peak current
  • Low conduction loss: Low on-state resistance per GaN FET: 205mΩ RDS(ON) at TA = 25°C
  • Low switching loss: Zero reverse recovery, low output capacitance, slew rate control
  • Low distortion: Ultra low propagation delay < 135ns, Ultra low adaptive dead time < 200ns
  • Integrated gate drives with slew rate control of phase node voltage
    • Slew rate options from 5V/ns to 40V/ns
  • 500ns minimum low side on time support with integrated fast bootstrap GaN rectifier
  • Low-side GaN FET open source pins to support 1- or 2- or 3-shunt current sensing
  • Supports up to 60kHz hard switching
  • Integrates a 11MHz, 15V/µs amplifier for single shunt current sensing
  • Supports 3.3V and 5V logic inputs
  • Integrated BRAKE functionality to turn on all low side GaN FETs together
  • Integrated temperature sensor
  • >1.6mm clearance between OUTx and OUTx, VM and OUTx and OUTx and PGND.
  • 2mm clearance between VM and PGND
  • Integrated protection features
    • GVDD and bootstrap under voltage lockout
    • Over current protection for each GaN FET
    • Over temperature protection
    • PWM input dead time
    • Current limit protection using integrated comparators for all three phases
    • Fault condition indication pin (HV_nFAULT)

The DRV7308 is a three-phase intelligent power module (IPM) that consists of 205mΩ, 650V e-mode Gallium-Nitride (GaN) for driving three-phase BLDC/PMSM motors up to 450V DC rails. The applications include field-oriented control (FOC), sinusoidal current control, and trapezoidal (six step) current control of BLDC motors. The device helps to achieve more than 99% efficiency for a 3-phase modulated, FOC-driven, 250W motor drive application in a QFN 12mm x 12mm package at 20kHz switching frequency, eliminating the need for heat sink. The device helps to achieve ultra quiet operation, with very low dead time. The integrated bootstrap rectifier with bootstrap current limit, eliminates the need for an external bootstrap diode.

The DRV7308 is a three-phase intelligent power module (IPM) that consists of 205mΩ, 650V e-mode Gallium-Nitride (GaN) for driving three-phase BLDC/PMSM motors up to 450V DC rails. The applications include field-oriented control (FOC), sinusoidal current control, and trapezoidal (six step) current control of BLDC motors. The device helps to achieve more than 99% efficiency for a 3-phase modulated, FOC-driven, 250W motor drive application in a QFN 12mm x 12mm package at 20kHz switching frequency, eliminating the need for heat sink. The device helps to achieve ultra quiet operation, with very low dead time. The integrated bootstrap rectifier with bootstrap current limit, eliminates the need for an external bootstrap diode.
filter Andere Intelligente Galliumnitrid (GaN)-Leistungsmodule (IPMs) suchen
Herunterladen Video mit Transkript ansehen Video

Technische Dokumentation

star =Von TI ausgewählte Top-Empfehlungen für dieses Produkt
Keine Ergebnisse gefunden. Bitte geben Sie einen anderen Begriff ein und versuchen Sie es erneut.
Alle anzeigen 4
Typ Titel Datum
* Data sheet DRV7308 Three Phase 650V, 5A, GaN Intelligent Power Module datasheet PDF | HTML 29 Mai 2024
Technical article Achieving household energy efficiency and cost savings with GaN-based motor system designs PDF | HTML 07 Jun 2024
White paper How Three-Phase Integrated GaN Technology Maximizes Motor-Drive Performance PDF | HTML 06 Jun 2024
EVM User's guide DRV7308 Evaluation Module User's Guide 21 Mai 2024

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

DRV7308EVM — DRV7308 Evaluierungsmodul

Das DRV7308EVM ist ein Modul, das für die gründliche Evaluierung des Motortreibers DRV7308 entwickelt wurde. Der Baustein ist ein 250 W, 450 V integrierter Dreifach-Galliumnitrid (GaN)-FET-Halbbrücken-Gate-Treiber für Motortreiberanwendungen. Der DRV7308EVM bietet drei 650 V E-Mode GaN (...)

Benutzerhandbuch: PDF
Anfordern
Referenzdesigns

TIDA-010273 — Referenzdesign für Motorinverter 250 W

Bei diesem Referenzdesign handelt es sich um einen Motorantrieb mit 250 W, der für Großgeräte oder ähnliche Anwendungen geeignet ist. Es illustriert einen GaN IPM DRV7308-basierten hocheffizienten Motorinverter ohne Kühlkörper und demonstriert außerdem ein Design mit niedrigem (...)
Design guide: PDF
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
VQFN (REN) 68 Ultra Librarian
Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

Bestellen & Qualität

Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

Support und Schulungen

TI E2E™-Foren mit technischem Support von TI-Ingenieuren

Alle Forenthemen auf Englisch anzeigen

Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.

Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support. ​​​​​​​​​​​​​​

Videos