DRV8300U

AKTIV

Einfacher Drei-Phasen-Gate-Treiber mit Bootstrap-Dioden und verbessertem UVLO-Schutz, max. 100 V

Produktdetails

Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 0.75 Vs (min) (V) 5 Vs ABS (max) (V) 100 Features Bootstrap Diode Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 0.75 Vs (min) (V) 5 Vs ABS (max) (V) 100 Features Bootstrap Diode Operating temperature range (°C) -40 to 125
TSSOP (PW) 20 41.6 mm² 6.5 x 6.4 VQFN (RGE) 24 16 mm² 4 x 4
  • 100-V Three Phase Half-Bridge Gate driver
    • Drives N-Channel MOSFETs (NMOS)
    • Gate Driver Supply (GVDD): 5-20 V
    • MOSFET supply (SHx) support upto 100 V
  • Integrated Bootstrap Diodes (DRV8300UD devices)
  • Supports Inverting and Non-Inverting INLx inputs
  • Bootstrap gate drive architecture
    • 750-mA source current
    • 1.5-A sink current
  • Supports up to 15S battery powered applications
  • Higher BSTUV (8V typ) and GVDDUV (7.6V typ) threshold to support standard MOSFETs
  • Low leakage current on SHx pins (<55 µA)
  • Absolute maximum BSTx voltage upto 125-V
  • Supports negative transients upto -22-V on SHx
  • Built-in cross conduction prevention
  • Adjustable deadtime through DT pin for QFN package variants
  • Fixed deadtime insertion of 200 nS for TSSOP package variants
  • Supports 3.3-V and 5-V logic inputs with 20 V Abs max
  • 4 nS typical propogation delay matching
  • Compact QFN and TSSOP packages
  • Efficient system design with Power Blocks
  • Integrated protection features
    • BST undervoltage lockout (BSTUV)
    • GVDD undervoltage (GVDDUV)
  • 100-V Three Phase Half-Bridge Gate driver
    • Drives N-Channel MOSFETs (NMOS)
    • Gate Driver Supply (GVDD): 5-20 V
    • MOSFET supply (SHx) support upto 100 V
  • Integrated Bootstrap Diodes (DRV8300UD devices)
  • Supports Inverting and Non-Inverting INLx inputs
  • Bootstrap gate drive architecture
    • 750-mA source current
    • 1.5-A sink current
  • Supports up to 15S battery powered applications
  • Higher BSTUV (8V typ) and GVDDUV (7.6V typ) threshold to support standard MOSFETs
  • Low leakage current on SHx pins (<55 µA)
  • Absolute maximum BSTx voltage upto 125-V
  • Supports negative transients upto -22-V on SHx
  • Built-in cross conduction prevention
  • Adjustable deadtime through DT pin for QFN package variants
  • Fixed deadtime insertion of 200 nS for TSSOP package variants
  • Supports 3.3-V and 5-V logic inputs with 20 V Abs max
  • 4 nS typical propogation delay matching
  • Compact QFN and TSSOP packages
  • Efficient system design with Power Blocks
  • Integrated protection features
    • BST undervoltage lockout (BSTUV)
    • GVDD undervoltage (GVDDUV)

DRV8300U is 100-V three half-bridge gate drivers, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8300UD generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. GVDD is used to generate gate drive voltage for the low-side MOSFETs. The Gate Drive architecture supports peak up to 750-mA source and 1.5-A sink currents.

The phase pins SHx is able to tolerate the significant negative voltage transients; while high side gate driver supply BSTx and GHx is able to support to higher positive voltage transients (125-V) abs max voltage which improves robustness of the system. Small propagation delay and delay matching specifications minimize the dead-time requirement which further improves efficiency. Undervoltage protection is provided for both low and high side through GVDD and BST undervoltage lockout.

DRV8300U is 100-V three half-bridge gate drivers, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8300UD generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. GVDD is used to generate gate drive voltage for the low-side MOSFETs. The Gate Drive architecture supports peak up to 750-mA source and 1.5-A sink currents.

The phase pins SHx is able to tolerate the significant negative voltage transients; while high side gate driver supply BSTx and GHx is able to support to higher positive voltage transients (125-V) abs max voltage which improves robustness of the system. Small propagation delay and delay matching specifications minimize the dead-time requirement which further improves efficiency. Undervoltage protection is provided for both low and high side through GVDD and BST undervoltage lockout.

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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
* Data sheet DRV8300U: 100-V Three-Phase BLDC Gate Driver datasheet (Rev. A) PDF | HTML 14 Sep 2022

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

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Produkte
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MSPM0G1105 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 32 KB Flash, 16 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps ADC, Operationsverstärke MSPM0G1106 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 64 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps ADC, Operationsverstärker MSPM0G1107 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 128 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps ADC, Operationsverstärk MSPM0G1505 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 32 KB Flash 16 KB SRAM 2x4 Msps ADC, 12 Bit DAC, 3xCOMP, 2xOPA, MATH MSPM0G1506 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 64 KB Flash 32 KB SRAM 2x4 Msps ADC, 12 Bit DAC, 3xCOMP, 2xOPA, MATH MSPM0G1507 80 MHz Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 128 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x4-Msps ADC, 12-Bit DAC, 3xCOMP, 2xOPA, M MSPM0G1519 80 MHz ARM® Cortex®-M0+ MCU mit Dual-Bank 512 kB Flash, 128 kB SRAM, 2xADC-DAC, 3xCOMP MSPM0G3105 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 32 KB Flash, 16 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps ADC, Operationsverstärker C MSPM0G3105-Q1 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU für die Automobilindustrie mit 32 KB Flash, 16 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps MSPM0G3106 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 64 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps ADC, Operationsverstärker C MSPM0G3106-Q1 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU für die Automobilindustrie mit 64 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps MSPM0G3107 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 128 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps ADC, Operationsverstärker MSPM0G3107-Q1 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU für die Automobilindustrie mit 128 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps MSPM0G3505 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 32 KB Flash, 16 KB SRAM, 2x4 Msps ADC, DAC, 3xCOMP, 2xOPA, CAN-FD MSPM0G3505-Q1 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU für die Automobilindustrie mit 32KB Flash, 16KB SRAM, ADC, DAC, COMP, OP MSPM0G3506 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 64 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x4 Msps ADC, DAC, 3xCOMP, 2xOPA, CAN-FD, M MSPM0G3506-Q1 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU für die Automobilindustrie mit 64KB Flash, 32KB SRAM, ADC, DAC, COMP, OP MSPM0G3507 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 128 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x4 Msps ADC, DAC, 3xCOMP, 2xOPA, CAN-FD, MSPM0G3507-Q1 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU für die Automobilindustrie mit 128KB Flash, 32KB SRAM, ADC, DAC, COMP, O MSPM0G3519 80 MHz ARM® Cortex®-M0+ MCU mit Dual-Bank 512 kB Flash, 128 kB SRAM, 2xCAN-FD, 2xADC, DAC, COMP MSPM0L1303 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 8 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1304 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 16 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1304-Q1 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+ für die Automobilindustrie mit 16 KB Flash, 2 KB RAM, 12-Bit-ADC, OPA, LIN MSPM0L1305 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 32 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1305-Q1 32-MHz-Arm® Cortex-M0®+ für die Automobilindustrie, mit 32 KB Flash, 4 KB RAM, 12-Bit-ADC, OPA, LIN MSPM0L1306 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 64 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1306-Q1 32-MHz-Arm® Cortex-M0®+ für die Automobilindustrie, mit 64 KB Flash, 4 KB RAM, 12-Bit-ADC, OPA, LIN MSPM0L1343 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 8 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA MSPM0L1344 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 16 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA MSPM0L1345 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 32 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA MSPM0L1346 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 64 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA
BLDC-Treiber
DRV8300 Einfacher dreiphasiger Gate-Treiber für max. 100 V mit Bootstrap-Dioden DRV8300-Q1 100-V-Batterie-3-Phasen-Gate-Treiber mit präziser Stromerfassung und verbessertem Schutz, für die Au DRV8300U Einfacher Drei-Phasen-Gate-Treiber mit Bootstrap-Dioden und verbessertem UVLO-Schutz, max. 100 V DRV8311 Max. 24 V abs., 3 bis 20 V, dreiphasiger bürstenloser Gleichstrom-Motortreiber mit integrierten FETs DRV8316 3-Phasen-Motortreiber mit 8-A-Peak für max. 40 V mit integrierter Strommessung und integrierten FETs DRV8316-Q1 40-V-Drei-Phasen-Motortreiber, max. 8 A Spitze und integrierter Strommessung (Automobilindustrie) DRV8316C-Q1 40-V-Drei-Phasen-Motortreiber, max. 8 A Spitze und integrierter Strommessung (Automobilindustrie) DRV8317 24-V-Drei-Phasen-Motortreiber, max. 5 A Spitze und integrierte FETs und Strommessung DRV8323 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 65 V, mit Strom-Shunt-Verstärkern DRV8323R Maximal dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber für 65 V mit Abwärtsregler und Strom-Shunt-Verstärke DRV8328 Dreiphasiger 60-V-Gate-Treiber für 1000/2000 mA DRV8329 Dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber (60 V) mit drei Strom-Shunt-Verstärkern DRV8353 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 102 V, mit Strom-Shunt-Verstärkern DRV8353F 102-V max. 3-phasiger Smart Gate-Treiber mit 3x CSA, qualifiziert für Funktionssicherheitsapplikatio DRV8353R Maximal dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber für 102 V mit Abwärtsregler und Strom-Shunt-Verstärk
Schrittmotortreiber
DRV8411A Doppel-H-Brücken-Motortreiber, (1,65 bis 11 V, 4 A) mit Stromregelung über IPROPI DRV8889-Q1 Bipolarer Schrittmotortreiber für die Automobilindustrie, 50 V, 1,5 A-, integrierte Strommessung & A
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