Produktdetails

Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 3xPWM, 6xPWM Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 65 Features 1x low side current sense, Bootstrap Architecture for Gate Driver, HW based configuration, Supports 100% PWM Duty Cycle with Trickle Charge pump Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 3xPWM, 6xPWM Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 65 Features 1x low side current sense, Bootstrap Architecture for Gate Driver, HW based configuration, Supports 100% PWM Duty Cycle with Trickle Charge pump Operating temperature range (°C) -40 to 125
WQFN (REE) 36 20 mm² 4 x 5
  • 65-V Three Phase Half-Bridge Gate Driver
    • Drives 3 High-Side and 3 Low-Side N-Channel MOSFETs (NMOS)
    • 4.5 to 60-V Operating Voltage Range
    • Supports 100% PWM Duty Cycle with Trickle Charge pump
  • Bootstrap based Gate Driver Architecture
    • 1000-mA Maximum Peak Source Current
    • 2000-mA Maximum Peak Sink Current
  • Integrated Current Sense Amplifier with low input offset (optimized for 1 shunt)
    • Adjustable Gain (5, 10, 20, 40 V/V)
  • Hardware interface provides simple configuration
  • Ultra-low power sleep mode <1 uA at 25 ̊C
  • 4-ns (typ) propagation delay matching between phases
  • Independent driver shutdown path (DRVOFF)
  • 65-V tolerant wake pin (nSLEEP)
  • Supports negative transients upto -10V on SHx
  • 6x and 3x PWM Modes
  • Supports 3.3-V, and 5-V Logic Inputs
  • Accurate LDO (AVDD), 3.3 V ±3%, 80 mA
  • Compact QFN Packages and Footprints
  • Adjustable VDS overcurrent threshold through VDSLVL pin
  • Adjustable deadtime through DT pin
  • Efficient System Design With Power Blocks
  • Integrated Protection Features
    • PVDD Undervoltage Lockout (PVDDUV)
    • GVDD Undervoltage (GVDDUV)
    • Bootstrap Undervoltage (BST_UV)
    • Overcurrent Protection (VDS_OCP, SEN_OCP)
    • Thermal Shutdown (OTSD)
    • Fault Condition Indicator (nFAULT)
  • 65-V Three Phase Half-Bridge Gate Driver
    • Drives 3 High-Side and 3 Low-Side N-Channel MOSFETs (NMOS)
    • 4.5 to 60-V Operating Voltage Range
    • Supports 100% PWM Duty Cycle with Trickle Charge pump
  • Bootstrap based Gate Driver Architecture
    • 1000-mA Maximum Peak Source Current
    • 2000-mA Maximum Peak Sink Current
  • Integrated Current Sense Amplifier with low input offset (optimized for 1 shunt)
    • Adjustable Gain (5, 10, 20, 40 V/V)
  • Hardware interface provides simple configuration
  • Ultra-low power sleep mode <1 uA at 25 ̊C
  • 4-ns (typ) propagation delay matching between phases
  • Independent driver shutdown path (DRVOFF)
  • 65-V tolerant wake pin (nSLEEP)
  • Supports negative transients upto -10V on SHx
  • 6x and 3x PWM Modes
  • Supports 3.3-V, and 5-V Logic Inputs
  • Accurate LDO (AVDD), 3.3 V ±3%, 80 mA
  • Compact QFN Packages and Footprints
  • Adjustable VDS overcurrent threshold through VDSLVL pin
  • Adjustable deadtime through DT pin
  • Efficient System Design With Power Blocks
  • Integrated Protection Features
    • PVDD Undervoltage Lockout (PVDDUV)
    • GVDD Undervoltage (GVDDUV)
    • Bootstrap Undervoltage (BST_UV)
    • Overcurrent Protection (VDS_OCP, SEN_OCP)
    • Thermal Shutdown (OTSD)
    • Fault Condition Indicator (nFAULT)

The DRV8329 family of devices is an integrated gate driver for three-phase applications. The devices provide three half-bridge gate drivers, each capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The device generates the correct gate drive voltages using an internal charge pump and enhances the high-side MOSFETs using a bootstrap circuit. A trickle charge pump is included to support 100% duty cycle. The Gate Drive architecture supports peak gate drive currents up to 1-A source and 2-A sink. The DRV8329 can operate from a single power supply and supports a wide input supply range of 4.5 to 60 V.

The 6x and 3x PWM modes allow for simple interfacing to controller circuits. The device has integrated accurate 3.3-V LDO that can be used to power external controller and can be used as reference for CSA. The configuration settings for the device are configurable through hardware (H/W) pins.

The DRV8329 devices integrate low-side current sense amplifier that allow current sensing for sum of current from all three phases of the drive stage.

A low-power sleep mode is provided to achieve low quiescent current by shutting down most of the internal circuitry. Internal protection functions are provided for undervoltage lockout, GVDD fault, MOSFET overcurrent, MOSFET short circuit, and overtemperature. Fault conditions are indicated on nFAULT pin.

The DRV8329 family of devices is an integrated gate driver for three-phase applications. The devices provide three half-bridge gate drivers, each capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The device generates the correct gate drive voltages using an internal charge pump and enhances the high-side MOSFETs using a bootstrap circuit. A trickle charge pump is included to support 100% duty cycle. The Gate Drive architecture supports peak gate drive currents up to 1-A source and 2-A sink. The DRV8329 can operate from a single power supply and supports a wide input supply range of 4.5 to 60 V.

The 6x and 3x PWM modes allow for simple interfacing to controller circuits. The device has integrated accurate 3.3-V LDO that can be used to power external controller and can be used as reference for CSA. The configuration settings for the device are configurable through hardware (H/W) pins.

The DRV8329 devices integrate low-side current sense amplifier that allow current sensing for sum of current from all three phases of the drive stage.

A low-power sleep mode is provided to achieve low quiescent current by shutting down most of the internal circuitry. Internal protection functions are provided for undervoltage lockout, GVDD fault, MOSFET overcurrent, MOSFET short circuit, and overtemperature. Fault conditions are indicated on nFAULT pin.

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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
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Certificate DRV8329AEVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 22 Mär 2022

Design und Entwicklung

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BLDC-Treiber
DRV8300 Einfacher dreiphasiger Gate-Treiber für max. 100 V mit Bootstrap-Dioden DRV8300-Q1 100-V-Batterie-3-Phasen-Gate-Treiber mit präziser Stromerfassung und verbessertem Schutz, für die Au DRV8300U Einfacher Drei-Phasen-Gate-Treiber mit Bootstrap-Dioden und verbessertem UVLO-Schutz, max. 100 V DRV8311 Max. 24 V abs., 3 bis 20 V, dreiphasiger bürstenloser Gleichstrom-Motortreiber mit integrierten FETs DRV8316 3-Phasen-Motortreiber mit 8-A-Peak für max. 40 V mit integrierter Strommessung und integrierten FETs DRV8316-Q1 40-V-Drei-Phasen-Motortreiber, max. 8 A Spitze und integrierter Strommessung (Automobilindustrie) DRV8316C-Q1 40-V-Drei-Phasen-Motortreiber, max. 8 A Spitze und integrierter Strommessung (Automobilindustrie) DRV8317 24-V-Drei-Phasen-Motortreiber, max. 5 A Spitze und integrierte FETs und Strommessung DRV8323 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 65 V, mit Strom-Shunt-Verstärkern DRV8323R Maximal dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber für 65 V mit Abwärtsregler und Strom-Shunt-Verstärke DRV8328 Dreiphasiger 60-V-Gate-Treiber für 1000/2000 mA DRV8329 Dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber (60 V) mit drei Strom-Shunt-Verstärkern DRV8353 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 102 V, mit Strom-Shunt-Verstärkern DRV8353F 102-V max. 3-phasiger Smart Gate-Treiber mit 3x CSA, qualifiziert für Funktionssicherheitsapplikatio DRV8353R Maximal dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber für 102 V mit Abwärtsregler und Strom-Shunt-Verstärk
Schrittmotortreiber
DRV8411A Doppel-H-Brückentreiber, 1,65 bis 11 V, 4 A mit Stromregelung über IPROPI DRV8889-Q1 Bipolarer Schrittmotortreiber für die Automobilindustrie, 50 V, 1,5 A-, integrierte Strommessung & A
Treiber für Gleichstrom-Bürstenmotoren
DRV8706-Q1 Intelligenter 40-V-H-Brücken-Gate-Treiber mit Offline-Diagnose und Inline-Strommessverstärker für
Hardware-Entwicklung
Evaluierungsplatine
BOOSTXL-DRV8323RH DRV8323RH – dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber mit Buck, Shunt-Verstärkern (SPI-Schnittstelle) BOOSTXL-DRV8323RS DRV8323RS dreiphasiger Smart Gate-Treiber mit Abwärts- und Shunt-Verstärkern (SPI-Schnittstelle) DRV8300DIPW-EVM DRV8300DIPW Dreiphasen-BLDC – Evaluierungsmodul DRV8300DRGE-EVM DRV8300DRGE Dreiphasen-BLDC – Evaluierungsmodul DRV8311HEVM DRV8311H: Evaluierungsmodul für dreiphasigen PWM-Motortreiber DRV8316REVM DRV8316R Evaluierungsmodul für dreiphasigen PWM-Motortreiber DRV8317HEVM Evaluierungsmodul DRV8317 für dreiphasigen bürstenlosen DC (BLDC)-Gate-Treiber DRV8328AEVM DRV8328A Evaluierungsmodul für dreiphasigen PWM-Motortreiber DRV8329AEVM DRV8329A Evaluierungsmodul für dreiphasigen BLDC-Gate-Treiber DRV8353RH-EVM DRV8353RH – Dreiphasiges Smart Gate-Treiber-Evaluierungsmodul DRV8353RS-EVM DRV8353RS-Dreiphasiges Smart Gate-Treiber-Evaluierungsmodul DRV8411AEVM Evaluierungsmodul DRV8411A für Dual H-Brücken-Motortreiber mit Stromregelung DRV8706S-Q1EVM EVM für H-Brücken-Smart-Gate-Treiber für den Automobilbereich mit Strommessverstärker mit breitem DRV8889-Q1EVM DRV8889-Q1 Evaluierungsmodul für einen Schrittmotortreiber für die Automobilindustrie mit 1/256-Mikr LP-MSPM0G3507 MSPM0G3507 LaunchPad™ -Entwicklungskit für 80-MHz-Arm® Cortex®-M0+ MCU LP-MSPM0L1306 MSPM0L1306 LaunchPad™ Entwicklungskit für 32-MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU
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Software-Entwicklungskit (SDK)
MSPM0-SDK MSPM0 Software-Entwicklungskit (SDK)
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Berechnungstool

BLDC-MAX-QG-MOSFET-CALCULATOR Calculate the maximum QG MOSFET for your motor driver

Calculate the maximum QG MOSFET that can be driven based on the PWM switching frequency, algorithm type, and additional external capacitance.
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Produkte
BLDC-Treiber
DRV8320 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 65 V DRV8320R Maximal dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber für 65 V mit Abwärtsregler DRV8323 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 65 V, mit Strom-Shunt-Verstärkern DRV8323R Maximal dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber für 65 V mit Abwärtsregler und Strom-Shunt-Verstärke DRV8329 Dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber (60 V) mit drei Strom-Shunt-Verstärkern DRV8329-Q1 Dreiphasiger Gate-Treiber (60 V) für die Automobilindustrie mit einem Strommessverstärker DRV8334 3-Phasen-Gate-Treiber, 60 V, 1000 mA bis 2000 mA, mit genauer Strommessung DRV8340-Q1 12-bis-24-V-Batterie-3-Phasen-Smart-Gate-Treiber DRV8343-Q1 12-bis-24-V-Batterie-3-Phasen-Smart-Gate-Treiber mit Strom-Shunt-Verstärkern für die Automobilind DRV8350 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 102 V DRV8350F 102-V max. 3-phasiger Smart Gate-Treiber, qualifiziert für Funktionssicherheitsapplikationen DRV8350R Maximal 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, 102 V, mit Abwärtsregler DRV8353 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 102 V, mit Strom-Shunt-Verstärkern DRV8353F 102-V max. 3-phasiger Smart Gate-Treiber mit 3x CSA, qualifiziert für Funktionssicherheitsapplikatio DRV8353M Maximal 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, 102 V, mit Strom-Shunt-Verstärkern und erweitertem Te DRV8353R Maximal dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber für 102 V mit Abwärtsregler und Strom-Shunt-Verstärk
Berechnungstool

SLVRBM5 BLDC Gate Resistor Calculator

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Produkte
BLDC-Treiber
DRV8329 Dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber (60 V) mit drei Strom-Shunt-Verstärkern
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
WQFN (REE) 36 Ultra Librarian

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  • REACH
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  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

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