Produktdetails

Number of full bridges 1 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 40 Sleep current (µA) 2.5 Control mode Independent 1/2-Bridge, PH/EN, PWM Control interface Hardware (GPIO), SPI Features Inline Current sense Amplifier, Smart Gate Drive Rating Automotive TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125
Number of full bridges 1 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 40 Sleep current (µA) 2.5 Control mode Independent 1/2-Bridge, PH/EN, PWM Control interface Hardware (GPIO), SPI Features Inline Current sense Amplifier, Smart Gate Drive Rating Automotive TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RHB) 32 25 mm² 5 x 5
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications:
    • Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA
  • Functional Safety-Capable
  • H-bridge smart gate driver
    • 4.9-V to 37-V (40-V abs. max) operating range
    • Doubler charge pump for 100% PWM
    • Half-bridge and H-bridge control modes
  • Pin to pin gate driver variants
  • Smart gate drive architecture
    • Adjustable slew rate control
    • 0.5-mA to 62-mA peak source current output
    • 0.5-mA to 62-mA peak sink current output
    • Integrated dead-time handshaking
  • Wide common mode current shunt amplifier
    • Supports inline, high-side, or low-side
    • Adjustable gain settings (10, 20, 40, 80 V/V)
    • Integrated feedback resistors
    • Adjustable PWM blanking scheme
  • Multiple interface options available
    • SPI: Detailed configuration and diagnostics
    • H/W: Simplified control and less MCU pins
  • Spread spectrum clocking for EMI reduction
  • Compact VQFN package with wettable flanks
  • Integrated protection features
    • Dedicated driver disable pin (DRVOFF)
    • Supply and regulator voltage monitors
    • MOSFET VDS overcurrent monitors
    • MOSFET VGS gate fault monitors
    • Charge pump for reverse polarity MOSFET
    • Offline open load and short circuit diagnostics
    • Device thermal warning and shutdown
    • Fault condition interrupt pin (nFAULT)
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications:
    • Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA
  • Functional Safety-Capable
  • H-bridge smart gate driver
    • 4.9-V to 37-V (40-V abs. max) operating range
    • Doubler charge pump for 100% PWM
    • Half-bridge and H-bridge control modes
  • Pin to pin gate driver variants
  • Smart gate drive architecture
    • Adjustable slew rate control
    • 0.5-mA to 62-mA peak source current output
    • 0.5-mA to 62-mA peak sink current output
    • Integrated dead-time handshaking
  • Wide common mode current shunt amplifier
    • Supports inline, high-side, or low-side
    • Adjustable gain settings (10, 20, 40, 80 V/V)
    • Integrated feedback resistors
    • Adjustable PWM blanking scheme
  • Multiple interface options available
    • SPI: Detailed configuration and diagnostics
    • H/W: Simplified control and less MCU pins
  • Spread spectrum clocking for EMI reduction
  • Compact VQFN package with wettable flanks
  • Integrated protection features
    • Dedicated driver disable pin (DRVOFF)
    • Supply and regulator voltage monitors
    • MOSFET VDS overcurrent monitors
    • MOSFET VGS gate fault monitors
    • Charge pump for reverse polarity MOSFET
    • Offline open load and short circuit diagnostics
    • Device thermal warning and shutdown
    • Fault condition interrupt pin (nFAULT)

The DRV8706-Q1 is a highly integrated H-bridge gate driver, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. It generates the proper gate drive voltages using an integrated doubler charge pump for the high-side and a linear regulator for the low-side.

The device uses a smart gate drive architecture to reduce system cost and improve reliability. The gate driver optimizes dead time to avoid shoot-through conditions, provides control to decreasing electromagnetic interference (EMI) through adjustable gate drive current, and protects against drain to source and gate short conditions with VDS and VGS monitors.

A wide common mode shunt amplifier provides inline current sensing to continuously measure motor current even during recirculating windows. The amplifier can be used in low-side or high-side sense configurations if inline sensing is not required.

The DRV8706-Q1 provide an array of protection features to ensure robust system operation. These include under and overvoltage monitors for the power supply and charge pump, VDS overcurrent and VGS gate fault monitors for the external MOSFETs, offline open load and short circuit diagnostics, and internal thermal warning and shutdown protection.

The DRV8706-Q1 is a highly integrated H-bridge gate driver, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. It generates the proper gate drive voltages using an integrated doubler charge pump for the high-side and a linear regulator for the low-side.

The device uses a smart gate drive architecture to reduce system cost and improve reliability. The gate driver optimizes dead time to avoid shoot-through conditions, provides control to decreasing electromagnetic interference (EMI) through adjustable gate drive current, and protects against drain to source and gate short conditions with VDS and VGS monitors.

A wide common mode shunt amplifier provides inline current sensing to continuously measure motor current even during recirculating windows. The amplifier can be used in low-side or high-side sense configurations if inline sensing is not required.

The DRV8706-Q1 provide an array of protection features to ensure robust system operation. These include under and overvoltage monitors for the power supply and charge pump, VDS overcurrent and VGS gate fault monitors for the external MOSFETs, offline open load and short circuit diagnostics, and internal thermal warning and shutdown protection.

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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
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Design und Entwicklung

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Unterstützte Produkte und Hardware

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Produkte
Arm Cortex-M0+-MCUs
MSPM0G1105 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 32 KB Flash, 16 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps ADC, Operationsverstärke MSPM0G1106 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 64 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps ADC, Operationsverstärker MSPM0G1107 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 128 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps ADC, Operationsverstärk MSPM0G1505 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 32 KB Flash 16 KB SRAM 2x4 Msps ADC, 12 Bit DAC, 3xCOMP, 2xOPA, MATH MSPM0G1506 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 64 KB Flash 32 KB SRAM 2x4 Msps ADC, 12 Bit DAC, 3xCOMP, 2xOPA, MATH MSPM0G1507 80 MHz Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 128 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x4-Msps ADC, 12-Bit DAC, 3xCOMP, 2xOPA, M MSPM0G3105 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 32 KB Flash, 16 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps ADC, Operationsverstärker C MSPM0G3105-Q1 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU für die Automobilindustrie mit 32 KB Flash, 16 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps MSPM0G3106 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 64 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps ADC, Operationsverstärker C MSPM0G3106-Q1 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU für die Automobilindustrie mit 64 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps MSPM0G3107 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 128 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps ADC, Operationsverstärker MSPM0G3107-Q1 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU für die Automobilindustrie mit 128 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps MSPM0G3505 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 32 KB Flash, 16 KB SRAM, 2x4 Msps ADC, DAC, 3xCOMP, 2xOPA, CAN-FD MSPM0G3505-Q1 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU für die Automobilindustrie mit 32KB Flash, 16KB SRAM, ADC, DAC, COMP, OP MSPM0G3506 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 64 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x4 Msps ADC, DAC, 3xCOMP, 2xOPA, CAN-FD, M MSPM0G3506-Q1 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU für die Automobilindustrie mit 64KB Flash, 32KB SRAM, ADC, DAC, COMP, OP MSPM0G3507 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 128 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x4 Msps ADC, DAC, 3xCOMP, 2xOPA, CAN-FD, MSPM0G3507-Q1 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU für die Automobilindustrie mit 128KB Flash, 32KB SRAM, ADC, DAC, COMP, O MSPM0G3519 80 MHz ARM® Cortex®-M0+ MCU mit Dual-Bank 512 kB Flash, 128 kB SRAM, 2xCAN-FD, 2xADC, DAC, COMP MSPM0L1303 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 8 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1304 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 16 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1304-Q1 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+ für die Automobilindustrie mit 16 KB Flash, 2 KB RAM, 12-Bit-ADC, OPA, LIN MSPM0L1305 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 32 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1305-Q1 32-MHz-Arm® Cortex-M0®+ für die Automobilindustrie, mit 32 KB Flash, 4 KB RAM, 12-Bit-ADC, OPA, LIN MSPM0L1306 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 64 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1306-Q1 32-MHz-Arm® Cortex-M0®+ für die Automobilindustrie, mit 64 KB Flash, 4 KB RAM, 12-Bit-ADC, OPA, LIN MSPM0L1343 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 8 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA MSPM0L1344 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 16 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA MSPM0L1345 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 32 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA MSPM0L1346 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 64 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA
BLDC-Treiber
DRV8300 Einfacher dreiphasiger Gate-Treiber für max. 100 V mit Bootstrap-Dioden DRV8300-Q1 100-V-Batterie-3-Phasen-Gate-Treiber mit präziser Stromerfassung und verbessertem Schutz, für die Au DRV8300U Einfacher Drei-Phasen-Gate-Treiber mit Bootstrap-Dioden und verbessertem UVLO-Schutz, max. 100 V DRV8311 Max. 24 V abs., 3 bis 20 V, dreiphasiger bürstenloser Gleichstrom-Motortreiber mit integrierten FETs DRV8316 3-Phasen-Motortreiber mit 8-A-Peak für max. 40 V mit integrierter Strommessung und integrierten FETs DRV8316-Q1 40-V-Drei-Phasen-Motortreiber, max. 8 A Spitze und integrierter Strommessung (Automobilindustrie) DRV8316C-Q1 40-V-Drei-Phasen-Motortreiber, max. 8 A Spitze und integrierter Strommessung (Automobilindustrie) DRV8317 24-V-Drei-Phasen-Motortreiber, max. 5 A Spitze und integrierte FETs und Strommessung DRV8323 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 65 V, mit Strom-Shunt-Verstärkern DRV8323R Maximal dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber für 65 V mit Abwärtsregler und Strom-Shunt-Verstärke DRV8328 Dreiphasiger 60-V-Gate-Treiber für 1000/2000 mA DRV8329 Dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber (60 V) mit drei Strom-Shunt-Verstärkern DRV8353 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 102 V, mit Strom-Shunt-Verstärkern DRV8353F 102-V max. 3-phasiger Smart Gate-Treiber mit 3x CSA, qualifiziert für Funktionssicherheitsapplikatio DRV8353R Maximal dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber für 102 V mit Abwärtsregler und Strom-Shunt-Verstärk
Schrittmotortreiber
DRV8411A Doppel-H-Brücken-Motortreiber, (1,65 bis 11 V, 4 A) mit Stromregelung über IPROPI DRV8889-Q1 Bipolarer Schrittmotortreiber für die Automobilindustrie, 50 V, 1,5 A-, integrierte Strommessung & A
Treiber für Gleichstrom-Bürstenmotoren
DRV8706-Q1 Intelligenter 40-V-H-Brücken-Gate-Treiber mit Offline-Diagnose und Inline-Strommessverstärker für
Hardware-Entwicklung
Evaluierungsplatine
BOOSTXL-DRV8323RH DRV8323RH – dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber mit Buck, Shunt-Verstärkern (SPI-Schnittstelle) BOOSTXL-DRV8323RS DRV8323RS dreiphasiger Smart Gate-Treiber mit Abwärts- und Shunt-Verstärkern (SPI-Schnittstelle) DRV8300DIPW-EVM DRV8300DIPW Dreiphasen-BLDC – Evaluierungsmodul DRV8300DRGE-EVM DRV8300DRGE Dreiphasen-BLDC – Evaluierungsmodul DRV8311HEVM DRV8311H: Evaluierungsmodul für dreiphasigen PWM-Motortreiber DRV8316REVM DRV8316R Evaluierungsmodul für dreiphasigen PWM-Motortreiber DRV8317HEVM Evaluierungsmodul DRV8317 für dreiphasigen bürstenlosen DC (BLDC)-Gate-Treiber DRV8328AEVM DRV8328A Evaluierungsmodul für dreiphasigen PWM-Motortreiber DRV8329AEVM DRV8329A Evaluierungsmodul für dreiphasigen BLDC-Gate-Treiber DRV8353RH-EVM DRV8353RH – Dreiphasiges Smart Gate-Treiber-Evaluierungsmodul DRV8353RS-EVM DRV8353RS-Dreiphasiges Smart Gate-Treiber-Evaluierungsmodul DRV8411AEVM Evaluierungsmodul DRV8411A für Dual H-Brücken-Motortreiber mit Stromregelung DRV8706S-Q1EVM EVM für H-Brücken-Smart-Gate-Treiber für den Automobilbereich mit Strommessverstärker mit breitem DRV8889-Q1EVM DRV8889-Q1 Evaluierungsmodul für einen Schrittmotortreiber für die Automobilindustrie mit 1/256-Mikr LP-MSPM0G3507 MSPM0G3507 LaunchPad™ -Entwicklungskit für 80-MHz-Arm® Cortex®-M0+ MCU LP-MSPM0G3519 MSPM0G3519 LaunchPad™-Entwicklungskit für 80-MHz-Arm® Cortex®-M0+ MCU LP-MSPM0L1306 MSPM0L1306 LaunchPad™-Entwicklungskit für 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+ MCU
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DRV8X06-Q1EVM-DRV8705-Q1EVM DRV8X06-Q1EVM_DRV8705-Q1EVM

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Treiber für Gleichstrom-Bürstenmotoren
DRV8706-Q1 Intelligenter 40-V-H-Brücken-Gate-Treiber mit Offline-Diagnose und Inline-Strommessverstärker für
MSP430-Mikrocontroller
MSP430F2617 16-MHz-MCU mit 92 KB Flash-Speicher, 8 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Dual-12-Bit DAC, I2C/SPI/UART, HW-Multip
MOSFETs
CSD18512Q5B 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,6 mOhm
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
VQFN (RHB) 32 Ultra Librarian

Bestellen & Qualität

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Beinhaltete Information:
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