Herramienta de cálculo
FET-INRUSH-SOA-CALC — FET SOA margin calculator for dvdt based startup
The design calculator allows user to estimate the FET SOA margin while starting up with dVdt based startup for inrush current control
LM74721-Q1
Controlador de diodo ideal TVS de IQ menos baja con protección de batería inversa y rectificación ac
Hoja de datos
LM74721-Q1
- AEC-Q100 qualified with the following results
- Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
- Device HBM ESD classification level 2
- Device CDM ESD classification level C4B
- 3-V to 65-V input range
- Reverse input protection down to –33 V
- Integrated VDS clamp for Input TVS less operation for ISO7637 pulse suppression
- Low quiescent current 35 µA (max) in operation
- Low 3.3-µA (max) shutdown current (EN = Low)
- Ideal diode operation with 17-mV A to C forward voltage drop regulation
- Drives external back-to-back N-Channel MOSFETs
- Integrated 30-mA boost regulator
- Fast response to reverse current blocking: 0.5 µs
- Active rectification up to 100 kHz
- Adjustable overvoltage protection
- Available in space saving 12-pin WSON package
- Pin-to-pin compatible with LM74720-Q1
The LM74721-Q1 ideal diode controller drives and controls external back to back N-Channel MOSFETs to emulate an ideal diode rectifier with power path ON and OFF control and overvoltage protection. The wide input supply of 3 V to 65 V allows protection and control of 12-V automotive battery powered ECUs. The device can withstand and protect the loads from negative supply voltages down to –33-V DC. An integrated ideal diode controller (GATE) drives the first MOSFET to replace a Schottky diode for reverse input protection and output voltage holdup. Integrated VDS clamp feature enables input TVS less system designs for automotive ISO7637 pulse suppression. A strong boost regulator with fast turn ON and OFF comparators ensures robust and efficient MOSFET switching performance during automotive testing such as ISO16750 or LV124, where an ECU is subjected to input short interruptions and AC superimpose input signals up to 100-kHz frequency. Low Quiescent Current 35 µA (maximum) in operation enables always ON system designs. With a second MOSFET in the power path, the device allows load disconnect control using EN pin. Quiescent current reduces to 3.3 µA (maximum) with EN low. The device features an adjustable overvoltage cutoff protection feature for load dump protection.
Documentación técnica
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Ver todo 7 | Tipo | Título | Fecha | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | LM74721-Q1 TVS Less Low IQ Automotive Reverse Battery Protection Ideal Diode Controller with Active Rectification datasheet (Rev. B) | PDF | HTML | 07 jul 2022 |
| Certificate | LM74721EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) | 27 may 2022 | ||
| Technical article | 3 ways to design a low quiescent-current (Iq) automotive reverse battery protectio | PDF | HTML | 18 nov 2021 | |
| Analog Design Journal | Going TVS-less in Automotive Reverse Battery Protection Designs | PDF | HTML | 18 nov 2021 | |
| Application note | Basics of Ideal Diodes (Rev. B) | PDF | HTML | 05 oct 2021 | |
| Application brief | Active Rectification and its Advantages in Automotive ECU Designs | PDF | HTML | 29 sep 2021 | |
| Analog Design Journal | Automotive EMC-compliant reverse-battery protection with ideal-diode controllers | 22 sep 2020 |
Diseño y desarrollo
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Placa de evaluación
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| Encapsulado | Pines | Símbolos CAD, huellas y modelos 3D |
|---|---|---|
| WSON (DRR) | 12 | Ultra Librarian |
Pedidos y calidad
Información incluida:
- RoHS
- REACH
- Marcado del dispositivo
- Acabado de plomo/material de la bola
- Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
- Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
- Contenido del material
- Resumen de calificaciones
- Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
- Lugar de fabricación
- Lugar de ensamblaje
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