Herramienta de cálculo
FET-INRUSH-SOA-CALC — FET SOA margin calculator for dvdt based startup
The design calculator allows user to estimate the FET SOA margin while starting up with dVdt based startup for inrush current control
LM74720-Q1
Controlador de diodo ideal de baja IQ con rectificación activa y protección contra descarga de carga
Hoja de datos
LM74720-Q1
- AEC-Q100 qualified with the following results
- Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
- Device HBM ESD classification level 2
- Device CDM ESD classification level C4B
- 3-V to 65-V input range
- Reverse input protection down to –65 V
- Low quiescent current, 35 µA (max) in operation
- Low 3.3-µA (max) shutdown current (EN = Low)
- Ideal diode operation with 17-mV A to C forward voltage drop regulation
- Drives external back-to-back N-Channel MOSFETs
- Integrated 29-mA boost regulator
- Fast response to reverse current blocking: 0.5 µs
- Active rectification up to 100 kHz
- Adjustable overvoltage protection
- Meets automotive ISO7637 transient requirements with a suitable TVS diode
- Available in space saving 12-pin WSON package
- Pin-to-pin compatible with LM74721-Q1
The LM74720-Q1 ideal diode controller drives and controls external back-to-back N-Channel MOSFETs to emulate an ideal diode rectifier with power path ON/OFF control and overvoltage protection. The wide input supply of 3 V to 65 V allows protection and control of 12-V and 24-V automotive battery powered ECUs. The device can withstand and protect the loads from negative supply voltages down to –65 V. An integrated ideal diode controller (GATE) drives the first MOSFET to replace a Schottky diode for reverse input protection and output voltage holdup. A strong boost regulator with fast turn ON and OFF comparators ensures robust and efficient MOSFET switching performance during automotive testing such as ISO16750 or LV124 where an ECU is subjected to input short interruptions and AC superimpose input signals up to 100-kHz frequency. Low Quiescent Current 35 µA (maximum) in operation enables always ON system designs. With a second MOSFET in the power path, the device allows load disconnect control using EN pin. Quiescent current reduces to 3.3 µA (maximum) with EN low. The device features an adjustable overvoltage cut-off protection feature for load dump protection.
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Documentación técnica
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| * | Data sheet | LM74720-Q1 Low IQ Automotive Ideal Diode Controller with Active Rectification and Load Dump Protection datasheet (Rev. B) | PDF | HTML | 29 mar 2022 |
| Product overview | Mobileye EyeQ™6H – Discrete Power Tree | PDF | HTML | 07 nov 2024 | |
| Technical article | 3 ways to design a low quiescent-current (Iq) automotive reverse battery protectio | PDF | HTML | 18 nov 2021 | |
| Application note | Basics of Ideal Diodes (Rev. B) | PDF | HTML | 05 oct 2021 | |
| Application brief | Active Rectification and its Advantages in Automotive ECU Designs | PDF | HTML | 29 sep 2021 | |
| User guide | LM7472EVM: Evaluation Module for LM74720-Q1 & LM74722-Q1 Ideal Diode Controllers | PDF | HTML | 15 sep 2021 | |
| Analog Design Journal | Automotive EMC-compliant reverse-battery protection with ideal-diode controllers | 22 sep 2020 |
Diseño y desarrollo
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