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LM74502H

ACTIVO

Controlador RPP industrial de 3.2 V a 65 V con desconexión de carga, OVP y accionamiento de compuert

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LM74502H

ACTIVO
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Detalles del producto

Vin (min) (V) 3.2 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Enable, Inrush current control, Overvoltage protection, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.06 Iq (max) (mA) 0.11 FET External single FET IGate source (typ) (µA) 11000 IGate sink (typ) (mA) 2370 IGate pulsed (typ) (A) 2.37 Operating temperature range (°C) -40 to 125 IReverse (typ) (µA) 100 Design support EVM Rating Catalog Imax (A) 250 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.001 Device type Reverse polarity protector Product type Reverse polarity protector
Vin (min) (V) 3.2 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Enable, Inrush current control, Overvoltage protection, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.06 Iq (max) (mA) 0.11 FET External single FET IGate source (typ) (µA) 11000 IGate sink (typ) (mA) 2370 IGate pulsed (typ) (A) 2.37 Operating temperature range (°C) -40 to 125 IReverse (typ) (µA) 100 Design support EVM Rating Catalog Imax (A) 250 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.001 Device type Reverse polarity protector Product type Reverse polarity protector
SOT-23-THN (DDF) 8 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • 3.2-V to 65-V input range (3.9-V start-up)
  • –65-V input reverse voltage rating
  • Integrated charge pump to drive
    • External back-to-back N-Channel MOSFETs

    • External high side switch MOSFET

    • External reverse polarity protection MOSFET

  • Gate drive variants
    • LM74502: 60-µA peak gate drive source capacity
    • LM74502H: 11-mA peak gate drive source capacity
  • 2.3-A peak gate sink current capacity
  • Enable pin feature
  • 45-µA typical operating quiescent current (EN/UVLO = High)
  • 1-µA shutdown current (EN/UVLO = Low)
  • Adjustable overvoltage and undervoltage protection
  • –40°C to +125°C ambient operating temperature range
  • Available in 8-pin SOT-23 package 2.90 mm × 1.60 mm
  • 3.2-V to 65-V input range (3.9-V start-up)
  • –65-V input reverse voltage rating
  • Integrated charge pump to drive
    • External back-to-back N-Channel MOSFETs

    • External high side switch MOSFET

    • External reverse polarity protection MOSFET

  • Gate drive variants
    • LM74502: 60-µA peak gate drive source capacity
    • LM74502H: 11-mA peak gate drive source capacity
  • 2.3-A peak gate sink current capacity
  • Enable pin feature
  • 45-µA typical operating quiescent current (EN/UVLO = High)
  • 1-µA shutdown current (EN/UVLO = Low)
  • Adjustable overvoltage and undervoltage protection
  • –40°C to +125°C ambient operating temperature range
  • Available in 8-pin SOT-23 package 2.90 mm × 1.60 mm

The LM74502, LM74502H is a controller which operates in conjunction with an external back-to-back connected N-channel MOSFETs to realize a low loss reverse polarity protection and load disconnect solution. The device can also be configured to drive high side MOSFET as a load switch with overvoltage protection . The wide supply input range of 3.2 V to 65 V allows control of many popular DC bus voltages such as 12-V, 24-V and 48-V input systems. The device can withstand and protect the loads from negative supply voltages down to –65 V. The LM74502, LM74502H does not have reverse current blocking and is suitable for input reverse polarity protection only.

The LM74502 controller provides a charge pump gate drive for an external N-channel MOSFET. with the enable pin low, the controller is off and draws approximately 1 µA of current, thus offering low system current when put into sleep mode. LM74502 and LM74502H offers programmable overvoltage and undervoltage protection which cuts off the load from the input source in case of these fault events. The devices are available in a 2.9 mm × 1.6 mm 8-pin DDF package and are specified over a –40°C to +125°C temperature range.

The LM74502, LM74502H is a controller which operates in conjunction with an external back-to-back connected N-channel MOSFETs to realize a low loss reverse polarity protection and load disconnect solution. The device can also be configured to drive high side MOSFET as a load switch with overvoltage protection . The wide supply input range of 3.2 V to 65 V allows control of many popular DC bus voltages such as 12-V, 24-V and 48-V input systems. The device can withstand and protect the loads from negative supply voltages down to –65 V. The LM74502, LM74502H does not have reverse current blocking and is suitable for input reverse polarity protection only.

The LM74502 controller provides a charge pump gate drive for an external N-channel MOSFET. with the enable pin low, the controller is off and draws approximately 1 µA of current, thus offering low system current when put into sleep mode. LM74502 and LM74502H offers programmable overvoltage and undervoltage protection which cuts off the load from the input source in case of these fault events. The devices are available in a 2.9 mm × 1.6 mm 8-pin DDF package and are specified over a –40°C to +125°C temperature range.
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Documentación técnica

star =Principal documentación para este producto seleccionada por TI
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Tipo Título Fecha
* Data sheet LM74502, LM74502H Low IQ High Side Switch Controller with Reverse Polarity and Overvoltage Protection datasheet (Rev. A) PDF | HTML 06 may 2022
Application brief Three Ways to Use High Side Switch Driver Using LM74502 PDF | HTML 20 dic 2021

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

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Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

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