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LM324-N-MIL

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ミリタリー、クワッド、32V、1MHz のオペアンプ

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製品詳細

Number of channels 4 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 32 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 3 Rail-to-rail In to V- GBW (typ) (MHz) 1 Slew rate (typ) (V/µs) 0.5 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 7 Iq per channel (typ) (mA) 0.18 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 40 Rating Military Operating temperature range (°C) 0 to 70 Offset drift (typ) (µV/°C) 7 Input bias current (max) (pA) 250000 CMRR (typ) (dB) 85 Iout (typ) (A) 0.02 Architecture Bipolar Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 0 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.5 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.005 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -2
Number of channels 4 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 32 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 3 Rail-to-rail In to V- GBW (typ) (MHz) 1 Slew rate (typ) (V/µs) 0.5 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 7 Iq per channel (typ) (mA) 0.18 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 40 Rating Military Operating temperature range (°C) 0 to 70 Offset drift (typ) (µV/°C) 7 Input bias current (max) (pA) 250000 CMRR (typ) (dB) 85 Iout (typ) (A) 0.02 Architecture Bipolar Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 0 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.5 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.005 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -2
CDIP (J) 14 130.4652 mm² 19.56 x 6.67
  • ユニティ・ゲインのため内部的に周波数を補償
  • 大きなDC電圧ゲイン: 100dB
  • 広い帯域幅(ユニティ・ゲイン): 1MHz
    (温度補償後)
  • 広い電源電圧範囲:
    • 単一電源3V～32V
    • またはデュアル電源±1.5V～±16V
  • 非常に低い電源消費電流: 700µA
    - 本質的に電源電圧の値には無関係
  • 低い入力バイアス電流: 45nA
    (温度補償後)
  • 低い入力オフセット電圧: 2mV
    およびオフセット電流: 5nA
  • 入力同相電圧範囲にグランドを含む
  • 差動入力電圧範囲は電源電圧に等しい
  • 大きな出力電圧スイング: 0V～V+ − 1.5V
  • 利点
    • デュアル電源が不要
    • 4つの内部補償オペアンプを単一のパッケージに搭載
    • 直接GNDレベル近くまでセンシング可能、VOUTもGNDレベルまで遷移可能
    • すべての形式のロジックと互換
    • バッテリ動作に適した消費電力
    • リニア・モードでは、入力同相電圧範囲にグランドおよび出力電圧を含む
    • 単一の電源電圧で動作しながら、グランドまでスイング可能
    • ユニティ・ゲインのクロス周波数を温度補償
    • 入力バイアス電流も温度補償
  • ユニティ・ゲインのため内部的に周波数を補償
  • 大きなDC電圧ゲイン: 100dB
  • 広い帯域幅(ユニティ・ゲイン): 1MHz
    (温度補償後)
  • 広い電源電圧範囲:
    • 単一電源3V～32V
    • またはデュアル電源±1.5V～±16V
  • 非常に低い電源消費電流: 700µA
    - 本質的に電源電圧の値には無関係
  • 低い入力バイアス電流: 45nA
    (温度補償後)
  • 低い入力オフセット電圧: 2mV
    およびオフセット電流: 5nA
  • 入力同相電圧範囲にグランドを含む
  • 差動入力電圧範囲は電源電圧に等しい
  • 大きな出力電圧スイング: 0V～V+ − 1.5V
  • 利点
    • デュアル電源が不要
    • 4つの内部補償オペアンプを単一のパッケージに搭載
    • 直接GNDレベル近くまでセンシング可能、VOUTもGNDレベルまで遷移可能
    • すべての形式のロジックと互換
    • バッテリ動作に適した消費電力
    • リニア・モードでは、入力同相電圧範囲にグランドおよび出力電圧を含む
    • 単一の電源電圧で動作しながら、グランドまでスイング可能
    • ユニティ・ゲインのクロス周波数を温度補償
    • 入力バイアス電流も温度補償

LM324-N-MILデバイスは4つの独立した高ゲインの内部周波数補償付きオペアンプで構成され、単一の電源から、広い電圧範囲で動作するよう設計されています。分割電源からも動作でき、低消費電力で、電源からの消費電流は電源電圧の大きさに依存しません。

応用分野として、トランスデューサ・アンプ、DCゲイン・ブロック、各種の従来型オペアンプ回路があり、これらを単一の電源システムで、より簡単に実装できます。たとえば、LM324-N-MILデバイスは、デジタル・システムで使用される標準の5V電源電圧で直接動作し、追加の±15V電源の必要なしに、必要なインターフェイス電子回路を簡単に提供できます。

LM324-N-MILデバイスは4つの独立した高ゲインの内部周波数補償付きオペアンプで構成され、単一の電源から、広い電圧範囲で動作するよう設計されています。分割電源からも動作でき、低消費電力で、電源からの消費電流は電源電圧の大きさに依存しません。

応用分野として、トランスデューサ・アンプ、DCゲイン・ブロック、各種の従来型オペアンプ回路があり、これらを単一の電源システムで、より簡単に実装できます。たとえば、LM324-N-MILデバイスは、デジタル・システムで使用される標準の5V電源電圧で直接動作し、追加の±15V電源の必要なしに、必要なインターフェイス電子回路を簡単に提供できます。
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* データシート LM324-N-MIL 低消費電力クワッド・オペアンプ データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2017年 8月 1日

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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