TLC27M4B
- Trimmed Offset Voltage:
TLC27M9...900 uV Max at TA = 25°C,
VDD = 5 V - Input Offset Voltage Drift...Typically
0.1 uV/Month, Including the First 30 Days - Wide Range of Supply Voltages Over Specified Temperature Range:
0°C to 70°C...3 V to 16 V
-40°C to 85°C...4 V to 16 V
-55°C to 125°C...4 V to 16 V - Single-Supply Operation
- Common-Mode Input Voltage Range Extends Below the Negative Rail (C-Suffix, I-Suffix Types)
- Low Noise...Typically 32 nV/ Hz\
at f = 1 kHz - Low Power...Typically 2.1 mW at TA=25°C, VDD = 5 V
- Output Voltage Range Includes Negative Rail
- High Input Impedance...1012 Typ
- ESD-Protection Circuitry
- Small-Outline Package Option Also Available in Tape and Reel
- Designed-In Latch-Up Immunity
The TLC27M4 and TLC27M9 quad operational amplifiers combine a wide range of input offset voltage grades with low offset voltage drift, high input impedance, low noise, and speeds comparable to that of general-purpose bipolar devices.These devices use Texas Instruments silicon-gate LinCMOSTM
LinCMOS is a trademark of Texas Instruments Incorporated. technology, which provides offset voltage stability far exceeding the stability available with conventional metal-gate processes.
The extremely high input impedance, low bias currents, make these cost-effective devices ideal for applications that have previously been reserved for general-purpose bipolar products, but with only a fraction of the power consumption.
Four offset voltage grades are available (C-suffix and I-suffix types), ranging from the low-cost TLC27M4 (10 mV) to the high-precision TLC27M9 (900 uV). These advantages, in combination with good common-mode rejection and supply voltage rejection, make these devices a good choice for new state-of-the-art designs as well as for upgrading existing designs.
In general, many features associated with bipolar technology are available on LinCMOSTM operational amplifiers, without the power penalties of bipolar technology. General applications such as transducer interfacing, analog calculations, amplifier blocks, active filters, and signal buffering are easily designed with the TLC27M4 and TLC27M9. The devices also exhibit low voltage single-supply operation, and low power consumption, making them ideally suited for remote and inaccessible battery-powered applications. The common-mode input voltage range includes the negative rail.
A wide range of packaging options is available, including small-outline and chip-carrier versions for high-density system applications.
The device inputs and outputs are designed to withstand -100-mA surge currents without sustaining latch-up.
The TLC27M4 and TLC27M9 incorporate internal ESD-protection circuits that prevent functional failures at voltages up to 2000 V as tested under MIL-STD-883C, Method 3015; however, care should be exercised in handling these devices, as exposure to ESD may result in the degradation of the device parametric performance.
The C-suffix devices are characterized for operation from 0°C to 70°C. The I-suffix devices are characterized for operation from -40°C to 85°C. The M-suffix devices are characterized for operation over the full military temperature range of -55°C to 125°C.
TA
|
VIOmax AT 25°C |
PACKAGE
|
CHIP
FORM (Y) | |||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SMALL OUTLINE
(D) |
CHIP CARRIER
(FK) |
CERAMIC DIP
(J) |
PLASTIC DIP
(N) |
TSSOP
(PW) | ||||
0°C to 70°C
|
900 uV
|
TLC27M9CD
|
--
|
--
|
TLC27M9CN |
--
|
--
| |
2 mV
|
TLC27M4BCD
|
--
|
--
|
TLC27M4BCN
|
--
|
--
| ||
5 mV
|
TLC27M4ACD
|
--
|
--
|
TLC27M4ACN
|
--
|
--
| ||
10 mV
|
TLC27M4CD
|
--
|
--
|
TLC27M4CN |
TLC27M4CPW
|
TLC27M4Y
| ||
-40°C to 85°C
|
900 uV
|
TLC27M9ID
|
--
|
--
|
TLC27M9IN
|
--
|
--
| |
2 mV
|
TLC27M4BID
|
--
|
--
|
TLC27M4BIN
|
--
|
--
| ||
5 mV
|
TLC27M4AID
|
--
|
--
|
TLC27M4AIN
|
--
|
--
| ||
10 mV
|
TLC27M4ID
|
--
|
--
|
TLC27M4IN
|
TLC27M41PW
|
--
| ||
-55°C to 125°C
|
900 uV
|
TLC27M9MD
|
TLC27M9MFK
|
TLC27M9MJ
|
TLC27M9MN
|
--
|
--
| |
10 mV
|
TLC27M4MD
|
TLC27M4MFK
|
TLC27M4MJ
|
TLC27M4MN
|
--
|
--
|
The D and PW package is available taped and reeled. Add R suffix to the device type (e.g., TLC279CDR).
技術資料
種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
---|---|---|---|---|---|---|
* | データシート | LinCMOS Precision Quad Op Amps データシート (Rev. D) | 2012年 10月 11日 | |||
e-Book(PDF) | The Signal - オペアンプ設計ブログ集 | 英語版 | 2018年 3月 23日 |
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パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
---|---|---|
PDIP (N) | 14 | Ultra Librarian |
SOIC (D) | 14 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点