TPS2051B-Q1

TPS20xxB-Q1 パワー・ディストリビューション・スイッチは、大きな容量性負荷があり、短絡が発生しやすいアプリケーションを対象としています。これらのデバイスは、複数のパワー・スイッチを 1 つのパッケージに搭載する必要があるパワー・ディストリビューション・システム向けに、105mΩ の N チャネル MOSFET パワー・スイッチを内蔵しています。各スイッチは、ロジック・イネーブル入力によって制御されます。ゲート・ドライブは、内部チャージ・ポンプによって供給され、スイッチング中の電流サージを最小限に抑えるために、パワー・スイッチの立ち上がり時間と立ち下がり時間を制御するように設計されています。チャージ・ポンプには外付け部品が不要で、最低 2.7V の電源で動作できます。

出力負荷が電流制限スレッショルドを超えた場合、または短絡が存在する場合、デバイスは定電流モードに切り替えて過電流 (OCx) ロジック出力を Low にすることで、出力電流を安全なレベルに制限します。連続的に大きな過負荷と短絡が発生すると、スイッチの消費電力が増加し、接合部温度が上昇すると、熱保護回路によってスイッチがシャットオフされ、損傷を防止します。デバイスの温度が十分に低下すると、自動的にサーマル・シャットダウンからの回復が行われます。内部回路により、有効な入力電圧が印加されるまでスイッチがオフに維持されます。このパワー・ディストリビューション・スイッチは、電流制限を 1A (標準値) に設定するように設計されています。