パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 SOIC (DW) | 16 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 125 |
| パッケージ数量 | キャリア 40 | TUBE |
UCC21710-Q1 の特徴
- 5.7kV RMS のシングル・チャネル絶縁型ゲート・ドライバ
- 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認定済み
- デバイス温度グレード 0：-40℃～+150℃の動作時周囲温度範囲
- デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
- デバイス CDM ESD 分類レベル C6
- 最高 2121V pk の SiC MOSFET および IGBT
- 最高出力駆動電圧 (VDD-VEE)：33V
- ±10A の駆動強度と分割出力
- CMTI：150V/ns 以上
- 270ns の応答時間による高速過電流保護
- 4A の内部アクティブ・ミラー・クランプ
- フォルト発生時の 400mA ソフト・ターンオフ・オプション
- PWM 出力を備えた絶縁アナログ・センサで
- NTC、PTC、サーマル・ダイオードによる温度センシング
- 高電圧 DC リンクまたは相電圧
- 過電流 FLT アラームと RST/EN からのリセット
- RST/EN での高速イネーブル / ディセーブル応答
- 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
- 12V VDD UVLO (RDY のパワー・グッド付き)
- 最大 5V のオーバー / アンダー・シュート過渡電圧に耐える入出力
- 伝搬遅延時間：130ns 以下、パルス / 部品スキュー：30ns 以下
- 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
- 動作時の接合部温度：–40℃～150℃
- 安全関連認証：
- DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した強化絶縁
- UL 1577 部品認定プログラム
UCC21710-Q1 に関する概要
UCC21710-Q1 は、最大 1700V の SiC MOSFET および IGBT に対応するように設計されたガルバニック絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバであり、先進的な保護機能とクラス最高の動的性能および堅牢性を備えています。 UCC21710-Q1 は最大 ±10A のピーク・ソース / シンク電流を供給できます。
入力側は SiO 2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 1.5kV RMS の動作電圧に対応し、40 年を超える寿命の絶縁バリアにより 12.8kV PK のサージ耐性を備えるとともに、部品間スキューが小さく、 150V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。
UCC21710 -Q1 は、高速の過電流および短絡検出、シャント電流センシング・サポート、フォルト通知、アクティブ・ミラー・クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。アナログから PWM へ信号を変換する、この絶縁型センサは、温度または電圧のセンシングを簡単に行えるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システムの設計工数、サイズ、およびコストを簡素化できます。