DRV8106-Q1
- AEC-Q100 qualified for automotive applications:
- Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA
- Half-bridge smart gate driver
- 4.9-V to 37-V (40-V abs. max) operating range
- Doubler charge pump for 100% PWM
- Pin to pin gate driver variants
- DRV8705-Q1: H-bridge with low-side amplifier
- DRV8706-Q1: H-bridge with inline amplifier
- Smart gate drive architecture
- Adjustable slew rate control
- 0.5-mA to 62-mA peak source current output
- 0.5-mA to 62-mA peak sink current output
- Integrated dead-time handshaking
- Wide common mode current shunt amplifier
- Supports inline, high-side, or low-side
- Adjustable gain settings (10, 20, 40, 80 V/V)
- Integrated feedback resistors
- Adjustable PWM blanking scheme
- Multiple interface options available
- SPI: Detailed configuration and diagnostics
- H/W: Simplified control and less MCU pins
- Spread spectrum clocking for EMI reduction
- Compact VQFN package with wettable flanks
- Integrated protection features
- Dedicated driver disable pin (DRVOFF)
- Supply and regulator voltage monitors
- MOSFET VDS overcurrent monitors
- MOSFET VGS gate fault monitors
- Charge pump for reverse polarity MOSFET
- Offline open load and short circuit diagnostics
- Device thermal warning and shutdown
- Fault condition interrupt pin (nFAULT)
The DRV8106-Q1 is a highly integrated half-bridge gate driver, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. It generates the proper gate drive voltages using an integrated doubler charge pump for the high-side and a linear regulator for the low-side.
The device uses a smart gate drive architecture to reduce system cost and improve reliability. The gate driver optimizes dead time to avoid shoot-through conditions, provides control to decreasing electromagnetic interference (EMI) through adjustable gate drive current, and protects against drain to source and gate short conditions with VDS and VGS monitors.
A wide common mode shunt amplifier provides inline current sensing to continuously measure motor current even during recirculating windows. The amplifier can be used in low-side or high-side sense configurations if inline sensing is not required.
The DRV8106-Q1 provide an array of protection features to ensure robust system operation. These include under and overvoltage monitors for the power supply and charge pump, VDS overcurrent and VGS gate fault monitors for the external MOSFETs, offline open load and short circuit diagnostics, and internal thermal warning and shutdown protection.
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기술 자료
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DRV8106H-Q1EVM — 차량용 하프 브리지 스마트 게이트 드라이버 평가 모듈 - 넓은 공통 모드 전류 감지 증폭기 포함
DRV8106H-Q1EVM은 오토모티브 등급 브러시드 DC 모터 드라이버인 DRV8106H-Q1을 평가하도록 설계되었습니다. DRV8106H-Q1은 고압측 및 저압측 N채널 전원 MOSFET을 구동할 수 있는 고집적 하프 브리지 게이트 드라이버입니다. 고압측용 통합 더블러 충전 펌프와 저압측용 선형 레귤레이터를 사용하여 적절한 게이트 드라이브 전압을 생성합니다.
이 장치는 스마트 게이트 드라이브 아키텍처를 사용하여 시스템 비용을 절감하고 안정성을 개선합니다. 게이트 드라이버는 데드 타임을 최적화하여 슛스루 조건을 방지하고, 조정 (...)
DRV8106S-Q1EVM — 넓은 공통 모드 전류 감지 증폭기를 지원하는 차량용 하프 브리지 스마트 게이트 드라이버 EVM
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| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| VQFN (RHB) | 32 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.